一种清洗装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111014169A(43)申请公布日2020.04.17(21)申请号201911301459.4(22)申请日2019.12.17(71)申请人西安奕斯伟硅片技术有限公司地址710065陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室(72)发明人李在桓史进(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人许静胡影(51)Int.Cl.B08B3/12(2006.01)B08B9/093(2006.01)B08B13/00(2006.01)B08B3/02(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图5页(54)发明名称一种清洗装置(57)摘要本发明提供一种清洗装置，包括：清洗槽；清洗管，清洗管上设有多个喷水孔；支撑座，支撑座设在清洗槽的外部，支撑座内限定有容纳腔，清洗管在容纳腔的内部和外部之间可移动，清洗管位于容纳腔的外部时，清洗管可在第一位置与第二位置之间枢转活动，第一位置位于清洗槽的外部，第二位置位于清洗槽的内部。该清洗装置中的清洗管从容纳腔移出后能够清洗硅片，通过清洗管的枢转能对清洗槽的内壁进行清洗，能够高效清除残留在清洗槽内壁的异物，防止内壁上的异物对硅片造成污染，清洗后清洗管能够收纳于容纳腔中且位于清洗槽的外部，避免占用清洗槽的内部空间，避免外部对清洗管造成污染或损坏。CN111014169ACN111014169A权利要求书1/1页1.一种清洗装置，其特征在于，包括：清洗槽；清洗管，所述清洗管上设有多个喷水孔；支撑座，所述支撑座设在所述清洗槽的外部，所述支撑座内限定有容纳腔，所述清洗管在所述容纳腔的内部和外部之间可移动，所述清洗管位于所述容纳腔的外部时，所述清洗管可在第一位置与第二位置之间枢转活动，所述第一位置位于所述清洗槽的外部，所述第二位置位于所述清洗槽的内部。2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，还包括：第一驱动结构，所述第一驱动结构设在所述容纳腔内以驱动所述清洗管在所述容纳腔的内部和外部之间移动，所述清洗管的一端与所述第一驱动结构枢转相连。3.根据权利要求2所述的清洗装置，其特征在于，还包括：第二驱动结构，所述第二驱动结构设在所述第一驱动结构上，所述第二驱动结构与所述清洗管的一端相连以驱动所述清洗管枢转。4.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗管的侧壁上和所述清洗管的远离所述支撑座的一端端面上分别设有多个所述喷水孔。5.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗管可伸缩。6.根据权利要求5所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗管包括：多个套管，每个所述套管的侧壁上分别设有多个所述喷水孔，多个所述套管套接，在最外层所述套管的内部，每个所述套管相对于与其相邻的外层套管可移动，处于最内层的所述套管的远离所述支撑座的一端端面设有多个所述喷水孔。7.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，还包括：供水管，所述供水管的一端与所述清洗管的邻近所述支撑座的一端连通；排水管，所述清洗槽的底部设有排水孔，所述排水管的一端与所述排水孔联通。8.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，还包括：用于承载晶圆的支架，所述支架设在所述清洗槽中。9.根据权利要求8所述的清洗装置，其特征在于，所述支架包括两个相互平行的支撑杆，所述支撑杆与所述清洗槽的底部和内侧壁间隔开设置。10.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，还包括：超声槽，所述清洗槽设置于所述超声槽中。2CN111014169A说明书1/5页一种清洗装置技术领域[0001]本发明涉及硅片技术领域，具体涉及一种清洗装置。背景技术[0002]在硅片加工过程中，由于硅片或外部环境的原因可能会产生颗粒和不纯物等各种异物污染硅片表面，导致半导体元件品质下降，为了去除异物利用硅片清洗装置进行清洗、冲洗。在清洗和冲洗工序中，按一定次数使用的清洁液或冲洗液通过清洁槽下面的排水管道向外排出，清洗槽内部必须填满无污染的新清洁液或冲洗液，清洁液或冲洗液在向清洁槽下部排水的过程中，异物不会被完全清除，残留在清洗槽的内壁上粘连在一起，即使填充了新的清洁液或冲洗液，异物也会再次残留在清洁剂内部造成硅片污染，使得硅片的清洗不彻底，影响硅片的质量。发明内容[0003]有鉴于此，本发明提供一种清洗装置，用以解决清洗硅片时异物残留在清洗槽的内壁上，内壁上的异物会造成硅片污染，使得硅片的清洗不彻底，影响硅片的质量。[0004]为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：[0005]根据本发明实施例的清洗装置，包括：[0006]清洗槽；[0007]清洗管，所述清洗管上设有多个喷水孔；[0008]支撑座，所述支撑座设在所述清洗槽的外部，所述支撑座内限定有