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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102781816A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102781816A(43)申请公布日2012.11.14(21)申请号201180006895.4B82B3/00(2006.01)(22)申请日2011.01.21(30)优先权数据61/298,0432010.01.25US(85)PCT申请进入国家阶段日2012.07.23(86)PCT申请的申请数据PCT/US2011/0220712011.01.21(87)PCT申请的公布数据WO2011/091263EN2011.07.28(71)申请人小利兰·斯坦福大学托管委员会地址美国加利福尼亚州(72)发明人A·维尔卡M·C·勒姆克斯Z·鲍(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人项丹(51)Int.Cl.B82B1/00(2006.01)权利要求书权利要求书3页3页说明书说明书66页页附图附图33页(54)发明名称富勒烯掺杂的纳米结构及其方法(57)摘要掺杂纳米结构以调节传导特性。根据各个示例性实施方式,用卤化富勒烯型掺杂剂材料掺杂诸如碳纳米管的纳米结构。在一些实施方式中,掺杂剂材料从溶液中沉积或者通过气相沉积,所述掺杂剂材料用于掺杂纳米管以增加所述纳米管的导热性和/或导电性。CN102786ACN102781816A权利要求书1/3页1.一种掺杂基于碳纳米管的纳米结构的方法,该方法包括:将基于富勒烯的材料施加于纳米结构的外表面,所述基于富勒烯的材料的费米能级低于纳米结构的费米能级;使用施加的基于富勒烯的材料在纳米结构上生长出基于富勒烯的掺杂剂材料;以及用来自基于富勒烯的掺杂剂材料的掺杂剂来掺杂纳米结构的表面以影响从掺杂剂到纳米结构的电荷转移并形成包含一部分纳米结构以及掺杂剂的混合材料,所述混合材料展现的传导率高于用基于富勒烯的掺杂剂材料掺杂前的纳米结构的传导率。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该方法还包括:在施加基于富勒烯的材料前,通过将富勒烯与基于非富勒烯的材料结合以将基于富勒烯的材料的费米能级调节到低于纳米结构费米能级的水平来制备基于富勒烯的材料。3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该方法还包括:在施加基于富勒烯的材料前,通过将富勒烯与基于卤素的材料结合以形成费米能级低于纳米结构费米能级的基于卤化富勒烯的材料来制备基于富勒烯的材料。4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述施加基于富勒烯的材料包括施加费米能级比纳米结构的费米能级至少低0.026eV的非聚合的基于富勒烯的材料。5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述施加基于富勒烯的材料包括施加导带比纳米结构导带的最低能级至少低0.026eV的基于富勒烯的材料。6.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述施加基于富勒烯的材料包括将基于富勒烯的材料施加于各种纳米结构上形成薄片,所述使用施加的基于富勒烯的材料在纳米结构上生长出基于富勒烯的掺杂剂材料包括在各种纳米结构上生长出基于富勒烯的掺杂剂材料,以及所述掺杂纳米结构的表面包括用来自基于富勒烯的掺杂剂材料的掺杂剂来掺杂各种纳米结构的表面以在每一个纳米结构上形成混合材料,所述混合材料包含一部分的纳米结构以及掺杂剂,并且展现的传导率高于用基于富勒烯的掺杂剂材料掺杂前的纳米结构的传导率,所述混合材料形成导电薄片的部分以将薄片设置成透过至少90%入射光。7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述掺杂纳米结构的表面包括降低至少约20%的纳米结构电阻。8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述施加基于富勒烯的材料包括施加基于卤化富勒烯的材料。9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述施加基于富勒烯的材料包括施加基于氟化富勒烯的材料。10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述施加基于富勒烯的材料包括施加选自C60F18、C60F24、C60F36、C60F44、C60F48以及C70F54的材料。11.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述将基于富勒烯的材料施加于纳米结构包括选择基于富勒烯的材料的厚度以调节包含多种纳米结构的薄膜的透明度,和以选定的厚度将基于富勒烯的材料施加到纳米结构的薄膜,以及使基于富勒烯的材料成核包括使基于富勒烯的材料以选定的厚度成核以在薄膜上形2CN102781816A权利要求书2/3页成成核材料并调节薄膜的透明度来调节透明度。12.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对纳米结构施加基于富勒烯的材料包括对碳基纳米结构施加基于富勒烯的材料。13.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述用施加的材料掺杂纳米结构包括相对于掺杂前的施加的材料的电阻值,用掺杂剂降低所述施加的材料的电阻值。14.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将基于富勒烯的材料施加于纳米结构包