显示装置及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110571224A(43)申请公布日2019.12.13(21)申请号201910715570.1G09F9/33(2006.01)(22)申请日2019.08.05(71)申请人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号(72)发明人卢马才柳铭岗(74)专利代理机构深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300代理人黄威(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L25/16(2006.01)H01L33/62(2010.01)H01L21/84(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图4页(54)发明名称显示装置及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种显示装置及其制备方法，显示装置包括阵列基板，以及像素电极，设于阵列基板上，像素电极具有焊接区和非焊接区，其中像素电极包括透明导电氧化物层，形成于阵列基板上；第一金属电极层设于焊接区和非焊接区的透明导电氧化物层上；第二金属保护层设于非焊接区的第一金属电极层上；MicroLED芯片具有引脚,引脚对应的焊接在焊接区的第一金属电极层上。本发明提供一种显示装置及其制备方法，以解决金属电极层易与后续制程的有机溶剂或有机膜发生反应而出现残留或者缺失等问题，同时，仅保留焊接区的第一金属电极层，以提供MicroLED芯片焊接时的焊接连接点，不影响后续制程。CN110571224ACN110571224A权利要求书1/2页1.一种显示装置，其特征在于，包括阵列基板，以及像素电极，设于所述阵列基板上，所述像素电极具有焊接区和非焊接区，其中所述像素电极包括透明导电氧化物层，形成于所述阵列基板上；第一金属电极层，设于所述焊接区和所述非焊接区的所述透明导电氧化物层上；第二金属保护层，设于所述非焊接区的所述第一金属电极层上；MicroLED芯片，具有引脚，所述引脚对应的焊接在所述焊接区的所述第一金属电极层上。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述透明导电氧化物层所用材料为氧化铟锡、铝掺杂氧化锌、铟锌氧化物中的一种；所述第一金属电极层所用材料为铜；所述第二金属保护层所用材料为钼、钛及钼钛合金。3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述阵列基板包括基板；缓冲层，设于所述基板上；有源层，设于所述缓冲层上；栅极绝缘层，设于所述有源层上；栅极层，设于所述栅极绝缘层上；层间介质层，覆于所述栅极层、所述有源层及所述缓冲层上；源极和漏极和公共电极，设于所述层间介质层上；所述源极和所述漏极连接至所述有源层；平坦层，覆于所述源极、所述漏极及所述层间介质层上，所述像素电极设于所述平坦层上且连接至所述漏极和所述公共电极；像素限定层，设于所述非焊接区的所述第二金属保护层上。4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述源极和所述漏极为金属叠层结构或金属单层结构，所述金属叠层结构包括铜/钼叠层、铜/钼钛合金叠层、铜/钛叠层、铝/钼叠层中的一种，所述金属单层结构包括钼钛合金、铜铌合金中的一种。5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括封装层，用以封装所述MicroLED芯片。6.一种显示装置的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：制备阵列基板；形成透明导电氧化物层于所述阵列基板上；形成第一金属电极层于焊接区和非焊接区的所述透明导电氧化物层上；形成第二金属保护层于所述焊接区和所述非焊接区的所述第一金属电极层上；去除所述焊接区的第二金属保护层，所述透明导电氧化物层、所述第一金属电极层和所述第二金属保护层形成像素电极；提供MicroLED芯片，所述MicroLED芯片具有引脚，将所述MicroLED芯片通过所述引脚的焊接至所述焊接区的所述第一金属电极层上。2CN110571224A权利要求书2/2页7.根据权利要求6所述的显示装置的制备方法，其特征在于，在去除所述焊接区的第二金属保护层步骤之前，还包括沉积像素限定材料于所述阵列基板和整个所述第二金属保护层上；提供掩膜板，将掩膜板置于所述像素限定材料上方，并通过曝光显影法去除所述焊接区域所述像素限定材料，在所述非焊接区形成像素限定层。8.根据权利要求7所述的显示装置的制备方法，其特征在于，在去除所述焊接区的第二金属保护层步骤中，包括通过干刻蚀法去除所述焊接区的第二金属保护层。9.根据权利要求6所述的显示装置的制备方法，其特征在于，在制备阵列基板步骤中，包括提供一基板；沉积缓冲材料于所述基板上，形成缓冲层；沉积氧化物半导体材料于所述缓冲层上，图案化后形成有源层；沉积栅极绝缘材料于所述有源层上，图案化后形成栅极绝缘层；沉积金属材料于所述栅极绝缘层上，图案化后形成栅极层；沉积层间介质于所述栅极层、所述有源层和所