一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113399341A(43)申请公布日2021.09.17(21)申请号202110516735.XH01L21/02(2006.01)(22)申请日2021.05.12(71)申请人上海富乐德智能科技发展有限公司地址200444上海市宝山区山连路181号10幢(72)发明人汤高贺贤汉徐庆斌张正伟蒋立峰(74)专利代理机构上海申浩律师事务所31280代理人赵建敏(51)Int.Cl.B08B3/02(2006.01)B08B3/08(2006.01)B08B3/10(2006.01)B08B3/12(2006.01)F26B21/14(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法(57)摘要本发明提供了一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法，包括如下步骤：步骤一，热水浸泡，浸润SiC外延晶圆片表面，去除或者疏松附着在表面的金属化有机物；步骤二，有机溶剂浸泡，去除或者疏松附着在表面的金属化有机物；纯水冲洗去除残留药液；步骤三，碱溶液刻蚀，刻蚀表面的沉积膜；纯水冲洗去除残留药液；步骤四，硝氟酸溶液中和，去除表面残留碱，并且能刻蚀表面的沉积膜；纯水冲洗去除残留药液；步骤五，超声波清洗，超纯水冲洗并高纯氮气吹干；步骤六，无尘烘箱烘干。通过该方法，能去除SiC外延晶圆片表面的AlN和GaN等金属污染物，获得高洁净度的SiC表面，满足SiC外延晶圆片高洁净度洗净再生要求。CN113399341ACN113399341A权利要求书1/1页1.一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，热水浸泡，浸润SiC外延晶圆片表面，去除或者疏松附着在表面的金属化有机物；步骤二，有机溶剂浸泡，去除或者疏松附着在表面的金属化有机物；纯水冲洗去除残留药液；步骤三，碱溶液刻蚀，刻蚀表面的沉积膜；纯水冲洗去除残留药液；步骤四，硝氟酸溶液中和，去除表面残留碱，并且能刻蚀表面的沉积膜；纯水冲洗去除残留药液；步骤五，超声波清洗，超纯水冲洗并高纯氮气吹干；步骤六，无尘烘箱烘干。2.根据权利要求1所述的一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法，其特征在于：步骤一中，将SiC外延晶圆片放入热水槽，热水温度为75‑90℃，热水浸泡时间为20‑60分钟。3.根据权利要求1所述的一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法，其特征在于：有机溶剂为选自乙醇、异丙醇、丙酮中的至少一种；将SiC外延晶圆片放入有机溶剂槽，有机溶剂温度20‑38℃，浸泡时间15‑45分钟，纯水冲洗去除残留药液。4.根据权利要求1所述的一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法，其特征在于：步骤三中，将SiC外延晶圆片放入碱性溶液槽，溶液温度为50‑75℃，浸泡时间为24‑48小时，纯水冲洗去除残留药液。5.根据权利要求1所述的一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法，其特征在于：所述步骤三中，碱溶液的成分包括NaOH，KOH，TMAH中的至少一种。6.根据权利要求1所述的一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法，其特征在于：步骤四中，将SiC外延晶圆片放入硝氟酸溶液槽，溶液温度为20‑30℃，浸泡时间为20‑120秒，纯水冲洗去除残留药液。7.根据权利要求1所述的一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法，其特征在于：所述步骤四中，硝氟酸溶液包含硝酸、氢氟酸、纯水；硝氟酸溶液的每种原料的体积百分比分别为：硝酸5％‑15％、氢氟酸5％‑15％、纯水80％‑90％；所述硝酸浓度为69％，所述氢氟酸浓度为49％，所述纯水为电阻率大于6MΩ的去离子水。8.根据权利要求1所述的一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法，其特征在于：步骤五中，将SiC外延晶圆片进行超声波清洗，超声波槽中超纯水温度为20‑38℃，超声波频率为40‑80KHz，超声波清洗时间为10‑30min，而后超纯水冲洗并用0.1微米的过滤氮气吹干。9.根据权利要求1所述的一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法，其特征在于：所述步骤五中，超纯水为电阻率大于18MΩ的去离子水。10.根据权利要求1所述的一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法，其特征在于：步骤六中，将SiC外延晶圆片放置在无尘烘箱中烘干。2CN113399341A说明书1/3页一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法。背景技术[0002]碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料，具有化学性能稳定、导热系数高和热膨胀系数小等优点，SiC绝缘击穿场强是Si的10倍，SiC功率器件有更加高的耐压能力。SiC带隙是Si的3倍，SiC功率器件更加能耐高温。因此，SiC材料在高温，高频和大功率的功率器件方面更有应用前景。[000