一种因瓦合金材料的抛光方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114453989A(43)申请公布日2022.05.10(21)申请号202210231217.8(22)申请日2022.03.09(71)申请人西北工业大学地址710072陕西省西安市碑林区友谊西路127号(72)发明人王志军王永杰马晓康许泉傅建明马臻(74)专利代理机构西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙)61223专利代理师崔瑞迎(51)Int.Cl.B24B1/00(2006.01)B24B29/02(2006.01)B24B49/00(2012.01)B24B49/16(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图4页(54)发明名称一种因瓦合金材料的抛光方法(57)摘要本发明属于合金加工技术领域，公开了一种因瓦合金材料的抛光方法，首先采用碳化硼、金属磨盘对因瓦合金进行粗磨，以使因瓦合金的表面粗糙度R≤120nm；再依次减小碳化硼的粒度，继续结合金属磨盘对因瓦合金表面进行细磨，至因瓦合金的表面粗糙度R≤50nm；在金属磨盘上浇筑一层抛光沥青制得抛光盘，以钻石粉为抛光粉结合抛光盘对因瓦合金进行粗抛，至因瓦合金的表面粗糙度R≤20nm；然后减小钻石粉粒度，结合上述抛光盘将因瓦合金的表面粗糙度磨至R≤5nm，然后使用阻尼布材质的抛光垫进行细抛，以去除表面残留的沥青。本发明的抛光方法操作简单，且能够在提升因瓦合金表面亮度的同时使得因瓦合金表面粗糙度降至5nm以下。CN114453989ACN114453989A权利要求书1/2页1.一种因瓦合金材料的抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，粗磨：将因瓦合金试样固定于碾磨机上，以碳化硼为磨料，采用金属材质的磨盘对因瓦合金试样的表面进行粗磨处理，直至所述因瓦合金试样的表面粗糙度R≤120nm；所述粗磨处理时，喷涂有第一抛光液；步骤2，细磨：依次采用粒度逐渐减小的碳化硼为磨料，继续采用金属材质的磨盘对因瓦合金试样的表面进行细磨处理，直至所述因瓦合金试样的表面粗糙度R≤50nm；步骤3，粗抛：在金属材质的磨盘上浇筑一层抛光沥青，并在抛光沥青的表面上开设多个第二导流槽，获得抛光盘；以钻石粉作为抛光粉，将经步骤2处理后的所述因瓦合金试样置于抛光盘上方，对所述因瓦合金试样的表面进行粗抛处理，直至所述待抛光因瓦合金的表面粗糙度R≤20nm；所述粗抛处理时，喷涂有第二抛光液；步骤4，细抛：依次采用粒度逐渐减小的钻石粉为抛光粉，继续采用所述抛光盘对所述因瓦合金试样的表面进行细抛处理，直至所述因瓦合金试样的表面粗糙度R≤5nm；然后，将所述抛光盘替换为阻尼布材质的抛光垫，继续对所述因瓦合金试样的表面进行细抛处理，以去除表面残留的沥青；所述细抛处理时，喷涂有第三抛光液。2.如权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，步骤1中，所述金属材质的磨盘表面布设有多个第一导流槽，多个所述第一导流槽之间十字交叉，且所述第一导流槽的宽度2～4mm，间隔20～25mm。3.如权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，步骤3中，所述抛光沥青浇注的厚度为5～10mm；多个所述第二导流槽之间十字交叉，且所述第二导流槽的宽度2～5mm，间隔20～30mm。4.如权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述第一抛光液为碳化硼和水的混合液，且所述第一抛光液的碳化硼含量为15～25wt％；所述第二抛光液和所述第三抛光液均为质量浓度为15～25wt％钻石微粒水溶液，钻石微粒的颗粒度为2‑5μm。5.如权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，步骤1中，所述粗磨处理的主轴转速为2000～3000r/h，偏摆轴转速为1500～2000r/h，压力为3～5kg；所述抛光液的流量为200～300mL/min。6.如权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，步骤2中，主轴转速为1000～2000r/h，偏摆轴转速为1000～1500r/h，压力为2～3kg；所述第一抛光液的流量为200～300mL/min。7.如权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，步骤3中，主轴转速为1000～2000r/h，偏摆轴转速为500～1000r/h，压力为1～2kg；所述第二抛光液的流量为200～300mL/min。8.如权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，步骤4中，所述细抛处理的主轴转速为1000～1500r/h，偏摆轴转速为500～1000r/h，压力≤1kg；所述第三抛光液的流量为200～2CN114453989A权利要求书2/2页300mL/min。9.如权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，步骤1中，所述碳化硼的粒度为60#至120#；步骤2中，依次采用W40、W20、W7的碳化硼为磨料。10.如权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，步骤3中，所述钻石粉的粒度为W5；步骤4中，依次采用粒度为W0.