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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113644030A(43)申请公布日2021.11.12(21)申请号202110874908.5(22)申请日2021.07.30(71)申请人合肥维信诺科技有限公司地址230001安徽省合肥市新站区魏武路与新蚌埠路交口西南角(72)发明人范文志蔡伟民朱超施文峰李瑶李阳(74)专利代理机构广东君龙律师事务所44470代理人丁建春(51)Int.Cl.H01L21/77(2017.01)H01L27/12(2006.01)G03F1/00(2012.01)G03F1/70(2012.01)权利要求书2页说明书9页附图11页(54)发明名称一种功能模组及其制备方法(57)摘要本申请公开了一种功能模组及其制备方法,所述制备方法在包括多个走线的第一金属层上形成第二绝缘层之后,再在第二绝缘层上形成整层的第二金属层,并利用图案化的光阻层刻蚀去除部分第二金属层,形成与第一金属层绝缘隔开的第二金属层。在形成图案化的光阻层时,由于光阻层之下其他层的结构特征,光阻层的第一区域和第二区域的显影率存在差异,可能导致光阻残留,进而导致第二金属层的残留。本申请在掩膜板或者第二绝缘层上设置曝光补偿机制,用于对第一区域和第二区域的显影率差异进行补偿,从而减少光阻残留,并进一步减少第二金属层的残留,降低第一金属层形成的多个走线之间因为第二金属层的残留而发生短路的几率。CN113644030ACN113644030A权利要求书1/2页1.一种功能模组的制备方法,其特征在于,包括:在第一绝缘层上方形成图案化的第一金属层,且所述第一金属层包括多个走线以及位于所述多个走线之间的镂空区域;在部分所述第一金属层上方形成第二绝缘层,且所述第二绝缘层填充至少部分所述镂空区域;在所述第二绝缘层上方形成第二金属层,且所述第二金属层连续覆盖第二绝缘层以及从所述第二绝缘层中露出的区域;在所述第二金属层上方形成光阻层,并利用掩膜板对部分所述光阻层进行曝光;所述光阻层包括第一区域和第二区域,所述第一区域在所述第一绝缘层上的正投影位于所述镂空区域在所述第一绝缘层上的正投影内,所述第二区域在所述第一绝缘层上的正投影位于所述多个走线在所述第一绝缘层上的正投影内;其中,在所述掩膜板或者所述第二绝缘层设置有曝光补偿机制,用于对所述第一区域和所述第二区域的光阻层的显影率差异进行补偿;显影去除被曝光的所述光阻层,刻蚀去除从所述光阻层中露出的所述第二金属层,并去除剩余的所述光阻层。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述镂空区域包括第一子镂空区域和第二子镂空区域,所述第一子镂空区域位于被所述第二绝缘层覆盖的所述多个走线之间,所述第二子镂空区域为所述镂空区域除了所述第一子镂空区域之外的区域;所述第一区域与所述第二子镂空区域在所述第一绝缘层上的正投影重合,所述第二区域与未被所述第二绝缘层覆盖的所述第一金属层在所述第一绝缘层上的正投影重合;所述曝光补偿机制设置为使得:对应所述第一区域和第二区域,所述掩膜板的透光率与所述光阻层的厚度正相关。3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述第二绝缘层仅填充所述第一子镂空区域,所述第一区域和所述第二区域的光阻层厚度不相同;所述在所述第二金属层上方形成光阻层,并利用掩膜板对部分所述光阻层进行曝光的步骤,包括:在所述光阻层背离所述第二金属层一侧设置所述掩膜板;其中,所述曝光补偿机制设置于所述掩膜板上,使得所述掩膜板分别对应所述第一区域和所述第二区域的透光率不相同;利用预设光线从所述掩膜板背离所述光阻层一侧照射所述光阻层。4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述掩膜版对应所述第一区域的透光率大于对应所述第二区域的透光率。5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述第二绝缘层填充所述第一子镂空区域以及所述第二子镂空区域,所述曝光补偿机制设置于所述第二绝缘层填充所述第二子镂空区域的部分,使得所述第一区域和所述第二区域的光阻层厚度相同;所述在所述第二金属层上方形成光阻层,并利用掩膜板对部分所述光阻层进行曝光处理的步骤,包括:在所述光阻层背离所述第二金属层一侧设置所述掩膜板,所述掩膜板分别对应所述第2CN113644030A权利要求书2/2页一区域和所述第二区域的透光率相同;利用预设光线从所述掩膜板背离所述光阻层一侧照射所述光阻层。6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,填充所述第二子镂空区域的所述第二绝缘层的厚度与所述第一金属层的厚度相同。7.一种功能模组,其特征在于,包括:第一绝缘层;图案化的第一金属层,位于所述第一绝缘层上方,包括多个走线以及位于所述多个走线之间的镂空区域;第二绝缘层,覆盖部分所述第一金属层,且填充部分所述镂空区域;曝光补偿层,填充其余部分所述