具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112563129A(43)申请公布日2021.03.26(21)申请号202011444807.6(22)申请日2020.12.11(71)申请人苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司地址215000江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢3楼(72)发明人耿增华宋厚伟(74)专利代理机构苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32295代理人唐静芳(51)Int.Cl.H01L21/28(2006.01)H01L21/285(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺(57)摘要本发明涉及一种具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，包括以下步骤：S1、提供硅片，所述硅片具有台阶结构，在所述硅片上定义金属电极区域和非金属电极区域；S2、在所述非金属电极区域上设置感光性干膜；S3、在所述硅片上蒸发金属，通过金属剥离工艺将所述感光性干膜和其上的金属进行剥离，保留所述金属电极区域内的金属。该具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺可以使具有高台阶结构的硅片上的金属剥离干净，避免造成产品异常。CN112563129ACN112563129A权利要求书1/1页1.一种具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供硅片，所述硅片具有台阶结构，在所述硅片上定义金属电极区域和非金属电极区域；S2、在所述非金属电极区域上设置感光性干膜；S3、在所述硅片上蒸发金属，通过金属剥离工艺将所述感光性干膜和其上的金属进行剥离，保留所述金属电极区域内的金属。2.如权利要求1所述的具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，其特征在于，所述台阶结构为直槽或斜槽。3.如权利要求2所述的具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，其特征在于，所述台阶结构包括台阶顶部、台阶底部和衔接所述台阶顶部与台阶底部的台阶侧壁。4.如权利要求3所述的具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，其特征在于，所述金属电极区域定义在所述台阶顶部。5.如权利要求1至4中任一项所述的具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，其特征在于，在所述S2中，所述感光性干膜通过真空贴膜、曝光或显影的方式设置在所述硅片上。6.如权利要求5所述的具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，其特征在于，在所述S2中，采用所述真空贴膜的方式使所述感光性干膜紧贴所述硅片。7.如权利要求1所述的具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，其特征在于，在所述S1中，还包括：对所述硅片进行清洗。8.如权利要求1所述的具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，其特征在于，所述感光性干膜为感光性聚合物材料。9.如权利要求8所述的具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，其特征在于，所述感光性干膜为选自聚酰亚胺、苯并环丁烯、聚对亚苯基苯并双噁唑中的任意一种或者几种的混合物。10.如权利要求1所述的具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，其特征在于，在所述S3中，于低压腔室内在所述硅片上进行蒸发金属。2CN112563129A说明书1/3页具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺技术领域[0001]本发明涉及一种具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，属于半导体器件制备领域。背景技术[0002]光刻技术在半导体制造领域中广泛应用，各种感光性材料在半导体制造技术中用于构图。光刻胶是在光刻中常用的一种感光性材料，为液态胶。光刻胶在光刻的过程中，一般包括旋涂、烘干、曝光、显影、定影、坚膜等过程，最终把掩膜版上的图案转移到光刻胶上。光刻胶有正胶、负胶两种。正胶在曝光后，被曝光的区域在光刻完毕后光刻胶被去除，负胶在曝光后，未被曝光的区域在光刻完毕后光刻胶被去除。[0003]然而，对于具有高台阶结构的硅片(如深硅刻蚀的直槽或KOH腐蚀后的斜槽)，旋涂光刻胶无法得到较好的涂布，而采用喷涂的工艺涂胶，又无法实现在台阶侧壁上涂覆光阻，且坑底涂胶会不均匀。而对于有些产品，需要在深硅刻蚀高台阶上方制备金属电极，采用喷胶的金属剥离工艺在这种高台阶表面制作电极，同时需要将槽底及槽的侧壁金属剥离干净，而往往因槽底胶覆盖不均、槽体侧壁无法覆盖光阻导致槽内(含槽底及侧壁)的金属无法剥离去除干净导致产品异常。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，可以使具有高台阶结构的硅片上的金属剥离干净，避免造成产品异常。[0005]为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：一种具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，包括以下步骤：[0006]S1、提供硅片，所述硅片具有台阶结构，在所述硅片上定义金属电极区域和非金属电极区域；[0007]S2、在所述非金属电极区域上设置感光性干膜；[0008]S3、在所述硅片上蒸发金属，通过金属剥