一种光刻胶涂布设备及涂布方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110874018A(43)申请公布日2020.03.10(21)申请号201811024986.0(22)申请日2018.09.04(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230000安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630(72)发明人不公告发明人(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219代理人余明伟(51)Int.Cl.G03F7/16(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图8页(54)发明名称一种光刻胶涂布设备及涂布方法(57)摘要本发明提供一种光刻胶涂布设备及涂布方法，所述光刻胶涂布设备包括工作台、边缘研磨模块及喷头模块；通过具有研磨槽的边缘研磨模块，对待研磨半导体衬底的边缘区域进行研磨，以去除位于待研磨半导体衬底的边缘区域的残留光刻胶；在边缘研磨模块进行研磨的同时，通过位于待研磨半导体衬底上方及下方的喷头模块喷涂清洗液，及时有效地去除研磨废料。防止位于半导体衬底边缘区域的光刻胶成为后续工艺中缺陷的产生源，从而提高产品良率。CN110874018ACN110874018A权利要求书1/2页1.一种光刻胶涂布设备，其特征在于，包括：工作台，用于吸附及旋转待研磨半导体衬底，且所述待研磨半导体衬底的边缘区域凸出于所述工作台的边缘；边缘研磨模块，所述边缘研磨模块包括研磨槽，所述研磨槽用以对所述边缘区域进行研磨；喷头模块，包括位于所述待研磨半导体衬底下方的第一喷头组件及位于所述待研磨半导体衬底上方的第二喷头组件，通过所述第一喷头组件及第二喷头组件用以向所述待研磨半导体衬底喷涂清洗液。2.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备，其特征在于：所述边缘研磨模块包括旋转边缘研磨模块及固定边缘研磨模块中的一种或组合。3.根据权利要求2所述的光刻胶涂布设备，其特征在于：当所述边缘研磨模块采用所述旋转边缘研磨模块时，所述研磨槽包括环形研磨槽。4.根据权利要求2所述的光刻胶涂布设备，其特征在于：当所述边缘研磨模块采用所述旋转边缘研磨模块时，所述旋转边缘研磨模块的旋转方向与所述待研磨半导体衬底的旋转方向包括相反及相同中的一种或组合。5.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备，其特征在于：所述边缘研磨模块还包括驱动件。6.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备，其特征在于：所述研磨槽的表面包括由平面及曲面所围成的形貌中的一种或组合。7.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备，其特征在于：所述研磨槽的表面包括第一研磨侧面、研磨底面及第二研磨侧面，所述第一研磨侧面及第二研磨侧面形成的所述研磨槽的开口的高度大于所述研磨槽的底面的高度。8.根据权利要求7所述的光刻胶涂布设备，其特征在于：所述第二研磨侧面与所述第一研磨侧面在水平方向上的投影面积不等。9.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备，其特征在于：所述研磨槽的截面形貌包括等腰梯形。10.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备，其特征在于：所述研磨槽具有预设深度，且所述预设深度的范围包括0.2mm～10mm。11.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备，其特征在于：所述研磨槽的开口的高度的范围包括0.6mm～20mm。12.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备，其特征在于：所述研磨槽的底面的高度的范围包括0.3mm～10mm。13.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备，其特征在于：所述边缘研磨模块沿所述研磨槽的对称轴呈轴对称，所述边缘研磨模块在水平方向上的投影的形貌包括直径范围为1mm～30mm的圆形。14.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备，其特征在于：所述第二喷头组件位于所述待研磨半导体衬底的上方，喷涂的所述清洗液覆盖所述待研磨半导体衬底的上表面；所述第一喷头组件与所述待研磨半导体衬底的背面具有预设夹角，喷涂的所述清洗液覆盖所述边缘区域的背面。2CN110874018A权利要求书2/2页15.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备，其特征在于：所述边缘研磨模块包括Al2O3边缘研磨模块。16.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备，其特征在于：所述光刻胶涂布设备还包括背面处理模块，所述背面处理模块与所述待研磨半导体衬底的背面在预设范围内相接触，用于清洗所述待研磨半导体衬底的背面。17.根据权利要求16所述的光刻胶涂布设备，其特征在于：所述背面处理模块包括移动刮刷及固定刮刷中的一种或组合。18.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备，其特征在于：所述光刻胶涂布设备还包括收集槽，所述收集槽用于收集所述清洗液，且所述收集槽的底部包括排液通道。19.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备，其特征在于：所述清洗液包括OK73、PGMEA、PGME及去离子水中的一种或组合。20.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备，其特征在于：所述待研磨半导体衬底自