一种高电源抑制比的带隙基准源.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108958348A(43)申请公布日2018.12.07(21)申请号201810915216.9(22)申请日2018.08.13(71)申请人电子科技大学地址611731四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号(72)发明人明鑫胡黎冯旭东潘溯张春奇王卓张波(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232代理人葛启函(51)Int.Cl.G05F1/575(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图3页(54)发明名称一种高电源抑制比的带隙基准源(57)摘要一种高电源抑制比的带隙基准源，属于电子电路技术领域。包括电源自偏置模块、启动模块、带隙基准核心模块和偏置模块，电源自偏置电路将电源电压通过第七NMOS管转换为第一电源轨信号作为偏置模块的电源轨，启动模块和电源自偏置模块一起为偏置模块建立偏置，偏置模块为带隙基准核心模块提供偏置；启动电路的第二开关管和第三开关管在电源建立的时候工作防止整个电路停留在零状态，在电路进入正常工作状态之后退出；启动电路中的电阻网络用于调整带隙基准核心模块的负温度系数电压，调整之后的负温度系数电压与带隙基准核心模块产生的正温度系数电压叠加产生基准电压。本发明具有更高的电源抑制能力、结构简单、精度高和稳定性高的特点。CN108958348ACN108958348A权利要求书1/2页1.一种高电源抑制比的带隙基准源，其特征在于，包括电源自偏置模块、启动模块、带隙基准核心模块和偏置模块，所述电源自偏置模块包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第七NMOS管(MNH1)和第一开关管，电源电压(VDD)通过第一电阻(R1)和第二电阻(R2)的串联结构后产生第七NMOS管(MNH1)的栅极偏置信号连接第七NMOS管(MNH1)的栅极并通过第一电容(C1)后接地(GND)；第七NMOS管(MNH1)的漏极连接电源电压(VDD)，其源极输出第一电源轨信号(VDD1)作为所述偏置模块的电源轨；第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)和第三PMOS管(MP3)接成二极管连接形式并依次串联，第六NMOS管(MNH1)的栅极偏置信号经过第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)和第三PMOS管(MP3)的串联结构再流经第一开关管后接地(GND)；第二电容(C2)接在第一开关管的控制端和地(GND)之间；所述启动模块包括第二开关管和第三开关管以及包括第三电阻(R3)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第八电阻(R8)、第九电阻(R9)和第十电阻(R10)的电阻网络，第二开关管和第三开关管分别与第一开关管构成电流镜，在上电阶段导通第二开关管和第三开关管从而产生第一启动信号和第二启动信号，上电完成后关断第二开关管和第三开关管；第三电阻(R3)的一端连接所述第二启动信号，其另一端连接第五电阻(R5)的一端并作为所述电阻网络的输入端；第六电阻(R6)的一端连接第五电阻(R5)的另一端和所述第一启动信号，其另一端连接第七电阻(R7)的一端和第八电阻(R8)的一端；第九电阻(R9)的一端连接第十电阻(R10)的一端、第七电阻(R7)的另一端和第八电阻(R8)的另一端，其另一端连接第十电阻(R10)的另一端并接地(GND)；所述电源自偏置模块和所述启动模块为所述偏置模块建立偏置，所述偏置模块为所述带隙基准核心模块提供偏置；所述带隙基准核心模块用于产生正温度系数电压和负温度系数电流，所述负温度系数电流连接所述电阻网络的输入端并在所述电阻网络上产生负温度系数电压，所述负温度系数电压与所述正温度系数电压叠加产生基准电压(VREF)。2.根据权利要求1所述的高电源抑制比的带隙基准源，其特征在于，所述第七NMOS管(MNH1)为耐压管。3.根据权利要求1所述的高电源抑制比的带隙基准源，其特征在于，所述偏置模块包括第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第十一PMOS管(MP11)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第六NPN型三极管(NPN6)、第十一电阻(R11)、第十二电阻(R12)和第十三电阻(R13)，第四PMOS管(MP4)的源极连接第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)和第十一PMOS管(MP11)的源极并连接所述第一电源轨信号(VDD1)，其漏极连接第七NMOS管(MNH1)的栅极偏置信号经过第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)和第三PMOS管(MP3