一种开关机电路.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107425835A(43)申请公布日2017.12.01(21)申请号201610346168.7(22)申请日2016.05.23(71)申请人中兴通讯股份有限公司地址518057广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部(72)发明人黄林智代东飞汪绪茂朱警怡(74)专利代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司11262代理人解婷婷龙洪(51)Int.Cl.H03K17/687(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称一种开关机电路(57)摘要本文公开了一种开关机电路，包括：PMOS管、开关、三极管、RC并联电路；其中，所述PMOS管的源极连接外部电源输入端，漏极作为内部电源输入端，该内部电源输入端通过转换回路连接CPU的预上电接口，所述转换回路将内部电源输入端的电压转换为所述CPU的预上电接口的高电平电压；所述开关连接所述PMOS管的源极和所述外部电源输入端；所述三极管的基极连接所述CPU的预上电接口和所述RC并联电路，集电极连接所述PMOS管的栅极，发射极接地。完美实现了开机的预定功能，在保留软关机功能的前提下，实现了一触硬开机，适用于机顶盒等终端设备。CN107425835ACN107425835A权利要求书1/1页1.一种开关机电路，其特征在于，包括：PMOS管、开关、三极管、RC并联电路；其中，所述PMOS管的源极连接外部电源输入端，漏极作为内部电源输入端，该内部电源输入端经过电压转换后为CPU的预上电接口提供高电平；所述开关连接所述PMOS管的源极和所述外部电源输入端；所述三极管的基极连接所述CPU的预上电接口和所述RC并联电路，集电极连接所述PMOS管的栅极，发射极接地；所述RC并联电路连接所述三极管的基极和所述CPU的预上电接口。2.根据权利要求1所述的开关机电路，其特征在于，所述RC并联电路至少包括：第一电容和第一电阻，所述第一电容与第一电阻并联，所述并联的一端连接所述三极管的基极和所述CPU的预上电接口，另一端接地。3.根据权利要求2所述的开关机电路，其特征在于，所述第一电容的取值为0.01uF到22uF。4.根据权利要求1、2或3所述的开关机电路，其特征在于，所述三极管的基极与所述RC并联电路之间还串联有至少一个分压电阻，所述RC并联电路与所述CPU的预上电接口之间还串联有至少一个分压电阻。5.根据权利要求1所述的开关机电路，其特征在于，所述PMOS管的源极与栅极之间还并联有第二电容，所述第二电容串联在所述外部电源输入端和所述开关之间。6.根据权利要求5所述的开关机电路，其特征在于，在所述外部电源输入端与所述开关之间还串联有至少两个分压电阻，所述两个分压电阻中一个与所述第二电容并联，另一个与所述第二电容串联。7.根据权利要求1或5所述的开关机电路，其特征在于，所述PMOS管的栅极与所述三极管的集电极之间还串联有至少一个分压电阻。8.根据权利要求1所述的开关机电路，其特征在于，所述开关为单刀单掷复位开关，一端连接所述PMOS管的栅极，其他端接地。9.根据权利要求1或8所述的开关机电路，其特征在于，所述开关连接所述PMOS管源极的一端还连接跳变电压输入端，所述跳变电压输入端在所述开关接通时提供一个由高电平到低电平的跳变给所述CPU，使得所述CPU启动关机机制。10.根据权利要求9所述的开关机电路，其特征在于，所述开关与所述跳变电压输入端之间还串联有至少一个分压电阻。2CN107425835A说明书1/5页一种开关机电路技术领域[0001]本发明涉及通讯与计算机领域，尤指一种开关机电路。背景技术[0002]目前，很多终端都采用软关机/软开机的方式关机/开机。这样，一方面能够保护终端的某些内部器件，另一方面还能在不使用时使得终端完全彻底断电。目前，软关机/软开机主要通过如下方式实现：在终端的控制回路加入一个开关，该开关的第一次长按能让主回路上电开机，开机后CPU启动，终端运行，在终端运行过程中一直监测输入/输出(GPIO)，以监测开关变化；该开关的第二次碰触，引起控制回路跳变，从而触发CPU的软件保护性软关机。上述软开机/软关机的方法，不足在于需要等CPU启动后能自锁，才能松开相应开关的按键。一般来说，开机需要长按1秒左右，长按时间对于用户来说不好把握，用户体验差，而且不能做到一触开机。[0003]在软关机的基础上，对于终端的一触快速开机，目前还未提出有效的解决方案。发明内容[0004]为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种开关机电路。[0005]为了达到本发明目的，本发明提供了一种开关机电路，包括：PMOS管、开关、三极管、RC并联电路；其中，[0006]所述PMOS管的源极连接外部电