一种氮化镓晶体生长系统的泄放氨工序和生长方法.pdf
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一种氮化镓晶体生长系统的泄放氨工序和生长方法.pdf
本发明公开了一种氮化镓晶体生长系统的泄放氨工序和生长方法,属于氮化镓晶体生产技术领域,泄放氨工序包括以下步骤:S1、反应容器内的液态氨自然挥发形成气态氨气,并排放至尾气处理装置中,直至反应容器内的压强恢复至一个大气压;S2、打开真空装置,反应容器内的剩余气态氨气抽至尾气处理装置中;S3、启动氮供应装置,向反应容器内充入氮气,直至反应容器内压强恢复至一个大气压;S4、重复S2‑S3步骤若干次,真空装置抽出反应容器内的气体,完成泄放氨工序;本发明通过氨气自然排出、抽气、充氮、再抽气、再充氮的循环,将反应容器内
一种氮化铝晶体生长系统和方法.pdf
本发明公开了一种氮化铝晶体生长系统和方法,氮化铝晶体生长系统包括:晶体生长炉和与其连接的电气控制柜;电气控制柜用于获取生长控制指令,将该指令发送给晶体生长炉;晶体生长炉用于接收生长控制指令,根据生长控制指令中的指示管理自身基于氮化铝材料生长氮化铝晶体的生长环境,基于该系统,可以通过对电气控制柜的控制,实现对晶体生长炉的控制,有效保证了工人的安全,还大大降低了氮化铝晶体生长过程中需要的人工操作,提升了氮化铝晶体生长的智能化和自动化,基于该智能化和自动化,氮化铝晶体的质量和生产效率得到了保证,并使得氮化铝晶体
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一种氮化镓晶体的生长方法.pdf
本发明涉及一种氮化镓晶体的生长方法,包括以下步骤:(1)在玻璃基板上沉积金属薄膜,然后高温退火,得到已沉积金属薄膜的玻璃基板;(2)将步骤(1)所得的已沉积金属薄膜的玻璃基板置于晶体生长炉内,在晶体生长炉内通入酸性气体腐蚀,然后通入吹扫气体吹扫;(3)吹扫结束后通入氨气和氯化镓气体,并在金属薄膜上沉积氮化镓晶体,晶体生长完成后,将已沉积氮化镓晶体和金属薄膜的玻璃基板置于腐蚀液中,将金属薄膜腐蚀,得到氮化镓晶体。本发明的生长方法制备得到的氮化镓晶体结晶性能良好,无多晶等缺陷;且该生长方法成本低,适合大规模产