半导体装置及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112580394A(43)申请公布日2021.03.30(21)申请号201910931035.X(22)申请日2019.09.29(71)申请人世界先进积体电路股份有限公司地址中国台湾新竹科学园区(72)发明人李新辉曾汉良余俊良林光明陈茵陈子端林学荣吕文志陈致贤(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人周晓飞许曼(51)Int.Cl.G06K9/00(2006.01)G06K9/20(2006.01)H01L23/28(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图15页(54)发明名称半导体装置及其制造方法(57)摘要本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，其包含提供具有导电垫于其上的衬底；在衬底上方形成透明结构，其中透明结构包含多个准直柱邻近导电垫；在这些准直柱和导电垫上方形成遮光结构；执行切割工艺以移除位于导电垫正上方的一或多个材料且留下覆盖导电垫的剩余材料，其中一或多个材料包含遮光结构的一部分；以及执行刻蚀工艺以移除剩余材料以露出导电垫。本发明可以提升导电垫的品质，进而提升半导体装置的良率。CN112580394ACN112580394A权利要求书1/2页1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供具有一导电垫于其上的一衬底；在该衬底上方形成一透明结构，其中该透明结构包括多个准直柱邻近该导电垫；在该些准直柱和该导电垫上方形成一遮光结构；执行一切割工艺以移除位于该导电垫正上方的一或多个材料且留下覆盖该导电垫的一剩余材料，其中该一或多个材料包括该遮光结构的一部分；以及执行一刻蚀工艺以移除该剩余材料以露出该导电垫。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该剩余材料的厚度在10微米至60微米的范围。3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该剩余材料为该遮光结构。4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该透明结构更包括一块体部分位于该导电垫上方，且移除该一或多个材料更包括移除该块体部分的一部分。5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该剩余材料为该块体部分的另一部分。6.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，更包括在形成该透明结构之前，在该导电垫上方形成一保护层，且在形成该透明结构之后，该透明结构的该块体部分覆盖该保护层。7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该剩余材料为该保护层。8.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该衬底具有一切割道，且该保护层的一侧壁对齐该切割道。9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该块体部分覆盖该保护层的一顶表面和该侧壁，使得该保护层与该遮光结构隔开。10.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该保护层包括蜡、水胶、光刻胶材料或前述的组合。11.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在该切割工艺之后，该遮光结构具有一阶梯状侧壁，且该阶梯状侧壁邻近该导电垫，其中该阶梯状侧壁具有一上侧壁和一下侧壁。12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该阶梯状侧壁的该上侧壁与该些准直柱的距离大于该阶梯状侧壁的该下侧壁与该些准直柱的距离。13.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该阶梯状侧壁的该上侧壁与该些准直柱的距离小于该阶梯状侧壁的该下侧壁与该些准直柱的距离。14.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，更包括在形成该遮光结构之前，在该导电垫上方形成一保护层，且该剩余材料为该保护层。15.一种半导体装置，其特征在于，包括：一导电垫，设置于一衬底上；多个透明准直柱，设置于该衬底上且邻近该导电垫；以及一遮光结构，设置于该些透明准直柱之间以及该些透明准直柱与该导电垫之间，且该遮光结构具有一阶梯状侧壁邻近该导电垫，其中该阶梯状侧壁具有远离该衬底的一上侧壁2CN112580394A权利要求书2/2页和邻近该衬底的一下侧壁。16.如权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，该阶梯状侧壁的该上侧壁与该些透明准直柱的距离大于该阶梯状侧壁的该下侧壁与该些透明准直柱的距离。17.如权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，该阶梯状侧壁的该上侧壁与该些透明准直柱的距离小于该阶梯状侧壁的该下侧壁与该些透明准直柱的距离。18.如权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，该阶梯状侧壁的该下侧壁的长度小于该些透明准直柱的高度。19.如权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，该些透明准直柱包括光固化材料、热固化材料或前述的组合。20.如权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，该些透明准直柱的高度在10微米至500微米的范围。3CN