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一种半导体器件及其制作方法.pdf
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是雁****找我
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本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括若干芯片以及设置在相邻芯片之间的切割道，其中所述切割道包括自下而上的蜂窝状结构，所述蜂窝状结构由多层绝缘层和形成于所述绝缘层内的具有填充空洞的若干通孔结构组成；沿所述切割道对所述晶圆进行切割。根据本发明的制作方法，由于本发明的切割道包括蜂窝状结构，在切割过程中降低了机械应力，防止了芯片边缘由于机械应力而导致的裂缝问题的产生，保护了芯片的内部结构不受到裂缝的影响，进而提高了器件的良率和可靠性。
2023-06-22
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本公开提供了一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件制作方法包括：在半导体衬底(101)上形成的沟槽(112)的底部和壁形成第一隔离层(116)；在隔离层(116)上沉积半导体材料，形成屏蔽栅(SG)，通过光刻掩模保留半导体材料形成屏蔽栅(SG)的引出栅(DG)；在屏蔽栅(SG)之上形成第二隔离层(145)；在第二隔离层(145)上顺序形成控制栅(CG)和源极(S)；在形成高频半导体器件的情况下和形成可靠型半导体器件的情况下，分别将将引出栅(DG)与源极(S)接合、和与控制栅(CG)接合。本公开通过采用
2023-11-16
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一种半导体器件及其制作方法.pdf
本发明提供一种半导体器件及其制作方法，提供晶圆，在晶圆上形成阻挡层；在阻挡层上形成图案化的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，刻蚀去除部分厚度的阻挡层，剩余阻挡层作为保护层；利用光刻胶剥离工艺去除光刻胶层；在阻挡层上形成聚酰亚胺层；刻蚀去除保护层以露出晶圆表面的焊盘；对聚酰亚胺层执行固化处理。本发明通过在对阻挡层进行图案化处理时，对阻挡层不进行全部刻蚀，保留部分厚度的阻挡层作为保护层，在后续形成聚酰亚胺层显影时，避免了金属与显影液直接接触，完全避免了显影液对金属腐蚀发黑现象的产生，尤其对于再工事批次，大大提升了外
2023-11-05
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一种半导体器件及其制作方法.pdf
本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体器件包括：衬底；多个垂直沟道，设置在所述衬底上；多层栅极结构，堆叠在所述衬底上，且所述栅极结构环绕所述垂直沟道设置；多层源/漏连接层，堆叠在所述衬底上，所述源/漏连接层与所述栅极结构呈交叉堆叠；介质层，设置在所述衬底与相邻的所述源/漏连接层之间以及所述源/漏连接层与相邻的所述栅极结构之间；隔离沟槽，设置在部分所述栅极结构所在的层中，且所述隔离沟槽位于所述垂直沟道的两侧，并向所述垂直沟道内延伸；以及导电插塞，与所述源/漏连接层和所述栅极结
2023-05-31
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本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体器件包括：衬底；多个垂直沟道，设置在所述衬底上；多层栅极结构，堆叠在所述衬底上，且所述栅极结构环绕所述垂直沟道设置；多层源/漏连接层，堆叠在所述衬底上，所述源/漏连接层与所述栅极结构呈间隔堆叠；介质层，设置在所述衬底与相邻的所述源/漏连接层之间，以及所述源/漏连接层与相邻的所述栅极结构之间；以及导电插塞，与所述源/漏连接层和所述栅极结构连接。通过本发明提供的一种半导体器件及其制作方法，提高半导体器件的生产效率。
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