干法刻蚀机台及半导体器件的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112086384A(43)申请公布日2020.12.15(21)申请号202011044728.6(22)申请日2020.09.28(71)申请人广州粤芯半导体技术有限公司地址510000广东省广州市中新广州知识城九佛建设路333号自编701室（自主申报）(72)发明人易芳孟凡顺杨伟杰(74)专利代理机构上海思捷知识产权代理有限公司31295代理人王宏婧(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称干法刻蚀机台及半导体器件的制造方法(57)摘要本发明提供了一种干法刻蚀机台及半导体器件的制造方法，通过在干法刻蚀机台的冷却台的上方设置通入吹扫气体的供气管道，并在冷却台的下方设置抽气管道，将经过干法刻蚀工艺的晶圆传送至所述冷却台，并对晶圆通入吹扫气体吹扫，将干法刻蚀工艺带出来的反应气体吹扫干净，防止干法刻蚀工艺反应生成的聚合物或副产物会与空气中的水蒸气反应，引发缺陷产生，并防止已经完成干法刻蚀工艺晶圆上的气体残留，与未完成干法刻蚀工艺晶圆上的光刻胶发生反应，进而影响刻蚀形貌；该方法无需使用缓存台运转，避免了因缓存台不足影响机台的WPH，有利于提高生产效率。CN112086384ACN112086384A权利要求书1/1页1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：将晶圆传送至干法刻蚀机台的工艺腔内，对所述晶圆进行干法刻蚀；将完成干法刻蚀工艺的晶圆自所述工艺腔内取出，并传送至所述干法刻蚀机台的冷却台，向所述冷却台通入吹扫气体，并利用抽气装置抽取所述冷却台的气体；以及，将所述晶圆自所述冷却传送至前开式晶圆传送盒。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，向所述冷却台上方通入所述吹扫气体。3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述吹扫气体为经过加热的氮气。4.一种干法刻蚀机台，其特征在于，包括工艺腔、传送装置以及冷却台，通过所述传送装置将晶圆从所述工艺腔传送至所述冷却台，所述冷却台处设置有供气管道、抽气管道和抽气装置，所述供气管道用于向所述冷却台通入吹扫气体，所述抽气装置通过所述抽气管道抽取所述冷却台的气体。5.如权利要求4所述的干法刻蚀机台，其特征在于，所述抽气装置为干泵。6.如权利要求4所述的干法刻蚀机台，其特征在于，所述吹扫气体为经过加热的氮气。7.如权利要求4至6中任一项所述的干法刻蚀机台，其特征在于，所述供气管道设置在所述冷却台的正上方。8.如权利要求7所述的干法刻蚀机台，其特征在于，所述供气管道的数量为一个。9.如权利要求7所述的干法刻蚀机台，其特征在于，所述供气管道的数量为多个，多个所述供气管道均匀的设置在冷却台上方。10.如权利要求4至6中任一项所述的干法刻蚀机台，其特征在于，所述抽气管道设置在所述冷却台的正下方。2CN112086384A说明书1/5页干法刻蚀机台及半导体器件的制造方法技术领域[0001]本发明涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种干法刻蚀机台及半导体器件的制造方法。背景技术[0002]在半导体的制造流程中，涉及两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法刻蚀。其中，干法刻蚀是将晶圆暴露于刻蚀气体所产生的等离子体中，等离子体与晶圆发生物理和/或化学反应，从而选择性地从晶圆表面除去不需要的材料，且由于干法刻蚀可以使电路图变得更加精细，因此，得到了广泛的应用。[0003]但不可避免的，干法刻蚀的过程中产生的反应气体，例如HBr、Cl2。首先，这些气体本身容易形成聚合物附着在晶圆表面形成缺陷(不同的工艺条件产生缺陷的概率不同)；其次，附着在晶圆表面的反应气体，容易与光刻胶发生反应，使未进行蚀刻工艺的晶圆表面形成微掩模，影响刻蚀后的图形。目前业界主要通过控制Q-time(指不同工艺步骤之间所需的时间)解决缺陷的问题，但还是不必可避地会有一定的概率产生缺陷。对于残留在晶圆表面的反应气体产生的交叉污染问题，目前业界通过在机台端安装缓存台来解决，晶圆在进机台前会先传送到缓存台上，从缓存台上抽片进入机台的工艺腔，将经过处理的晶圆与未经过处理的晶圆分开，但是存在缓存台数量不足导致工艺腔空转的现象，例如，刻蚀机台支持四个工艺腔配置，而整机只有两个缓存台，容易产生因缓存台不足造成的工艺腔空转现象，影响WPH(waferperhour，每小时的出片量)，降低了生产效率，影响产能。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种干法刻蚀机台及半导体器件的制造方法，以解决现有技术中缓存台不足造成工艺腔空转现象，生产效率低的问题。[0005]为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：[0006]将晶圆传送至干法刻蚀机台的工艺腔内，对所述晶圆进行干法刻蚀；[