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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111732209A(43)申请公布日2020.10.02(21)申请号202010715307.5(22)申请日2020.07.23(71)申请人湖北祥云(集团)化工股份有限公司地址435405湖北省黄冈市武穴市田镇盘塘申请人洲际联科技(北京)有限公司(72)发明人曾舟华黄忠黄河易忠敏何俊余双强张险峰查炎华(74)专利代理机构武汉惠创知识产权代理事务所(普通合伙)42243代理人童思明(51)Int.Cl.C02F5/02(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种能有效降低磷石膏回水输送管道结垢的方法和装置(57)摘要本发明实施例提供了一种能有效降低磷石膏回水输送管道结垢的方法和装置,属于磷酸生产技术领域。方法包括:磷石膏回水由其内分散填装有晶种的池体进行除垢处理,停留10‑50分钟后由回水输送管道输出;所述晶种的大小为1‑10cm,其为氟硅酸盐晶体和/或再生晶体,所述晶种生长至影响磷石膏回水输送前取出并粉碎至1‑10cm得到再生晶体。该装置设于回水输送管道的输入端,其包括上敞口的池体及池体内分散填装的大量晶种;晶种的大小为1‑10cm,其为氟硅酸盐晶体和/或再生晶体;再生晶体由晶种生长后粉碎至1‑10cm得到。采用简单的工艺即可将回水输送管道的清理周期由7天左右延长至30天左右,省时省力,节约成本。CN111732209ACN111732209A权利要求书1/1页1.一种能有效降低磷石膏回水输送管道结垢的方法,其特征在于,所述方法包括:磷石膏回水由其内分散填装有晶种(5)的池体(1)进行除垢处理,停留10-50分钟后由回水输送管道输出;所述晶种(5)的大小为1-10cm,其为氟硅酸盐晶体和/或再生晶体,所述晶种(5)生长至影响磷石膏回水输送前取出并粉碎至1-10cm得到再生晶体。2.根据权利要求1所述的能有效降低磷石膏回水输送管道结垢的方法,其特征在于,所述氟硅酸盐晶体为氟硅酸钠晶体或氟硅酸钾晶体。3.根据权利要求1所述的能有效降低磷石膏回水输送管道结垢的方法,其特征在于,初始进行除垢处理时,晶种(5)为氟硅酸盐晶体;后续处理时,晶种(5)为再生晶体。4.根据权利要求1所述的能有效降低磷石膏回水输送管道结垢的方法,其特征在于,晶种(5)在进行除垢处理25-40天后,取出和粉碎后得到再生晶体。5.一种能有效降低磷石膏回水输送管道结垢的装置,其特征在于,该装置设于回水输送管道的输入端,其包括上敞口的池体(1)及池体(1)内分散填装的晶种(5);所述晶种(5)的大小为1-10cm,其为氟硅酸盐晶体和/或再生晶体;所述再生晶体由晶种(5)生长后粉碎至1-10cm得到,所述氟硅酸盐晶体为氟硅酸钠晶体或氟硅酸钾晶体。6.根据权利要求5所述的能有效降低磷石膏回水输送管道结垢的装置,其特征在于,磷石膏回水处理系统包括磷石膏坝;所述池体(1)上设有浮体且其漂浮在磷石膏坝内的液面上,其下部的进液口浸没在磷石膏回水(3)中,其上部的出液口通过软管与回水输送管道连接;所述晶种(5)浸没在磷石膏回水(3)中。7.根据权利要求5所述的能有效降低磷石膏回水输送管道结垢的装置,其特征在于,磷石膏回水处理系统包括磷石膏坝;所述磷石膏坝上设有溢流槽,所述回水输送管道与溢流槽连接,所述溢流槽的底部与侧壁铺设内侧光滑的薄膜形成池体(1),所述晶种(5)浸没在磷石膏回水(3)中。8.根据权利要求6或7所述的能有效降低磷石膏回水输送管道结垢的装置,其特征在于,所述磷石膏坝的岸边设有晶种卸料码头,所述晶种(5)位于篮筐中,所述卸料码头上设有能吊装篮筐的吊装结构,多个篮筐层叠在池体(1)中。9.根据权利要求5所述的能有效降低磷石膏回水输送管道结垢的装置,其特征在于,所述池体(1)一侧的下部设有进液口(6),其另一侧的上部设有出液口(7)并与回水输送管道连接;所述晶种(5)浸没在磷石膏回水(3)中,所述池体(1)与磷石膏回水储槽(4)并排设置且通过下部的进液口(6)导通,所述出液口(7)较磷石膏回水储槽(4)的液面低且位于顶层的晶种(5)的上方。10.根据权利要求9所述的能有效降低磷石膏回水输送管道结垢的装置,其特征在于,所述池体(1)内设有用于填装晶种(5)的支架(2),所述支架(2)包括上下间隔设置的多层网板或孔板,所述晶种(5)均匀平铺在网板或孔板上且间隔设置。2CN111732209A说明书1/4页一种能有效降低磷石膏回水输送管道结垢的方法和装置技术领域[0001]本发明属于磷酸生产技术领域,特别涉及一种能有效降低磷石膏回水输送管道结垢的方法和装置。背景技术[0002]磷石膏是在湿法磷酸生产中用硫酸处理磷矿时产生的固体废渣,其主要成分为硫酸钙。磷石膏的杂质分两