升降装置以及具有升降装置的升降机总成.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114620637A(43)申请公布日2022.06.14(21)申请号202011439032.3H01L21/687(2006.01)(22)申请日2020.12.10(71)申请人中国科学院微电子研究所地址100029北京市朝阳区北土城西路3号申请人真芯（北京）半导体有限责任公司(72)发明人李河圣朴兴雨朱宁炳白国斌高建峰王桂磊田光辉丁云凌(74)专利代理机构北京辰权知识产权代理有限公司11619专利代理师李晶(51)Int.Cl.B66F3/46(2006.01)B66F13/00(2006.01)F16F15/08(2006.01)F16F15/06(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图5页(54)发明名称升降装置以及具有升降装置的升降机总成(57)摘要本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种升降装置以及具有升降装置的升降机总成，该升降装置包括支撑板和升降组件，支撑板用于装载晶圆，支撑板上设置有通道，升降组件能够在通道内移动，升降组件的升降端与晶圆弹性接触。根据发明实施例的升降装置，将晶圆与升降组件之间的直接冲击力、应力和晶圆的重力转化为弹性接触的弹力，以减少升降件与晶圆之间发生的物理摩擦，避免在晶圆的表面留下破损点或划痕，以使在后续的加工过程中晶圆保持完整。CN114620637ACN114620637A权利要求书1/1页1.一种升降装置，其特征在于，包括：支撑板，所述支撑板用于装载晶圆，所述支撑板上设置有通道；升降组件，所述升降组件能够在所述通道内移动，所述升降组件的升降端与所述晶圆弹性接触。2.根据权利要求1所述的升降装置，其特征在于，所述升降组件包括：升降板，所述升降板位于所述支撑板的下方；多个升降件，所述多个升降件连接在所述升降板上并与所述通道配合，且每一所述升降件均与所述晶圆弹性接触。3.根据权利要求2所述的升降装置，其特征在于，每一所述升降件包括：壳体，所述壳体连接在所述升降板上并与所述通道配合；弹性部，所述弹性部设置在所述壳体内；接触部，所述接触部连接在所述弹性部上，所述接触部在所述弹性部的弹性作用下与所述晶圆弹性接触。4.根据权利要求3所述的升降装置，其特征在于，所述接触部上与所述晶圆接触的一端设置有缓冲部。5.根据权利要求3所述的升降装置，其特征在于，所述弹性部的压缩行程为0.5mm‑2mm。6.根据权利要求3所述的升降装置，其特征在于，所述升降件还包括传力部，所述传力部设置在所述弹性部和所述接触部之间，且所述接触部与所述传力部接触的一侧与所述弹性部的压缩方向之间设置有夹角。7.根据权利要求6所述的升降装置，其特征在于，所述传力部为球形。8.根据权利要求2所述的升降装置，其特征在于，多个所述升降件间隔均匀连接在所述升降板上。9.根据权利要求8所述的升降装置，其特征在于，所述壳体与所述升降板之间为可拆卸连接。10.一种升降机总成，其特征在于，包括：驱动装置；升降装置，所述升降装置为权利要求1‑9任一项所述的升降装置，所述驱动装置与所述升降装置连接以驱动所述升降组件在所述通道内移动。2CN114620637A说明书1/5页升降装置以及具有升降装置的升降机总成技术领域[0001]本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种升降装置以及具有升降装置的升降机总成。背景技术[0002]本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。[0003]在半导体器件例如晶圆的加工过程中，通常在真空反应腔室将材料刻蚀或化学气相沉积在该晶圆的表面上。在此过程中，为了传输和定位该晶圆，通常采用升降系统将晶圆固定在真空反应腔室内。[0004]升降系统一般包括多个升降针、静电卡盘和驱动件，在静电卡盘上设置有通孔，升降针穿过通孔与晶圆接触，在驱动件的驱动力下使升降针上下运动，进而改变晶圆相对静电卡盘的位置。在真空反应腔室中通常进行的是化学气相沉积工艺，为了提高晶圆沉积的均匀性，减小升降针与晶圆的接触面积，将升降针的端部加工成尖锐状，导致升降针与晶圆的接触位置应力过大，在升降针将晶圆从静电卡盘上顶起时，升降针与晶圆之间发生摩擦，容易在晶圆的表面留下破损点或划痕，破损点和划痕的存在使得在后续的加工过程中存在导致晶圆破碎的问题。且多个升降针若不能同步进行升起或下降，会导致晶圆相对水平方向倾斜，提高晶圆报废风险。发明内容[0005]本申请的第一方面提出了一种升降装置，包括：[0006]支撑板，所述支撑板用于装载晶圆，所述支撑板上设置有通道；[0007]升降组件，所述升降组件能够在所述通道内移动，所述升降组件的升降端与所述晶圆弹性接触。[0008]本申请的第二方面提出了一种升降机总成，包括：[0009]驱动装置；[0010]升降装置，所述升降装置为上述任一技术方