基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109768355A(43)申请公布日2019.05.17(21)申请号201910193349.4(22)申请日2019.03.14(71)申请人金陵科技学院地址210000江苏省南京市江宁区弘景大道99号(72)发明人张金陈正宇李玉魁曹珂程任翔张冷(74)专利代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204代理人肖明芳(51)Int.Cl.H01P1/203(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图3页(54)发明名称基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器(57)摘要本发明公开了基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器，包括中间介质基板、正面单节阶跃阻抗谐振器、正面馈电线、背面接地金属、背面刻蚀在接地金属上的缺陷地结构。该滤波器的设计方法为：设计正面单节阶跃阻抗谐振器实现低通滤波特性，该低通滤波具有高的频率选择特性，再结合刻蚀在背面的缺陷地结构，利用缺陷地结构具有陷波的特性，通过合理设计缺陷地结构的尺寸和个数实现宽阻带并保留高的频率选择特性的低通滤波器。基于所述的单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构，可以设计出具有高的频率选择性、宽的阻带、体积小等性能优良的低通滤波器。CN109768355ACN109768355A权利要求书1/2页1.基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器，其特征在于，包括中间介质基板(1)、单节阶跃阻抗谐振器(2)、直线形微带馈电线(5)和背面接地金属(3)；所述中间介质基板(1)为矩形；所述单节阶跃阻抗谐振器(2)、直线形微带馈电线(5)位于中间介质基板(1)的上表面，所述背面接地金属(3)位于中间介质基板(1)的下表面，在背面接地金属(3)上刻蚀有缺陷地结构(4)。2.根据权利要求1所述的基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器，其特征在于，所述单节阶跃阻抗谐振器(2)为一段对称折叠的变化阻抗的谐振器，其两端为宽的结构，中间段为窄的结构，单节阶跃阻抗谐振器(2)呈U形弯曲后设置于中间介质基板(1)的上表面，并且单节阶跃阻抗谐振器(2)关于中间介质基板(1)短边的中心线对称。3.根据权利要求2所述的基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器，其特征在于，在单节阶跃阻抗谐振器(2)的中间段的左右两侧分别接有一根直线形微带馈线(5)，这两根直线形微带馈线(5)关于中间介质基板(1)短边的中心线对称；两根直线形微带馈线(5)将单节阶跃阻抗谐振器(2)中间段分割成两部分：与单节阶跃阻抗谐振器(2)两端宽的部分直接连接的部分为第一中间段(22)，与单节阶跃阻抗谐振器(2)两端宽的部分间接连接的部分为第二中间段(21)。4.根据权利要求3所述的基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器，其特征在于，所述直线形微带馈线(5)为矩形，其短边的中心线与中间介质基板(1)长边的中心线重合。5.根据权利要求4所述的基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器，其特征在于，所述缺陷地结构(4)为矩形，其长边与中间介质基板(1)的长边平行。6.根据权利要求5所述的基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器，其特征在于，所述缺陷地结构(4)有三个，中间的缺陷地结构(4)长度大于左右两边的缺陷地结构(4)，三个缺陷地结构(4)均以中间介质基板(1)上表面的直线形微带馈线(5)短边的中心线为对称线，分割成大小相同的上下两刻蚀空缺部分，并且这两空缺部分通过中间刻蚀的矩形槽相连，构成三个哑铃形缺陷地结构(4)。7.根据权利要求1所述的基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器，其特征在于，所述中间介质基板(1)的尺寸为：L×W×H＝20mm×13.8mm×0.5mm，L表示中间介质基板(1)的长度，W表示中间介质基板(1)的宽度，H表示中间介质基板(1)的高度。8.根据权利要求2～6任一项所述的基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器，其特征在于，所述单节阶跃阻抗谐振器(2)和直线形微带馈电线(5)的尺寸参数为：W1＝0.396mm，W2＝0.232mm，W3＝0.9mm，L1＝5.92mm，L2＝1mm，L3＝2.626mm，L4＝0.796mm，L5＝6.3mm，S＝0.19mm，其中，W1为直线形微带馈电线(5)的宽度，两根直线形微带馈电线(5)的长度均为L1；单节阶跃阻抗谐振器(2)两端宽的部分为两个矩形，该矩形宽度为W3，长度为L5，两个矩形相隔距离为S；W2为单节阶跃阻抗谐振器(2)中间段窄的部分的宽度；两根直线形微带馈线(5)将单节阶跃阻抗谐振器(2)中间段分割成两部分，其中下面的2CN109768355A权利要求书2/2页部分即与单节阶跃阻抗谐振器(