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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114356066A(43)申请公布日2022.04.15(21)申请号202110734161.3(22)申请日2021.06.30(30)优先权数据2020-1731652020.10.14JP17/1849932021.02.25US(71)申请人铠侠股份有限公司地址日本东京(72)发明人小林将内田大辅藤井通太(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司72002代理人徐殿军(51)Int.Cl.G06F1/3234(2019.01)G06F1/26(2006.01)G06F9/4401(2018.01)权利要求书3页说明书10页附图6页(54)发明名称存储器系统和管理存储器系统中的电力的方法(57)摘要一种存储器系统,包括存储表数据的非易失性存储器、和将数据写入非易失性存储器并从其读取的存储控制器。存储控制器包括:易失性存储器,能够处于为其供电的保留状态,或处于向其供应的电力被切断的断电状态;计时器,对从存储器系统转移到低功率状态起的经过时间进行计测;和寄存器,其中存储了先前计测的经过时间,并且还存储了当存储器系统从低功率状态唤醒时的当前计测的经过时间。如果计测的经过时间大于基于先前计测的经过时间计算出的阈值,则控制器控制易失性存储器从保留状态到断电状态的转移。CN114356066ACN114356066A权利要求书1/3页1.一种存储器系统,能够连接到主机并能够响应于来自所述主机的命令转移到低功率状态或断电状态,所述存储器系统包括:保存表数据的非易失性存储器;和执行规定控制的存储控制器,所述规定控制包括基于来自所述主机的请求向所述非易失性存储器写入数据和从所述非易失性存储器读取数据,所述存储控制器包括:易失性存储器,能够处于被供电的保留状态,或者向其供应的电力被切断的断电状态;计时器,对从所述存储器系统转移到所述低功率状态起的经过时间进行计测;和寄存器,存储了一个或多个先前计测的经过时间,并且还存储了当所述存储器系统从所述低功率状态唤醒时的当前计测的经过时间,其中,如果所计测的所述经过时间大于基于所述一个或多个先前计测的经过时间计算出的阈值,则所述存储控制器控制所述易失性存储器从所述保留状态到所述断电状态的转移时机。2.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述阈值是基于所述先前计测的经过时间的平均值和第一值而设定的值。3.根据权利要求2所述的存储器系统,其中,如果当所述存储器系统从所述低功率状态唤醒时所述当前计测的经过时间在大于所述先前计测的经过时间的平均值且小于所述阈值的偏离时间值范围内,则所述存储控制器从所述寄存器丢弃所述先前计测的经过时间。4.根据权利要求3所述的存储器系统,其中,所述偏离时间值范围是基于所述先前计测的经过时间的所述平均值和小于所述第一值的第二值而设定的。5.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述表数据为逻辑到物理地址变换表。6.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述易失性存储器包括:存储电路,临时存储所述表数据的一部分;和控制电路,控制数据相对于所述存储电路的输入和输出。7.根据权利要求6所述的存储器系统,其中,所述易失性存储器为SRAM,当向所述存储电路供电且所述控制电路的电力被切断时,所述SRAM处于所述保留状态,或者当所述存储电路和所述控制电路的电力都被切断时所述SRAM处于所述断电状态。8.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述存储控制器在每次所述阈值被更新时将所述阈值写入所述非易失性存储器,并且在所述存储器系统从所述低功率状态或所述断电状态唤醒时读取写入所述非易失性存储器的所述阈值。9.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述低功率状态为休眠状态,以及所述非易失性存储器为NAND型闪存。2CN114356066A权利要求书2/3页10.一种存储器系统,能够连接到主机并能够响应于接收到所述主机的命令而转移到低功率状态或断电状态,所述存储器系统包括:存储表数据的非易失性存储器;和执行规定控制的存储控制器,所述规定控制包括基于来自所述主机的请求向所述非易失性存储器写入数据和从所述非易失性存储器读取数据,所述存储控制器包括:易失性存储器,能够处于被供电的保留状态,或者向其供应的电力被切断的断电状态;计时器,对从所述存储器系统转移到所述低功率状态起的经过时间进行计测;第一计数器,对所述非易失性存储器被写入或读取的次数进行计数;和第二计数器,对所述易失性存储器中的表数据的一部分被更新的次数进行计数,其中,所述存储控制器基于所述第一计数器和所述第二计数器的计数值来控制所述易失性存储器从所述保留状态到所述断电状态的转移时机。11.根据权利要求10所述的存储器系统,其中,如果所计测的所述经过时间超过基于所述