微流控芯片及其制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114471755A(43)申请公布日2022.05.13(21)申请号202111647733.0(22)申请日2021.12.30(71)申请人上海天马微电子有限公司地址201201上海市浦东新区汇庆路888、889号(72)发明人李伟林柏全章凯迪白云飞粟平席克瑞贾振宇(74)专利代理机构北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11603专利代理师于淼(51)Int.Cl.B01L3/00(2006.01)权利要求书3页说明书9页附图15页(54)发明名称微流控芯片及其制作方法(57)摘要本发明公开了一种微流控芯片及其制作方法，涉及显示技术领域，微流控芯片包括：阵列基板；疏水层，疏水层位于阵列基板的一侧，疏水层包括至少一个通孔，沿垂直于阵列基板所在平面的方向上，通孔贯穿疏水层；至少一个亲水部，亲水部位于通孔内。本发明可对液滴进行截留以进行检测、观察。CN114471755ACN114471755A权利要求书1/3页1.一种微流控芯片，其特征在于，包括：阵列基板；疏水层，所述疏水层位于所述阵列基板的一侧，所述疏水层包括至少一个通孔，沿垂直于所述阵列基板所在平面的方向上，所述通孔贯穿所述疏水层；至少一个亲水部，所述亲水部位于所述通孔内。2.根据权利要求1所述的微流控芯片，其特征在于，沿垂直于所述阵列基板所在平面的方向上，所述亲水部的高度为h1，所述通孔的高度为h2，其中，h2＞h1。3.根据权利要求2所述的微流控芯片，其特征在于，h2‑h1≥1μm。4.根据权利要求1所述的微流控芯片，其特征在于，所述亲水部远离所述阵列基板的一侧设有反应底物。5.根据权利要求4所述的微流控芯片，其特征在于，沿垂直于所述阵列基板所在平面的方向上，所述反应底物的高度与所述亲水部的高度之和小于所述通孔的高度。6.根据权利要求1所述的微流控芯片，其特征在于，所述亲水部的材料为氧化硅、氮化硅、聚乙烯吡咯烷酮或氢氧化钠。7.根据权利要求1所述的微流控芯片，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板；电路层，所述电路层位于所述衬底基板的一侧，所述电路层包括多个第一晶体管；电极层，所述电极层位于所述电路层远离所述衬底基板的一侧，所述电极层包括多个驱动电极，所述驱动电极与所述第一晶体管电连接；绝缘层，所述绝缘层位于所述电极层远离所述衬底基板的一侧；所述疏水层位于所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧。8.根据权利要求7所述的微流控芯片，其特征在于，在平行于所述衬底基板的平面上，存在相邻两个所述驱动电极之间设有至少一个所述亲水部。9.根据权利要求8所述的微流控芯片，其特征在于，所述电路层还包括至少一个第二晶体管；所述电极层还包括至少一个加热电极，所述加热电极与所述第二晶体管电连接；沿垂直于所述阵列基板所在平面的方向上，至少一个所述亲水部与一个所述加热电极至少部分交叠。10.根据权利要求9所述的微流控芯片，其特征在于，所述加热电极的材料为金属。11.一种微流控芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供阵列基板；在所述阵列基板的一侧形成亲水层；在所述亲水层远离所述阵列基板的一侧形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案对2CN114471755A权利要求书2/3页应所述亲水层中待形成亲水部的区域；利用所述第一光刻胶图案为掩膜对所述亲水层进行刻蚀，形成亲水部；在所述阵列基板设有所述亲水部的一侧形成疏水层，所述疏水层包括至少一个通孔，沿垂直于所述阵列基板所在平面的方向上，所述通孔贯穿所述疏水层，所述亲水部和所述第一光刻胶图案位于所述通孔内；去除所述第一光刻胶图案。12.根据权利要求11所述的微流控芯片的制作方法，其特征在于，沿垂直于所述阵列基板所在平面的方向上，所述亲水部的高度为h1，所述通孔的高度为h2，其中，h2＞h1。13.根据权利要求11所述的微流控芯片的制作方法，其特征在于，还包括：在所述亲水部远离所述阵列基板的一侧预埋反应底物。14.根据权利要求13所述的微流控芯片的制作方法，其特征在于，去除所述第一光刻胶图案之前，在所述疏水层远离所述阵列基板的一侧形成保护涂层，所述保护涂层覆盖所述疏水层和所述第一光刻胶图案；去除所述保护涂层覆盖所述第一光刻胶图案的部分、以及所述第一光刻胶图案，暴露所述亲水部；将所述亲水部远离所述阵列基板的一侧浸泡反应材料，从而在所述亲水部远离所述阵列基板的一侧预埋所述反应底物；去除所述保护涂层覆盖所述疏水层的部分。15.根据权利要求14所述的微流控芯片的制作方法，其特征在于，所述保护涂层的材料为聚对二甲苯。16.根据权利要求11所述的微流控芯片的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板的一侧形成电路层，所述电路层包括多个第一晶体管；在所述电路层远离所述