一种纳米压印后残留紫外固化胶的清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108732874A(43)申请公布日2018.11.02(21)申请号201710257354.8(22)申请日2017.04.19(71)申请人蓝思科技（长沙）有限公司地址410100湖南省长沙市经济技术开发区漓湘路99号(72)发明人饶桥兵刘华玉(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人赵青朵(51)Int.Cl.G03F7/30(2006.01)G03F7/32(2006.01)G03F7/40(2006.01)G03F7/00(2006.01)权利要求书1页说明书7页(54)发明名称一种纳米压印后残留紫外固化胶的清洗方法(57)摘要本发明提供了一种纳米压印后残留未固化UV胶基材的清洗方法，包括以下步骤：将附着有纳米压印后残留未固化UV胶的基材依次进行晃洗、浸洗和超声清洗，得到清洗后的具有纳米压印结构的基材；晃洗采用的清洗剂为pH值为9.5的清洗剂和pH值为6.0的清洗剂的混合物；浸洗采用的药剂为水或pH值为6～8的水基清洗剂；超声清洗的超声波电流为0～0.5A。该清洗方法采用的清洗剂清洗易操作、安全环保，能提高清洗安全性和清洗效率，且满足清洗后产品的性能和洁净度；该工艺易量产化，易于实现工业化。该方法清洗后的基材外观洁净度良率为90.3～97.2％；外观干涉检测良率为75～78.85％；透光率为95.02～95.48％。CN108732874ACN108732874A权利要求书1/1页1.一种纳米压印后残留未固化UV胶的清洗方法，包括以下步骤：将附着有纳米压印后残留未固化UV胶的基材依次进行晃洗、浸洗和超声清洗，得到清洗后的具有纳米压印结构的基材；所述晃洗采用的清洗剂为pH值为9.5的清洗剂和pH值为6.0的清洗剂的混合物；所述浸洗采用的药剂为水或pH值为6～8的水基清洗剂；所述超声清洗的超声波电流为0～0.5A。2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述晃洗的温度为40～50℃；晃洗的时间为4～5min。3.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述浸洗的温度为40～50℃；所述浸洗的时间为60～160s。4.根据权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述pH值为9.5的清洗剂和pH值为6.0的清洗剂的体积比为1：2～3。5.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述晃洗的温度为45℃；晃洗的时间为4.5min。6.根据权利要求5所述的清洗方法，其特征在于，所述浸洗的温度为50℃；所述浸洗的时间为80s。7.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述超声清洗的温度为40～50℃；所述超声清洗的时间为60～360s；超声清洗时超声波频率为27～29KHz。8.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述超声清洗后还包括烘烤。9.根据权利要求8所述的清洗方法，其特征在于，所述烘烤的温度为90～110℃；所述烘烤的时间为80～300s。10.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述附着有纳米压印后残留未固化UV胶的基材由以下方法制得：将基材采用定位膜定位，定位膜和基材的非纳米压印面接触，然后对基材的待纳米压印面进行等离子清洗，待纳米压印；将所述压印面的视窗区点UV胶，覆盖纳米压印软膜和掩模板后转印曝光，得到曝光后的具有纳米压印结构和残留未固化UV胶的基材；将曝光后的基材从定位膜上分离，得到附着有纳米压印后残留未固化UV胶的基材。2CN108732874A说明书1/7页一种纳米压印后残留紫外固化胶的清洗方法技术领域[0001]本发明涉及纳米压印清洗技术领域，尤其涉及一种纳米压印后残留紫外固化胶的清洗方法。背景技术[0002]纳米压印技术是一种全新的纳米结构制备技术，具有分辨率高、效率高、成本低的优点，它为半导体器件制作提供了一个新的解决方案。随着半导体业朝着不断缩小特征尺寸方向发展，随之而来的技术进步导致了设备的成本以指数增长。由于成本的增长，人们对纳米压印光刻这一低成本图形转移技术的关注越来越多。[0003]纳米压印原理是通过紫外线光固化UV胶转印将软膜上的纳米级蛾眼结构转印到玻璃视窗区，达到增加视窗区透光率的效果，代替传统AR镀膜技术。[0004]目前市面上针对纳米技术未固化的UV残胶主要采用醇类溶剂进行清洗，例如正丁醇、乙醇等。但是用醇类溶剂闪点低，易燃、易爆，清洗危险系数高，无法安全生产，不能用清洗机清洗，造成清洗效率低，无法批量生产。发明内容[0005]有鉴于此，本发明的目的在于提供一种纳米压印后残留紫外固化胶的清洗方法，该方法能提高清洗安全性，清洗效率较高，且满足清洗后产品的性能和洁净度。[0006]本发明提供了一种纳米压印后残留紫外固化胶的清洗方法，包括以下步骤：[0007]将附着有