应变仪布置结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104272080104272080A(43)申请公布日2015.01.07(21)申请号201380021432.4(51)Int.Cl.(22)申请日2013.05.16G01M13/04(2006.01)G01L1/22(2006.01)(30)优先权数据102012208492.42012.05.22DE(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.10.23(86)PCT国际申请的申请数据PCT/EP2013/0601142013.05.16(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/174706DE2013.11.28(71)申请人舍弗勒技术有限两合公司地址德国黑措根奥拉赫(72)发明人于尔根·吉尔延斯·海姆雅各布·席林格(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司11219代理人李楠安翔权权利要求书1页利要求书1页说明书6页说明书6页附图4页附图4页(54)发明名称应变仪布置结构(57)摘要本发明说明了一种用于在机器元件(2)，尤其是轴承圈(3)或轴(17)的表面上建立应变仪布置结构(14)的方法，其中，在表面上施加有对变形敏感的测量层(6)和位于该测量层上方的保护层(8)。借助激光处理来局部清除保护层(8)，并且使暴露出的测量层(6)被电接触。此外还说明了一种具有根据该方法建立的应变仪布置结构(14)的机器元件(2)，尤其是轴承圈(3)或轴(17)。CN104272080ACN104278ACN104272080A权利要求书1/1页1.一种用于在机器元件(2)，尤其是轴承圈(3)或轴(17)的表面上建立应变仪布置结构(14)的方法，其中，在所述表面上施加有对变形敏感的测量层(6)和位于所述测量层上方的保护层(8)，其中，借助激光处理来局部清除所述保护层(8)，并且其中，使暴露出的所述测量层(6)被电接触。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述机器元件(2)的表面与所述测量层(6)之间施加有绝缘层(4)。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述测量层(6)在施加所述保护层(8)之前结构化。4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，结构化所述测量层(6)，并且其中，在一个工作步骤中执行所述结构化和对所述保护层(8)的清除。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，通过PVD或PACVD沉积施加所述保护层(8)。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，将由含氢的无定形碳、氧化硅、氮化硅和/或氧化铝组成的层施加作为保护层(8)。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，产生具有小于20μm的厚度的所述保护层(8)。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在接触之前清洁暴露出的所述测量层(6)。9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在接触之后密封所述测量层(6)和所述保护层(8)。10.一种具有根据前述权利要求中任一项所述的方法来建立的应变仪布置结构(14)的机器元件(2)，尤其是轴承圈(3)或轴(17)。2CN104272080A说明书1/6页应变仪布置结构技术领域[0001]本发明涉及一种用于在机器元件的表面上建立应变仪布置结构的方法，以及一种具有根据这种方法建立的应变仪布置结构的机器元件。背景技术[0002]为了获知机器元件的应力，经常对构件的变形进行测量。在此，通常采用检测机器元件的表面上的变形的应变仪布置结构。[0003]应变仪布置结构在这里一般可以检测正的应变(伸长)以及负的应变(缩短)。为此，在通常情况下将测量应变条带布置材料锁合(stoffschlüssig)地施加到机器元件的表面的待测量的部位上。当机器元件在该部位处变形时，应变仪布置结构同样相应变形。通过该变形使应变仪布置结构的参数，例如电阻发生变化。为了测量而检测该参数。应变仪布置结构经常尤其由金属的或陶瓷的材料组成或者由半导体材料组成。[0004]在典型的应变仪布置结构中，将金属膜施加到合成材料载体上，并且配设有电接口。为了达到足够大的电阻，曲折地蚀刻出导体条(Leiterbahn)。第二合成材料膜在上侧与合成材料载体牢固地粘接，以便保护电阻材料免受从外部损坏。[0005]应变仪布置结构通常也可以用薄层技术，例如通过气相扩散渗镀(Aufdampfen)或者溅射喷镀(Sputtern)直接施加到机器元件的待测量的表面上。在此，尤其是全面地施加测量层，并且通过激光材料处理或者通过光刻法相应地结构化。通常还将保护测量层免受外部影响的保护层全面地施加到该测量层上。[0006]然而，在此问题是，由于保护层是全面地涂布的，使得测量层的接触部位也被该保护层所覆盖。全面的涂层阻止测量层的接触部位与相应的用于检测和评估参数变