一种双面ITO产品的制作方法和双面ITO产品.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108491103A(43)申请公布日2018.09.04(21)申请号201810168762.0C23F1/26(2006.01)(22)申请日2018.02.28(71)申请人信利半导体有限公司地址516600广东省汕尾市东冲路北段工业区(72)发明人罗志猛(74)专利代理机构广州粤高专利商标代理有限公司44102代理人邓义华陈卫(51)Int.Cl.G06F3/041(2006.01)G06F3/044(2006.01)H01B13/00(2006.01)C23F1/02(2006.01)C23F1/16(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种双面ITO产品的制作方法和双面ITO产品(57)摘要本发明公开了一种双面ITO产品的制作方法和双面ITO产品。该制作方法包括：步骤1：提供一ITO基板：步骤2：对所述ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀，制作第一图案，形成第一ITO功能层；步骤3：在所述第一ITO功能层上制作Mo合金层，在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层；步骤4：采用ITO刻蚀液对所述第二ITO层进行刻蚀，制作第二图案，形成第二ITO功能层；步骤5：采用Mo刻蚀液去除所述Mo合金层。该制作方法不会在ITO功能层上残留保护材料，也能够防止ITO图案被划伤等问题，还有利于工艺的自动化和高世代产线的量产。CN108491103ACN108491103A权利要求书1/1页1.一种双面ITO产品的制作方法，其特征在于，包括：步骤1：提供一ITO基板：步骤2：对所述ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀，制作第一图案，形成第一ITO功能层；步骤3：在所述第一ITO功能层上制作Mo合金层，在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层；步骤4：采用ITO刻蚀液对所述第二ITO层进行刻蚀，制作第二图案，形成第二ITO功能层；步骤5：采用Mo刻蚀液去除所述Mo合金层。2.根据权利要求1所述的双面ITO产品的制作方法，其特征在于，步骤4中还包括：在所述第二ITO功能层上依次制作绝缘层和第三ITO层，采用ITO刻蚀液对所述第三ITO层进行刻蚀，制作第三图案，形成第三ITO功能层。3.根据权利要求2所述的双面ITO产品的制作方法，其特征在于，所述第三ITO层的厚度小于500Å。4.根据权利要求1-3中任一所述的双面ITO产品的制作方法，其特征在于，在步骤2中，也采用ITO蚀刻液对所述第一ITO层进行刻蚀。5.根据权利要求1-3中任一所述的双面ITO产品的制作方法，其特征在于，所述Mo合金层中Mo的质量百分比为80%-95%。6.根据权利要求1-3中任一所述的双面ITO产品的制作方法，其特征在于，所述Mo合金层的厚度为400-3000Å。7.根据权利要求1-3中任一所述的双面ITO产品的制作方法，其特征在于，所述第一ITO层的厚度为800~2200Å，和/或，所述第二ITO层的厚度小于500Å。8.根据权利要求1-3中任一所述的双面ITO产品的制作方法，其特征在于，步骤5中，所述Mo刻蚀液为包括HNO3、CH3COOH和H3PO4的混合液。9.根据权利要求1-3中任一所述的双面ITO产品的制作方法，其特征在于，所述ITO刻蚀夜为包括HNO3、HCL和H2O的混合液，其中，HCL的质量浓度为36～38%，HNO3的质量浓度为65～68%；所述ITO蚀刻液的温度为25~50℃。10.一种双面ITO产品，其特征在于，采用权利要求1-9中任一所述的双面ITO产品的制作方法获得。2CN108491103A说明书1/3页一种双面ITO产品的制作方法和双面ITO产品技术领域[0001]本发明涉及ITO刻蚀领域，尤其涉及一种双面ITO产品的制作方法和双面ITO产品。背景技术[0002]电容式触摸屏（CTP）或LCDONCELL常常需要在基板的正反两面上分别制作ITO功能层，在刻蚀其中一面的ITO图案时，需要将另一面的ITO图案保护起来，常用的保护方法是在ITO图案上丝印蓝膜、粘贴PET膜或沉积无机SiOx膜。对于前两种方法，虽然设备和制程都相对简单，但容易产生残胶、ITO图案被划伤等问题，且在蚀刻完双面ITO图案之后需要手动撕掉保护膜，因而不利于工艺的自动化和高世代产线的量产；对于后一种方法，虽然结构成熟、ITO引线保护的可靠性好，但制程难度大、且容易产生专利冲突。发明内容[0003]为了解决上述现有技术的不足，本发明提供一种双面ITO产品的制作方法和双面ITO产品。该制作方法不会在ITO功能层上残留保护材料，也能够防止ITO图案被划伤等问题，还有利于工艺的自动化和高世代产线的量产。[0004]本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：一种双