显示装置、显示面板及其制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114597168A(43)申请公布日2022.06.07(21)申请号202210110825.3(22)申请日2022.01.29(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人张慧娟宋尊庆李栋(74)专利代理机构北京律智知识产权代理有限公司11438专利代理师王辉阚梓瑄(51)Int.Cl.H01L21/77(2017.01)H01L27/12(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图3页(54)发明名称显示装置、显示面板及其制作方法(57)摘要本公开提供了一种显示装置、显示面板及其制作方法，涉及显示技术领域。该显示面板制作方法包括：在基板上堆叠多个膜层至第一晶体管中的第一源漏极金属层；在第一源漏极金属层上沉积第一平坦化层，图形化第一平坦化层并形成开孔，保留第一源漏极金属层；在第一晶体管上堆叠多个膜层形成第二晶体管；确定第一晶体管与第二晶体管进行搭接的转接区域；在转接区域，通过第二晶体管中的金属层与第一晶体管中的第一源漏极金属层搭接，形成第一晶体管和第二晶体管之间的转接。通过本公开提供的显示面板制作方法，该制作方法可以整合应用在面板制程中，实现具有堆叠结构的薄膜晶体管的上下层的电连接，节省了布局空间。CN114597168ACN114597168A权利要求书1/2页1.一种显示面板制作方法，其特征在于，包括：提供基板，在所述基板上堆叠多个膜层至第一晶体管中的第一源漏极金属层，所述第一晶体管包括第一有源层；在所述第一源漏极金属层上沉积第一平坦化层，图形化所述第一平坦化层并形成开孔，保留所述第一源漏极金属层；在所述第一晶体管上堆叠多个膜层形成第二晶体管，所述第二晶体管包括第二有源层，所述第一有源层与所述第二有源层在所述基板上的正投影至少部分重叠；确定所述第一晶体管与所述第二晶体管进行搭接的转接区域，所述第一晶体管与所述第二晶体管的转接区域在所述基板上的投影重叠；在所述转接区域，通过所述第二晶体管中的金属层与所述第一晶体管中的第一源漏极金属层搭接，形成所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的转接；其中，所述基板上形成至少一个所述第一晶体管和至少一个所述第二晶体管。2.根据权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述通过所述第二晶体管中的金属层与所述第一晶体管中的第一源漏极金属层搭接，包括：在所述第一晶体管上沉积第一缓冲层，在所述第二转接区域内，形成所述第一缓冲层的转接孔；在所述第一缓冲层上沉积第三栅极金属层，所述第三栅极金属层为所述第二晶体管的底栅，将所述第三栅极金属层与所述第一源漏极金属层搭接。3.根据权利要求2所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述将所述栅极金属层与所述第一源漏极金属层搭接后，还包括：在所述第三栅极金属层上沉积第二缓冲层，在所述第二转接区域内，对所述第二缓冲层进行开孔；在所述第二缓冲层上沉积第二有源层，并图形化所述第二有源层，使所述第二有源层与所述第三栅极金属层相连。4.根据权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述通过所述第二晶体管中的金属层与所述第一晶体管中的第一源漏极金属层搭接，包括：在所述第一晶体管上依次沉积第一缓冲层和第二缓冲层，在所述第二转接区域内，对所述第一缓冲层和所述第二缓冲层开孔；在所述第二缓冲层上沉积转接源漏极金属层，并图形化所述转接源漏极金属层，将所述转接源漏极金属层与所述第一源漏极金属层搭接。5.根据权利要求4所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述将所述转接源漏极金属层与所述第一源漏极金属层搭接后，还包括：在所述转接源漏极金属层上沉积第二有源层，并图形化所述第二有源层，使所述第二有源层与所述转接源漏极金属层相连。6.根据权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述通过所述第二晶体管中的金属层与所述第一晶体管中的第一源漏极金属层搭接，包括：在所述第一晶体管上沉积各个膜层至所述第二晶体管的接触层，并在所述第二转接区域内，对所述接触层开孔；对所述接触层下的各个膜层进行刻蚀至所述第一平坦化层；2CN114597168A权利要求书2/2页在所述接触层上沉积第二源漏极金属层，使所述第二源漏极金属层与所述第一源漏极金属层搭接。7.根据权利要6所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述在所述第一晶体管上沉积各个膜层至所述第二晶体管的接触层，包括：在所述第一晶体管上依次沉积第一缓冲层、第三栅极金属层、第二缓冲层、第二有源层及第三栅绝缘层，并图形化所述第三栅绝缘层；在所述第三栅绝缘层上进行源漏极掺杂后，形成接触层。8.一种显示面板，其特征在于，包括：基板；第一晶体管，所述第一晶体管的数量为至少一个，所述第一晶体管形成在所述基板上；第二晶体管，所述第二晶体管的数量为至少一个