显示基板及其制造方法、显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111554695A(43)申请公布日2020.08.18(21)申请号202010402088.5(22)申请日2020.05.13(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人合肥鑫晟光电科技有限公司(72)发明人倪柳松赵策王明王庆贺胡迎宾宋威刘宁(74)专利代理机构北京博思佳知识产权代理有限公司11415代理人张相钦(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L27/32(2006.01)H01L21/77(2017.01)权利要求书2页说明书6页附图5页(54)发明名称显示基板及其制造方法、显示装置(57)摘要本申请公开一种显示基板及其制造方法、显示装置。显示基板包括基底、位于基底上的遮光层和平坦化层、覆盖平坦化层和遮光层的缓冲层、以及位于缓冲层上的有源层。遮光层包括遮光层极板，有源层包括有源层第一极板。所述显示基板设置有至少两个电容并联而成的存储电容。有源层第一极板、遮光层极板以及位于有源层极板和遮光层极板之间的缓冲层构成所述存储电容的一个电容。缓冲层覆盖在平坦化层和遮光层使得缓冲层的厚度可以减小，从而，缓冲层在CVD腔室停留的时间短，减少了缓冲层颗粒的数量，改善了亮点高发的问题。而且，缓冲层的厚度减小也增大了存储电容的电容值，满足高分辨率和高刷新率显示的需求。CN111554695ACN111554695A权利要求书1/2页1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括基底、位于所述基底上的遮光层和平坦化层、覆盖所述平坦化层和所述遮光层的缓冲层、以及位于所述缓冲层上的有源层；其中，所述遮光层包括遮光层极板，所述有源层包括有源层第一极板；所述显示基板设置有至少两个电容并联而成的存储电容，所述有源层第一极板、所述遮光层极板以及位于所述有源层第一极板和所述遮光层极板之间的缓冲层构成所述存储电容的一个电容。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述存储电容由两个电容并联而成，所述显示基板包括层叠于所述有源层上的层间介质层和源漏极层，所述源漏极层包括源漏极层极板，所述有源层第一极板、源漏极层极板以及位于所述有源层第一极板和所述源漏极层极板之间的层间介质层构成所述存储电容的另一个电容，所述源漏极层极板与所述遮光层极板电性相连；或者，所述存储电容由两个电容并联而成，所述有源层还包括有源层第二极板，所述显示基板还包括层叠于所述有源层上的层间介质层和源漏极层，所述源漏极层包括源漏极层极板，所述有源层第二极板、源漏极层极板以及位于所述有源层第二极板和所述源漏极层极板之间的层间介质层构成所述存储电容的另一个电容，所述源漏极层极板与所述遮光层极板电性相连，所述有源层第二极板与所述有源层第一极板电性相连。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述遮光层的厚度为1000埃至1500埃。4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述平坦化层与所述遮光层平齐或者所述平坦化层比所述遮光层低且两者的高度差不大于300埃。5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述缓冲层的厚度为1000埃至2000埃。6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述有源层的厚度为200埃至800埃。7.根据权利要求1或6所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述有源层上的栅绝缘层，所述栅绝缘层的厚度为1000埃至2000埃。8.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括根据权利要求1至7任何一项所述的显示基板。9.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述显示基板包括至少两个电容并联构成的存储电容，所述制造方法包括如下步骤：在基底上形成遮光层和平坦化层，其中，所述遮光层包括遮光层极板；形成覆盖所述平坦化层和所述遮光层的缓冲层；在所述缓冲层上形成有源层，其中，所述有源层包括有源层第一极板，所述有源层第一极板、遮光层极板以及位于所述有源层第一极板和所述遮光层极板之间的缓冲层构成所述存储电容的一个电容。10.根据权利要求9所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：在所述有源层上依次形成层间介质层和源漏极层，所述源漏极层包括源漏极层极板；所述有源层第一极板、源漏极层极板以及位于所述有源层第一极板和所述源漏极层极板之间的层间介质层构成所述存储电容的另一个电容；或者，所述有源层还包括有源层第二极板，所述有源层第二极板、源漏极层极板以及位于所述有源层第二极板和所述源漏极2CN111554695A权利要求书2/2页层极板之间的层间介质层构成所述存储电容的另一个电容。11.根据权利要求9所述的显示基板的制造方法，其特征在于，在基底上形成遮光层和平坦化层，包括：采用磁控溅射工艺在基底上沉积一层金属