一种触控显示面板的制作方法、触控显示面板和显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111694465A(43)申请公布日2020.09.22(21)申请号202010579799.X(22)申请日2020.06.23(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人重庆京东方显示技术有限公司(72)发明人李杰王彦强卢玉群(74)专利代理机构北京润泽恒知识产权代理有限公司11319代理人李娜(51)Int.Cl.G06F3/041(2006.01)G06F3/042(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图5页(54)发明名称一种触控显示面板的制作方法、触控显示面板和显示装置(57)摘要本发明提供了一种触控显示面板的制作方法、触控显示面板和显示装置，涉及显示技术领域。本发明实施例提供一显示面板，显示面板包括显示区域，显示区域包括通孔区和围绕通孔区的遮光区；在显示面板的遮光区上形成有机层；对有机层进行腐蚀处理，使得有机层远离显示面板的表面具有多个凹陷结构；在有机层上形成触控电极薄膜；对触控电极薄膜进行图案化处理，以在凹陷结构内形成遮光层；其中，遮光层为图案化处理后凹陷结构内残留的触控电极薄膜。通过有机层进行腐蚀处理，使有机层表面具有多个凹陷结构，在该凹陷结构内形成遮光层，通过遮光层对光的吸收，以减少来自显示面板内部的光线对通孔区的影响。CN111694465ACN111694465A权利要求书1/2页1.一种触控显示面板的制作方法，其特征在于，包括：提供一显示面板，所述显示面板包括显示区域，所述显示区域包括通孔区和围绕所述通孔区的遮光区；在所述显示面板的所述遮光区上形成有机层；对所述有机层进行腐蚀处理，使得所述有机层远离所述显示面板的表面具有多个凹陷结构；在所述有机层上形成触控电极薄膜；对所述触控电极薄膜进行图案化处理，以在所述凹陷结构内形成遮光层；其中，所述遮光层为所述图案化处理后所述凹陷结构内残留的所述触控电极薄膜。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机层的材料为主链分子结构为苯环的有机材料。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述显示面板还包括非显示区域，所述显示区域还包括有效显示区，所述在所述显示面板的所述遮光区上形成有机层的步骤之前，还包括：在所述显示面板的所述显示区域和所述非显示区域上形成缓冲薄膜；对所述缓冲薄膜进行图案化处理，以在所述有效显示区和所述非显示区域形成缓冲层，并去除所述遮光区的所述缓冲薄膜；在所述有效显示区的所述缓冲层上形成电极连接层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述显示面板的所述遮光区上形成有机层的步骤，包括：形成覆盖所述缓冲层、所述电极连接层以及位于所述遮光区的所述显示面板的有机薄膜；对所述有机薄膜进行图案化处理，以形成位于所述有效显示区、所述非显示区域和所述遮光区的有机层；其中，所述有效显示区中的像素区内的所述有机薄膜被去除，且所述有效显示区还形成有贯穿所述有机层的第一接触孔，所述非显示区域还形成有贯穿所述有机层的第二接触孔。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述有机层进行腐蚀处理，使得所述有机层远离所述显示面板的表面具有多个凹陷结构的步骤，包括：对所述第二接触孔所在位置处的所述缓冲层进行刻蚀，以形成贯穿所述缓冲层的第三接触孔，并使得所述有机层远离所述显示面板的表面具有多个凹陷结构，所述凹陷结构位于所述有效显示区、所述隔离区和所述非显示区域；其中，所述第二接触孔在所述显示面板上的正投影与所述第三接触孔在所述显示面板上的正投影至少部分重合。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺对所述第二接触孔所在位置处的所述缓冲层进行刻蚀，所述干法刻蚀工艺所采用的刻蚀气体包括氧气和四氟化碳。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述触控电极薄膜还位于所述有效显示区的所述有机层上，所述对所述触控电极薄膜进行图案化处理，以在所述凹陷结构内形成遮2CN111694465A权利要求书2/2页光层的步骤，包括：对位于所述有效显示区和所述遮光区的触控电极薄膜进行图案化处理，以在所述有效显示区形成电极层和降反层，以及在所述遮光区的所述凹陷结构内形成遮光层；其中，所述电极层和所述降反层在所述显示面板上的正投影不重合，且所述降反层为所述图案化处理后所述有效显示区的所述凹陷结构内残留的所述触控电极薄膜；所述电极层通过所述第一接触孔与所述电极连接层连接，所述电极层通过所述第二接触孔和所述第三接触孔与所述显示面板连接。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述对所述触控电极薄膜进行图案化处理，以在所述凹陷结构内形成遮光层步骤之后，还包括：形成覆盖所述电极层、所述遮光层、所述降反层和所述缓冲层的平坦层。9.一种触控显示面板