薄膜表面处理方法及薄膜表面处理设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109742015A(43)申请公布日2019.05.10(21)申请号201910014948.5(22)申请日2019.01.08(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人成都京东方光电科技有限公司(72)发明人邓治国王振晏熙郭昭李发业黄超刘杰刘岩李显杰(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291代理人郭润湘(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图2页(54)发明名称薄膜表面处理方法及薄膜表面处理设备(57)摘要本发明公开了一种薄膜表面处理方法及薄膜表面处理设备，通过采用氢氟酸对薄膜表面进行刻蚀处理，可以将薄膜表面具有的物质刻蚀掉。采用清洗溶液对经过刻蚀处理后的薄膜表面的氢氟酸进行清洗处理，以去除薄膜表面残留的氢氟酸，可以避免残留的氢氟酸导致薄膜过度刻蚀的情况。这样采用臭氧水对经过清洗处理后的薄膜表面进行氧化处理，可以使薄膜表面形成致密且均匀的氧化层。从而在进行ELA工艺时，可以提高ELA工艺效果。CN109742015ACN109742015A权利要求书1/2页1.一种薄膜表面处理方法，其特征在于，包括：采用氢氟酸对所述薄膜表面进行刻蚀处理；采用清洗溶液对经过所述刻蚀处理后的薄膜表面的氢氟酸进行清洗处理；采用臭氧水对经过所述清洗处理后的薄膜表面进行氧化处理，使所述薄膜表面形成氧化层。2.如权利要求1所述的薄膜表面处理方法，其特征在于，在进行刻蚀处理之后，且进行清洗处理之前，还包括：采用化学性质不活泼的气体对经过所述刻蚀处理后的薄膜表面进行干燥处理；和/或，在进行清洗处理后，且进行氧化处理之前，还包括：采用化学性质不活泼的气体对经过所述清洗处理后的薄膜表面进行干燥处理。3.如权利要求1或2所述的薄膜表面处理方法，其特征在于，所述清洗溶液包括水溶液。4.如权利要求1或2所述的薄膜表面处理方法，其特征在于，在所述采用氢氟酸对所述薄膜表面进行刻蚀处理之前，还包括：采用所述臭氧水对所述薄膜表面的杂质进行去除处理。5.一种薄膜表面处理设备，其特征在于，包括：氢氟酸刻蚀腔室、氢氟酸清洗腔室、臭氧氧化腔室以及承载基台；其中，所述氢氟酸刻蚀腔室的出口与所述氢氟酸清洗腔室的入口连接，所述氢氟酸清洗腔室的出口与所述臭氧氧化腔室的入口连接，所述承载基台贯穿所述氢氟酸刻蚀腔室及其出口、贯穿所述氢氟酸清洗腔室及其入口和出口，以及贯穿所述臭氧氧化腔室及其入口；所述承载基台用于承载形成有所述薄膜的衬底基板；所述氢氟酸刻蚀腔室用于采用氢氟酸对所述薄膜表面进行刻蚀处理；所述氢氟酸清洗腔室用于采用清洗溶液对经过所述刻蚀处理后的薄膜表面的氢氟酸进行清洗处理；所述臭氧氧化腔室用于采用臭氧水对经过所述清洗处理后的薄膜表面进行氧化处理，使所述薄膜表面形成氧化层。6.如权利要求5所述的薄膜表面处理设备，其特征在于，所述氢氟酸刻蚀腔室的出口与所述氢氟酸清洗腔室的入口通过第一气刀和第一挡板连接；其中，所述第一气刀位于所述承载基台设置所述薄膜的一侧，所述第一挡板位于所述承载基台背离所述薄膜的一侧；所述第一气刀用于吹出第一预设压力的化学性质不活泼的气体，将所述氢氟酸刻蚀腔室和所述氢氟酸清洗腔室分隔开，以及对经过所述氢氟酸刻蚀处理后的薄膜表面进行干燥处理。7.如权利要求6所述的薄膜表面处理设备，其特征在于，所述第一气刀吹出的气体的方向与垂直于所述承载基台的方向之间具有第一预设夹角，以使所述第一气刀吹出的气体向所述氢氟酸刻蚀腔室倾斜。8.如权利要求5所述的薄膜表面处理设备，其特征在于，所述氢氟酸清洗腔室的出口与所述臭氧氧化腔室的入口通过第二气刀和第二挡板连接；其中，所述第二气刀位于所述承载基台设置所述薄膜的一侧，所述第二挡板位于所述承载基台背离所述薄膜的一侧；所述第二气刀用于吹出第二预设压力的化学性质不活泼的气体，将所述氢氟酸清洗腔室与所述臭氧氧化腔室分隔开，以及对经过清洗处理后的薄膜表面进行干燥处理。2CN109742015A权利要求书2/2页9.如权利要求8所述的薄膜表面处理设备，其特征在于，所述第二气刀包括：相互独立的第一子气刀和第二子气刀；所述第一子气刀靠近所述氢氟酸清洗腔室的出口设置，所述第二子气刀靠近所述臭氧氧化腔室的入口设置。10.如权利要求9所述的薄膜表面处理设备，其特征在于，所述第一子气刀吹出的气体的方向与垂直于所述承载基台的方向之间具有第二预设夹角，以使所述第一子气刀吹出的气体向所述氢氟酸清洗腔室倾斜；和/或，所述第二子气刀吹出的气体的方向与垂直于所述承载基台的方向之间具有第三预设夹角，以使所述第二子气刀吹出的气体向所述臭氧氧化腔室倾斜。3