负压驱动电路.pdf
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一种负压驱动电路,包括:第一功率开关管、第二功率开关管、隔离驱动变压器、第一驱动回路及第二驱动回路;隔离驱动变压器的原边绕组两端分别接入第一PWM信号和与该第一PWM信号相位交错的第二PWM信号;第所述第一驱动回路、第二驱动回路用于接入所述副边绕组的感应电压,以向所述第一、第二功率开关管提供使其导通的正驱动电压以及使其关闭的所述第一、第二功率开关管负驱动电压。相比于传统的驱动电路,高频负压驱动能够在开关断开的过程中以小于零的负压快速关断功率开关管,有效防止米勒效应带来的二次导通问题,消除米勒振荡引起的电路
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GaN功率器件的负压驱动电路研究与设计标题:GaN功率器件的负压驱动电路研究与设计摘要:随着功率电子器件的快速发展,GaN(氮化镓)功率器件以其高效能、高频率和高温工作特性而备受关注。然而,GaN功率器件的高级驱动电路设计对于其性能和稳定性至关重要。本论文研究并设计了一种用于GaN功率器件的负压驱动电路,分析其原理并提出一种高效的实现方案。最后通过仿真和实验验证了该负压驱动电路的性能和有效性。一、引言近年来,随着新能源、电动汽车以及其他高功率应用的迅猛发展,对于高性能功率器件的需求越来越迫切。传统的Si(
GaN功率器件的负压驱动电路研究与设计的开题报告.docx
GaN功率器件的负压驱动电路研究与设计的开题报告开题报告:GaN功率器件的负压驱动电路研究与设计1.研究背景氮化镓(GaN)功率器件具有高速、低损耗、高温稳定性等优势,被广泛应用于高频电力电子、射频系统和太阳能微逆变器等领域。与现有的功率器件相比,GaN器件的控制电路具有一定的特殊性,需要仔细研究。其中,负压驱动电路是GaN器件控制电路中的一个重要部分。由于GaN器件的特殊性,传统的正压控制方法难以满足其高性能和高效率的要求。因此,负压驱动电路的研究对于GaN器件的应用具有重要的意义。2.研究目的本研究旨
一种单驱动电源负压关断型高速IGBT驱动电路.pdf
本发明公开一种单驱动电源负压关断型高速IGBT驱动电路,属于发电、变电或配电的技术领域。该驱动电路包括:HCPL?316J驱动芯片、过流保护电路、栅极电阻配置电路、输入信号调理电路、正负压产生电路。正负压产生电路采用电阻?电容?稳压管的串并联电路从单驱动电源生成负电压电源,可使得IGBT采取负电压关断;采用2个二极管和1个稳压管串联的过电流保护电路可组合出多种IGBT过流保护阈值;同时输入信号调理电路对HCPL?316J的输入信号进行下拉电阻处理以防止输入电平不确定招致的IGBT损坏。本发明可有效减少电子
一种氮化镓功率管的负压关断自举驱动电路.pdf
本发明公开了一种氮化镓功率管的负压关断自举驱动电路,包括自举驱动芯片IC、自举电容、开通‑关断电阻和负压关断电路:自举驱动芯片IC通过自举电容实现对半桥拓扑中上管的驱动,导通电阻和关断电阻配置不同阻值以解耦米勒平台影响和驱动峰值过压,负压关断电路实现氮化镓功率管负压关断以提高驱动可靠性,且负压关断电路仅由电阻、电容、稳压管和二极管构成,结构简单、体积小、成本低。本发明能够改善低压氮化镓功率管导通电压阈值低导致的可靠性低问题,降低了对低压氮化镓功率管驱动回路布局结构的要求,保证了低压氮化镓功率管高可靠工作。