功率半导体装置及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111052584A(43)申请公布日2020.04.21(21)申请号201880054762.6(74)专利代理机构上海华诚知识产权代理有限(22)申请日2018.07.09公司31300代理人肖华(30)优先权数据2017-1649942017.08.30JP(51)Int.Cl.H02M7/48(2007.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L23/28(2006.01)2020.02.24H01L23/29(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01L23/48(2006.01)PCT/JP2018/0258132018.07.09H01L25/07(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据H01L25/18(2006.01)WO2019/044177JA2019.03.07(71)申请人日立汽车系统株式会社地址日本茨城县(72)发明人久保木誉河原敬二金野雄志权利要求书2页说明书5页附图14页(54)发明名称功率半导体装置及其制造方法(57)摘要本发明的课题在于抑制功率半导体装置的散热性能的降低并提高生产率。本发明的功率半导体装置的制造方法涉及的功率半导体装置具备：导电构件，其具有第1表面以及设置在该第1表面的相反侧的第2表面；以及功率半导体元件，其经由接合材料与所述导电构件连接，该功率半导体装置的制造方法包括：第1工序，以如下方式冲压该导体构件：按压所述第1表面的一部分并保留与该第1表面齐平的部分而形成凹部，在所述第2表面形成凸部；第2工序，将所述功率半导体元件配置在所述凸部的顶面，且配置成与所述第1表面的所述凹部以及未形成该凹部的部分相对，并经由所述接合材料连接该凸部与所述功率半导体元件；以及第3工序，所述至少在所述凹部中填充密封材料。CN111052584ACN111052584A权利要求书1/2页1.一种功率半导体装置的制造方法，该功率半导体装置具备：导电构件，其具有第1表面以及设置在该第1表面的相反侧的第2表面；以及功率半导体元件，其经由接合材料与所述导电构件连接，该功率半导体装置的制造方法的特征在于，包括：第1工序，以如下方式冲压该导体构件：按压所述第1表面的一部分并保留与该第1表面齐平的部分而形成凹部，在所述第2表面形成凸部；第2工序，将所述功率半导体元件配置在所述凸部的顶面，且配置成与所述第1表面的所述凹部以及未形成该凹部的部分相对，并经由所述接合材料连接该凸部与所述功率半导体元件；以及第3工序，至少在所述凹部中填充密封材料。2.根据权利要求1所述的功率半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第1工序包含在使所述导电构件塑性流动后降低在所述凸部的顶面形成的突起部的高度的工序。3.根据权利要求2所述的功率半导体装置的制造方法，其特征在于，通过冲压工序降低在所述凸部的顶面形成的所述突起部的高度。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的功率半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第3工序使所述密封材料覆盖所述导电构件的所述第1表面，并且以保留所述凹部内的所述密封材料的方式除去该密封材料。5.根据权利要求2所述的功率半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第1工序中，所述第1表面侧的所述凹部形成有第1凹部和第2凹部，并且，所述突起部以与所述第1凹部和所述第2凹部之间的空间相对的方式形成。6.根据权利要求1～5中的任一项所述的功率半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第1工序中，包含通过冲压加工形成从所述导电构件的缘部延伸的端子的工序。7.根据权利要求6所述的功率半导体装置的制造方法，其特征在于，所述导电构件包括：第1导体构件及第3导体构件，它们夹着构成逆变电路的上臂电路的功率半导体元件；以及第2导体构件及第4导体构件，它们夹着构成该逆变电路的下臂电路的功率半导体元件，所述第3导体构件形成所述端子，所述端子与所述第2导体构件的一部分相对且与该第2导体构件连接。8.根据权利要求7所述的功率半导体装置的制造方法，其特征在于，所述端子形成非冲压面和冲压面，所述非冲压面与所述第2表面齐平地形成，所述冲压面的高度与该非冲压面不同且通过冲压形成，所述非冲压面比所述冲压面大。9.根据权利要求6所述的功率半导体装置的制造方法，其特征在于，所述端子形成传递流过所述功率半导体元件的电流的主端子。10.一种功率半导体装置，其特征在于，具备：导体部，其具有第1表面及设置在该第1表面的相反侧的第2表面；焊材，其连接所述功率半导体元件和所述导体部；以及密封材料，其密封所述导体部，所述导体部具有比所述第2表面突出且比所述第1表面凹陷的第1区域、和比该第1区域2CN111052584A权利要求书2/2页的所述凹陷的底面突出的第2区域，从所