一种CMP复合沟槽抛光垫.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108994723A(43)申请公布日2018.12.14(21)申请号201810875035.8(22)申请日2018.08.03(71)申请人成都时代立夫科技有限公司地址610200四川省成都市双流西南航空港经济开发区物联网产业园区内(72)发明人但文涛张莉娟(74)专利代理机构成都弘毅天承知识产权代理有限公司51230代理人蒋秀清李春芳(51)Int.Cl.B24B37/26(2012.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种CMP复合沟槽抛光垫(57)摘要本发明公开了一种CMP复合沟槽抛光垫，包括抛光垫基材和设在抛光垫基材中间的旋转中心，还包括抛光垫基材上开有的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽首尾相连通构成花瓣仿生的复合沟槽。所述第一沟槽是由至少2条沿抛光垫基材的径向分布且以旋转中心为起点、以抛光垫基材的边缘为终点的半圆形曲线组成的正螺旋对数状沟槽。所述第二沟槽是由至少2条沿抛光垫基材的径向分布且以旋转中心为起点、以抛光垫基材的边缘为终点的反向半圆形曲线组成的负螺旋对数状沟槽。构成的花瓣仿生的复合沟槽，使抛光液运送分布均匀，提高对晶圆的抛光去除速率，延长抛光液的驻留时间及方便废抛光液排出，在工作时沟槽不会出现堵塞。CN108994723ACN108994723A权利要求书1/1页1.一种CMP复合沟槽抛光垫，包括抛光垫基材(1)和设在抛光垫基材(1)中间的旋转中心(101)，其特征在于，还包括抛光垫基材(1)上开有的第一沟槽(2)、第二沟槽(3)和第三沟槽(4)，所述第一沟槽(2)和第二沟槽(3)首尾相连通构成花瓣仿生的复合沟槽。2.根据权利要求1所述的一种CMP复合沟槽抛光垫，其特征在于，所述第一沟槽(2)是由至少2条沿抛光垫基材(1)的径向分布且以旋转中心(101)为起点，以抛光垫基材(1)的边缘为终点的半圆形曲线组成的正螺旋对数状沟槽。3.根据权利要求2所述的一种CMP复合沟槽抛光垫，其特征在于，所述第一沟槽(2)是包含有2～8条正螺旋对数状沟槽。4.根据权利要求1所述的一种CMP复合沟槽抛光垫，其特征在于，所述第二沟槽(3)是由至少2条沿抛光垫基材(1)的径向分布且以旋转中心(101)为起点、以抛光垫基材(1)的边缘为终点的反向半圆形曲线组成的负螺旋对数状沟槽。5.根据权利要求4所述的一种CMP复合沟槽抛光垫，其特征在于，所述第二沟槽(3)是包含有2～8条负螺旋对数状沟槽。6.根据权利要求1、2或4任一项所述的一种CMP复合沟槽抛光垫，其特征在于，所述第一沟槽(2)、第二沟槽(3)和第三沟槽(4)开设为0～150°角度。7.根据权利要求1、2或4任一项所述的一种CMP复合沟槽抛光垫，其特征在于，所述第一沟槽(2)、第二沟槽(3)和第三沟槽(4)开设为0.2～2.0mm宽度。8.根据权利要求1、2或4任一项所述的一种CMP复合沟槽抛光垫，其特征在于，所述第一沟槽(2)、第二沟槽(3)和第三沟槽(4)开设为0.5～2.5mm深度。9.根据权利要求1～5任一项所述的一种CMP复合沟槽抛光垫，其特征在于，所述第三沟槽(4)是以旋转中心(101)为圆心的至少2个同心圆环状沟槽。2CN108994723A说明书1/3页一种CMP复合沟槽抛光垫技术领域[0001]本发明涉及化学机械抛光(CMP)领域，具体为一种CMP复合沟槽抛光垫。背景技术[0002]化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing,CMP)是将机械研磨作用和化学氧化作用结合来去除被加工工件表面材料的一种微纳米加工技术，该技术可以使被加工工件表面超平坦、超光滑，主要应用于IC和MEMS制造领域。在CMP时，旋转的晶片被压在旋转的抛光垫上，含有磨粒和化学品的抛光液在晶片和抛光垫之间流动，晶片表面材料在抛光液中化学品的化学作用和磨粒、抛光垫的机械作用下被不断去除。抛光垫在CMP过程中起着非常重要的作用，一个完整的抛光垫从上到下的组成是基材、背胶、衬底，基材就是与晶片接触的部分，主要起磨抛作用，背胶将基材和衬底贴合在一起，衬底主要起支撑作用。为了保证抛光液在基材上有充分的作用时间，通常会在基材上雕刻出沟槽以贮存抛光液，而抛光垫基材上沟槽的形状及尺寸直接影响到抛光区域抛光液的运送、均匀分布、驻留时间以及新旧抛光液的混合效率等，另外抛光效果受到晶片与抛光垫之间的相对速度、表面接触压力以及表面摩擦力等因素的影响，而这些因素都与抛光垫基材上的沟槽形状有关。[0003]目前，现有的抛光垫基材上的沟槽形状以较为单一的圆环状为主，对晶圆的抛光去除速率较低，对抛光液的运送及均匀分布能力较低。发明内容[0004]本发明的目的在于：针对上述现有抛光