有机硅组合物及其应用.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115572307A(43)申请公布日2023.01.06(21)申请号202211462774.7C08L83/04(2006.01)(22)申请日2022.11.22(71)申请人江苏南大光电材料股份有限公司地址215000江苏省苏州市苏州工业园区胜浦平胜路67号申请人南大光电半导体材料有限公司(72)发明人杨敏陈德义宛志文陆平茅炳荣袁磊(74)专利代理机构苏州新知行知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32414专利代理师郑丽玲(51)Int.Cl.C07F7/18(2006.01)C07F7/20(2006.01)C08J5/18(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图6页(54)发明名称有机硅组合物及其应用(57)摘要本发明公开了一种有机硅组合物，其包含：二乙氧基甲基硅烷；第一浓度的溶解的残留无机氯和有机氯；第二浓度的乙醇；以及第三浓度的副产物（杂质）；其中第一浓度定义为所述有机硅组合物在全消解情况下获得的所有存在的氯元素的浓度的总和。本发明的有机硅组合物，引进了副产物（杂质）的概念，对产品的品质管控有关键作用，同时无机氯和有机氯及乙醇的残留很低，尤其是无机氯的残留极少，因而二乙氧基甲基硅烷的品质稳定，当应用于半导体器件中，例如在制备各类低介电常数薄膜时，该低介电常数薄膜的介电常数小于或等于3.5，性能稳定可控，优于现有的有机硅组合物。CN115572307ACN115572307A权利要求书1/2页1.一种有机硅组合物，其特征在于，其包含：二乙氧基甲基硅烷；第一浓度的溶解的残留无机氯和有机氯；第二浓度的乙醇；以及第三浓度的副产物；其中第一浓度定义为所述有机硅组合物在全消解情况下获得的所有存在的氯元素的浓度的总和。2.根据权利要求1所述的有机硅组合物，其特征在于，所述无机氯包括氯化氢，所述有机氯包括氯硅烷类化合物和/或有机氯化合物。3.根据权利要求1所述的有机硅组合物，其特征在于，所述溶解的残留无机氯和有机氯的第一浓度为仪器检出限至100ppm之间，所述乙醇的第二浓度为仪器检出限至20ppm之间，所述副产物的第三浓度为仪器检出限至5000ppm之间。4.根据权利要求3所述的有机硅组合物，其特征在于，所述溶解的残留无机氯的浓度为仪器检出限至10ppm之间。5.根据权利要求4所述的有机硅组合物，其特征在于，所述溶解的残留无机氯的浓度优选为仪器检出限至1ppm之间。6.根据权利要求1所述的有机硅组合物，其特征在于，所述副产物包括相对分子量为164Da的化合物、相对分子量为208Da的化合物、相对分子量为148Da的化合物、相对分子量为194Da的化合物、相对分子量为178Da的化合物、相对分子量为150Da的化合物、相对分子量为120Da的化合物、相对分子量为124Da或126Da的化合物和相对分子量为90Da的化合物中的任意一种或多种。7.根据权利要求6所述的有机硅组合物，其特征在于，所述相对分子量为164Da的化合物包括三乙氧基硅烷，相对分子量为208Da的化合物包括四乙氧基硅烷、相对分子量为148Da的化合物包括二乙氧基二甲基硅烷、相对分子量为194Da的化合物包括三乙氧基甲氧基硅烷、相对分子量为178Da的化合物包括三乙氧基甲基硅烷、相对分子量为150Da的化合物包括二乙氧基甲氧基硅烷、相对分子量为120Da的化合物包括乙氧基甲氧基甲基硅烷、相对分子量为124Da或126Da的化合物包括乙氧基甲基氯硅烷，相对分子量为90Da的化合物包括乙氧基甲基硅烷。8.一种权利要求1‑7中任一项所述的有机硅组合物于低介电常数薄膜中的应用。9.根据权利要求8所述的有机硅组合物于低介电常数薄膜中的应用，其特征在于，所述低介电常数薄膜包括低介电常数层间介质薄膜、多孔低介电常数薄膜或气隙低介电常数薄膜。10.根据权利要求9所述的有机硅组合物于低介电常数薄膜中的应用，其特征在于，所述低介电常数薄膜为低介电常数层间介质薄膜，由所述的有机硅组合物经由化学气相沉积的方式形成。11.根据权利要求10所述的有机硅组合物于低介电常数薄膜中的应用，其特征在于，所述低介电常数层间介质薄膜的介电常数小于或等于3.5。12.根据权利要求10所述的有机硅组合物于低介电常数薄膜中的应用，其特征在于，所述低介电常数层间介质薄膜由式SiaObCcHdFe表示，其中以原子百分比为基础，10%≤a≤35%，2CN115572307A权利要求书2/2页1%≤b≤66%，1%≤c≤35%，0≤d≤60%，0≤e≤25%，使a+b+c+d+e=100%。3CN115572307A说明书1/9页有机硅组合物及其应用技术领域[0001]本发明涉及有机硅组合物领域，特别涉及一种有机硅组合物及其应用。背景技术[0002