气体传感器及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115340063A(43)申请公布日2022.11.15(21)申请号202210929192.9(22)申请日2022.08.03(71)申请人南方科技大学地址518055广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号(72)发明人汪飞李明杰罗文昕(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224专利代理师成亚婷(51)Int.Cl.B81C1/00(2006.01)B81B7/02(2006.01)G01N27/12(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图3页(54)发明名称气体传感器及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种气体传感器及其制备方法，涉及传感器技术领域。一种气体传感器的制备方法，包括：将气体敏感颗粒与光刻胶混合，获得气敏光刻混合材料；提供晶圆，晶圆包括多个微传感区域；于晶圆上旋涂气敏光刻混合材料；将气敏光刻混合材料图形化，以保留位于微传感区域内的气敏光刻混合材料形成初始气敏层；去除初始气敏层中的光刻胶，以保留初始气敏层中的气体敏感颗粒形成气体传感器的气敏层。上述气体传感器的制备方法实现了将气体敏感颗粒精确加载到指定的微加热区域，有利于实现气体传感器的生产效率和良率的共同提升。CN115340063ACN115340063A权利要求书1/1页1.一种气体传感器的制备方法，其特征在于，包括：将气体敏感颗粒与光刻胶混合，获得气敏光刻混合材料；提供晶圆，所述晶圆包括多个微传感区域；于所述晶圆上旋涂所述气敏光刻混合材料，所述气敏光刻混合材料至少覆盖所述微传感区域；将所述气敏光刻混合材料图形化，以保留位于所述微传感区域内的所述气敏光刻混合材料形成初始气敏层；去除所述初始气敏层中的光刻胶，以保留所述初始气敏层中的气体敏感颗粒形成所述气体传感器的气敏层。2.如权利要求1所述的气体传感器的制备方法，其特征在于，所述气体敏感颗粒在所述气敏光刻混合材料中的质量百分比浓度为：4wt％‑5wt％。3.如权利要求1所述的气体传感器的制备方法，其特征在于，所述将气体敏感颗粒与光刻胶混合，包括：采用机械搅拌的方式将所述气体敏感颗粒与所述光刻胶混合。4.如权利要求3所述的气体传感器的制备方法，其特征在于，所述机械搅拌的搅拌速率包括：800rpm±100rpm；和/或，所述机械搅拌的搅拌时间不小于2小时。5.如权利要求1所述的气体传感器的制备方法，其特征在于，所述于所述晶圆上旋涂所述气敏光刻混合材料，包括：于所述晶圆上多次重复旋涂所述气敏光刻混合材料。6.如权利要求5所述的气体传感器的制备方法，其特征在于，于所述晶圆上单次旋涂所述气敏光刻混合材料的旋涂速率包括：600rpm±100rpm。7.如权利要求1或5所述的气体传感器的制备方法，其特征在于，所述于所述晶圆上旋涂所述气敏光刻混合材料，还包括：对旋涂后的所述气敏光刻混合材料进行前烘；其中，前烘温度的取值范围包括100℃±20℃。8.如权利要求1所述的气体传感器的制备方法，其特征在于，所述将所述气敏光刻混合材料图形化，以保留位于所述微传感区域内的所述气敏光刻混合材料形成初始气敏层，包括：基于图形化掩模版，对所述气敏光刻混合材料进行曝光显影；所述图形化掩模版用于界定所述微传感区域；去除位于所述微传感区域以外区域的所述气敏光刻混合材料，以保留位于所述微传感区域内的所述气敏光刻混合材料形成初始气敏层。9.如权利要求1所述的气体传感器的制备方法，其特征在于，所述光刻胶包括正性光刻胶；所述初始气敏层中的光刻胶去除方法包括：采用管式炉烘烤形成所述初始气敏层后的所述晶圆；其中，烘烤温度的取值范围包括600℃±100℃，烘烤时间不小于6小时。10.一种气体传感器，其特征在于，采用如权利要求1～9中任一项所述的制备方法得到。2CN115340063A说明书1/6页气体传感器及其制备方法技术领域[0001]本申请涉及传感器技术领域，特别是涉及一种气体传感器及其制备方法。背景技术[0002]随着物联网的快速发展和5G时代的来临，开发小体积、便携式的气体传感器已成当今技术趋势。例如，一种基于微机电系统(MicroElectroMechanicalSystem，MEMS)的气体传感器是以微纳加工技术为基础，将纳米功能材料和器件结构微型化，从而提高传感器的电子集成化、智能化、低功耗化、低成本化等，持续扩大气体传感器的产品应用空间。[0003]目前，制造气体传感器的关键技术之一在于，将传感材料精确加载到指定的微加热区域，然而，现有技术难以做到均匀的沉积传感材料薄膜，以及生产设备复杂且成本也高，是实现气体传感器量产的迫切难点。[0004]因此，如何实现气体传感器的生产效率和良品率的共同提升是亟需解决的问题。发明内容[0005]基于此，有必要提供一种气