一种聚醚酮酮（PEKK）膜材料的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109206644A(43)申请公布日2019.01.15(21)申请号201811029652.2(22)申请日2018.09.05(71)申请人张家港祥成医用材料科技有限公司地址215600江苏省苏州市张家港保税区新兴产业育成中心A栋309B室(72)发明人马忠实宣正伟袁飞(51)Int.Cl.C08J5/18(2006.01)C08L73/00(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称一种聚醚酮酮（PEKK）膜材料的制备方法(57)摘要本发明涉及一种聚醚酮酮（PEKK）膜材料的制备方法，属于高分子材料技术领域，其制备步骤包括：（a）将合成的PEKK粉末分散于N-甲基吡咯烷酮（NMP）中，在100℃以上搅拌使其快速溶解；（b）将溶解液平铺在干净的玻璃板上，置于100℃以上的烘箱中使溶剂挥发，然后在150℃以上的真空干燥箱中除去溶剂残留；（c）在300℃以上热处理得到PEKK膜。本发明只使用一种普通溶剂NMP且制膜工艺简单，得到的PEKK膜材料具有优异的力学性能。CN109206644ACN109206644A权利要求书1/1页1.一种聚醚酮酮（PEKK）膜材料的制备方法，其特征是，（a）将合成的PEKK粉末分散于N-甲基吡咯烷酮（NMP）中，在100℃以上搅拌使其快速溶解；（b）将溶解液平铺在干净的玻璃板上，置于100℃以上的烘箱中使溶剂挥发，然后在150℃以上的真空干燥箱中除去溶剂残留；（c）在300℃以上热处理得到PEKK膜。2.根据权利要求1所述的PEKK膜材料的制备方法，其特征是，PEKK由对苯二甲酰氯（TPC）、间苯二甲酰氯（IPC）、二苯醚等单体合成。3.根据权利要求1所述的PEKK膜材料的制备方法，其特征是，TPC和IPC的比例为TPC占30-70%。4.根据权利要求1所述的PEKK膜材料的制备方法，其特征是，溶解温度为100-200℃，优选温度为120-160℃。5.根据权利要求1所述的PEKK膜材料的制备方法，烘箱干燥温度为120-150℃，真空干燥箱温度为150-200℃，热处理温度为300-380℃。6.根据权利要求1所述的PEKK膜材料的制备方法，其特征是，PEKK的浓度为1-10%（w/v）。2CN109206644A说明书1/2页一种聚醚酮酮（PEKK）膜材料的制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种聚醚酮酮（PEKK）膜材料的制备方法，属于高分子材料技术领域。[0002]背景技术[0003]聚醚酮酮是特种工程塑料聚芳醚酮系列之一，是近年来发展迅速的新型热塑性工程塑料，PEKK分子结构中有刚性的重复单元，使其具有较高的结晶度和优异的热力学性能，它的熔融温度(Tm)为338-384℃（取决于合成路线）。此外，PEKK具有优异的机械性能、抗辐射、阻燃性和耐溶剂抗化学腐蚀性等。除浓硫酸、三氟乙酸、二氯乙酸等极少数强酸性试剂外，不溶于有机溶剂和普通酸碱溶液。由于具有难熔和难溶的特性，制备加工聚醚酮酮的膜材料比较困难。[0004]专利CN102120873A公开了一种双向拉伸聚芳醚酮薄膜的制备方法，在360-390℃熔融挤出，拉伸热定型处理得到聚芳醚酮薄膜。[0005]专利CN103562268B公开了卤化有机酸混合溶剂如二氯乙酸/二氯甲烷共混溶剂，以及芳香族溶剂如4-氯-苯酚/4-氯-3甲酚等共混溶剂对聚（芳基酮）聚合物的溶解与成膜方法。[0006]目前，制备PEKK膜材料的方法鲜有报道。本发明选用单一溶剂NMP，加热溶解速率快，通过多次热处理制备PEKK膜材料，制备工艺简单，该制备方法目前尚未见报道。[0007]发明内容[0008]本发明的目的是提供一种聚醚酮酮（PEKK）膜材料的制备方法。[0009]本发明是通过如下技术方案来实现：（a）将合成的PEKK粉末分散于N-甲基吡咯烷酮（NMP）中，在100℃以上搅拌使其快速溶解；（b）将溶解液平铺在干净的玻璃板上，置于100℃以上的烘箱中使溶剂挥发，然后在150℃以上的真空干燥箱中除去溶剂残留；（c）在300℃以上热处理得到PEKK膜。[0010]在本发明中，所述PEKK由对苯二甲酰氯（TPC）、间苯二甲酰氯（IPC）、二苯醚等单体合成。[0011]在本发明中，所述PEKK中TPC和IPC的比例为TPC占30-70%。[0012]在本发明中，所述溶解温度为100-200℃，优选温度为120-160℃。在本发明中，所述烘箱干燥温度为120-150℃，真空干燥箱温度为150-200℃，热处理温度为300-380℃。[0013]在本发明中，所述PEKK的浓度为1-10%（w/v）。3CN109206644A说明书2/2页[0014]附图说明[0015]图1为