一种转移装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114551299A(43)申请公布日2022.05.27(21)申请号202210126348.X(22)申请日2022.02.10(71)申请人TCL华星光电技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号(72)发明人谢来(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570专利代理师吕姝娟(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L27/15(2006.01)H01L33/00(2010.01)H01L33/62(2010.01)权利要求书1页说明书6页附图3页(54)发明名称一种转移装置(57)摘要本申请提供一种转移装置，用于对LED芯片进行转移，多个所述LED芯片阵列排布于一施主基板上，所述转移装置包括：转移基板和转移头，所述转移基板与所述施主基板相对设置，并包括多个转移区，各所述转移区与各所述LED芯片对应设置，其中，每个所述转移区上均设置有多个相互间隔的所述转移头，本申请提供的转移装置中，由于各所述转移区上的多个所述转移头是相互间隔设置，从而使得转移过程中，所述LED芯片与所述转移头之间的接触面积缩小，减少了转移头上的胶体用量，降低了转移头上的胶体的附着力，有效的解决了胶体残留问题，提高了LED芯片的转移良率，降低了生产制造成本。CN114551299ACN114551299A权利要求书1/1页1.一种转移装置，用于对LED芯片进行转移，多个所述LED芯片阵列排布于一施主基板上，其特征在于，所述转移装置包括：转移基板和转移头，所述转移基板与所述施主基板相对设置，并包括多个转移区，各所述转移区与各所述LED芯片对应设置，其中，每个所述转移区上均设置有多个相互间隔的所述转移头。2.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，每个所述转移区上的所述转移头等间距排布。3.根据权利要求2所述的转移装置，其特征在于，所述转移基板还包括多个非转移区，各所述非转移区与相邻所述LED芯片之间的间隙区域对应设置，其中，各所述非转移区上未设置所述转移头。4.根据权利要求2所述的转移装置，其特征在于，所述转移基板还包括多个非转移区，各所述非转移区与相邻所述LED芯片之间的间隙区域对应设置，其中，每个所述非转移区上均设置有多个相互间隔的所述转移头。5.根据权利要求4所述的转移装置，其特征在于，每个所述非转移区上的所述转移头等间距排布。6.根据权利要求5所述的转移装置，其特征在于，每个所述转移区上的相邻两个所述转移头之间的间距，与每个所述非转移区上的相邻两个所述转移头之间的间距相等。7.根据权利要求6所述的转移装置，其特征在于，位于所述转移区上的所述转移头凸出于所述转移基板的高度为第一高度，位于所述非转移区上的所述转移头凸出于所述转移基板的高度为第二高度，所述第一高度等于所述第二高度。8.根据权利要求1至7任一项所述的转移装置，其特征在于，所述转移头包括转移头本体和胶体，所述转移头本体的一端设置于所述转移基板上，所述转移头本体的另一端设置有所述胶体，其中，各所述转移头上的胶体在所述转移基板上的垂直投影呈点状并间隔排布。9.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述转移基板上的任意相邻两个所述转移头之间的间距均小于所述LED芯片的顶面边长。10.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，每个所述转移区上设置有至少三个所述转移头。2CN114551299A说明书1/6页一种转移装置技术领域[0001]本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种转移装置。背景技术[0002]发光二极管(LED)是一种电光转换半导体电子元件，具有能量转换效率高，反应时间短，使用寿命长等优点；Micro‑LED是指在微小尺寸内集成高密度LED阵列的技术，将LED尺寸减至小于50μm，然后集成在显示设备的底板上，每个Micro‑LED相当于一个像素点，可定址、单独点亮。与LCD、OLED等传统显示技术相比，Micro‑LED具有低功耗、高亮度、高效率、响应时间短、寿命长、超高分辨率和色彩饱和度等优点。Micro‑LED具有十分明显的优势，极其适用于高分辨率显示和柔性可穿戴设备，被视为下一代显示技术，未来有巨大的应用前景。[0003]目前Micro‑LED显示技术在实现产业化过程中还面临一些技术挑战，其中巨量转移技术是主要的瓶颈之一。巨量转移要求把微米级大小的Micro‑LED从施主晶圆上精准拾取，扩大阵列间距，精确安放固定到目标衬底上。现有的主流LED转移技术中的一种为胶体吸附式转移技术，胶体吸附式转移技术容易出现胶体残留的技术问题，导致LED在后续制程中被残留胶体粘连带起，出现断路，导致良率降低和生产成本增加，无法满足Micro‑LED产业化的要求，此问题亟待解决。