一种可变应力区形状保偏光纤及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115385567A(43)申请公布日2022.11.25(21)申请号202210955374.3(22)申请日2022.08.10(71)申请人江苏法尔胜光电科技有限公司地址214400江苏省无锡市江阴市高新区澄江中路278号(72)发明人徐丹张冬梅李萌张子豪苏武(74)专利代理机构江阴市轻舟专利代理事务所(普通合伙)32380专利代理师孙燕波(51)Int.Cl.C03B37/027(2006.01)C03B37/018(2006.01)C03B37/012(2006.01)C03C13/04(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种可变应力区形状保偏光纤及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种可变应力区形状保偏光纤的制备方法包括，步骤一、制备掺杂芯棒；步骤二、制备光纤母棒：在芯棒外部套上石英套管，并烧结为一体形成光纤母棒；步骤三、打孔：沿着光纤母棒轴向，在芯棒外侧加工基孔；步骤四、应力区镗孔：在基孔的基础上向外镗孔，蹚出应力区造型孔，在光纤母棒前端预留一段基孔作为定位孔，在光纤母棒前端拉锥；步骤五、制备应力棒：将应力棒的尺寸加工到与步骤三的基孔匹配；步骤六、预制棒组装：将步骤五制备的应力棒从光纤母棒末端、沿着应力区造型孔穿入，一直向前直至达到定位孔，在光纤母棒末端接上延长管，延长管外接真空泵对光纤母棒保持负压状态；步骤七、拉丝；步骤八、涂覆。CN115385567ACN115385567A权利要求书1/1页1.一种可变应力区形状保偏光纤的制备方法，其特征在于：包括，步骤一、制备掺杂芯棒：准备纯石英基管，在基管内化学沉积掺杂二氧化硅疏松体，沉积结束后塌缩成实心的芯棒，芯棒对应光纤的纤芯；步骤二、制备光纤母棒：在芯棒外部套上石英套管，并烧结为一体形成光纤母棒，芯棒位于光纤母棒的中心位置；步骤三、打孔：沿着光纤母棒轴向，在芯棒外侧加工基孔，基孔有多个，对称分布在芯棒外侧；步骤四、应力区镗孔：根据光纤应力区的形状，在基孔的基础上向外镗孔，蹚出应力区造型孔，应力区造型孔应覆盖基孔，在光纤母棒前端预留一段基孔作为定位孔，并在光纤母棒前端拉锥；步骤五、制备应力棒：另准备纯石英基管，在基管内化学沉积应力区掺杂二氧化硅疏松体，沉积结束后塌缩成实心的应力棒，并磨削去掉外部的纯石英层，将应力棒的尺寸加工到与步骤三的基孔匹配；步骤六、预制棒组装：将步骤五制备的应力棒从光纤母棒末端、沿着应力区造型孔穿入，一直向前直至达到定位孔，确保应力棒贯穿应力区造型孔，在光纤母棒末端接上延长管，延长管外接真空泵对光纤母棒内部尤其是应力区造型孔抽真空使应力区造型孔内保持负压状态；步骤七、拉丝：将预制棒拉细成光纤，在拉丝过程中应力棒熔融填满应力区造型孔；步骤八、涂覆：在光纤外表面先后涂上并固化涂层。2.根据权利要求1所述的可变应力区形状保偏光纤的制备方法，其特征在于：步骤四中，应力区造型孔为多变形或者扇形，基孔是应力区造型孔的最大内切圆。3.根据权利要求1所述的可变应力区形状保偏光纤的制备方法，其特征在于：步骤五中，应力棒外部的纯石英层厚度不大于0.1mm。4.根据权利要求1所述的可变应力区形状保偏光纤的制备方法，其特征在于：步骤一中，芯棒为参锗石英，芯棒中Ce2O3的摩尔百分比mol％为0.1～2。5.根据权利要求4所述的可变应力区形状保偏光纤的制备方法，其特征在于：步骤一中，利用气相沉积，在基管内通入SiCl4和GeCl4气氛，以氢氧焰作为加热源，反应生成二氧化硅和氧化锗颗粒，沉积在基管内壁并同时玻璃化，沉积温度为1900‑2100℃，SiCl4流量：200‑300sccm、GeCl4流量：300‑500sccm。6.根据权利要求1所述的可变应力区形状保偏光纤的制备方法，其特征在于：步骤五中，应力棒为参B石英，应力棒中B2O3的摩尔百分比mol％为15～40。7.根据权利要求6所述的可变应力区形状保偏光纤的制备方法，其特征在于：步骤五中，利用气相沉积在基管内通入SiCl4和BCl3气氛，以氢氧焰作为加热源，反应生成二氧化硅和氧化硼颗粒，沉积在基管内壁并同时玻璃化，沉积温度为1700‑1900℃，SiCl4流量：200‑300sccm、BBr3流量：800‑1000sccm。8.根据权利要求6所述的可变应力区形状保偏光纤的制备方法，其特征在于：步骤七中，预制棒竖直悬挂在拉丝塔内拉丝，加热温度由下而上逐渐递减。2CN115385567A说明书1/4页一种可变应力区形状保偏光纤及其制备方法技术领域[0001]本发明属于光纤及其制造技术领域，尤其涉及应力区保偏光纤及其制备方法。背景技术[0002]保偏光纤即偏振保持光纤，用于传输线偏振光，当一线偏振光被耦合进入保偏光纤时，如果线