一种硅抛光片缺陷的检测方法.pdf
又珊****ck
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一种硅抛光片缺陷的检测方法.pdf
本发明公开了一种硅晶抛光片缺陷的检测方法,所述检测方法包括:在暗室环境中,将聚光光源垂直照射在预先清洗的硅晶抛光片上,从而检测硅晶抛光片缺陷,其中聚光光源的照度高于40万勒;所述检测方法简单易行,且不需要昂贵的专业设备,大大降低了生产成本;效果直观,可通过肉眼直接鉴别;培训成本低,见效快,可立即投入使用,因此适用于硅晶圆片领域。
一种硅抛光片平整度检测装置.pdf
本发明涉及平整度检测装置领域的一种硅抛光片平整度检测装置,包括底座和检测组件,先将硅片放置夹具上,后关闭第二气动密封门和第一密气动封门,由排气喷头将硅片表面上的灰尘吹净,防止影响到正常检测,吹净后打开两道第一密气动封门,由传送带将其带动至超声波探头的正下方时,而传送带停止传送,关闭两道第一密气动封门,由第一气缸带动超声波探头线性移动至硅片的上方,以进行检测硅片的平整度,在检测过程中可进行上下料,保证检测效率,排气扇在一直保持工作,以保证底座内部的空气质量,当两道第一密封门关闭时,会与传送带进行接触,水平平
一种降低硅抛光片正面边缘损伤的方法.pdf
本发明公开了一种降低硅抛光片正面边缘损伤的方法,该方法中所使用的石英舟为具有台阶状舟齿的石英舟,包括以下步骤:(1)将具有台阶状舟齿的石英舟置于垂直炉炉体内,将硅片置于石英舟上;(2)沉积多晶硅薄膜,控制多晶硅薄膜的生长速率;(3)控制降温速率使硅片降温到室温;(4)控制机械手精准取片;(5)抛光硅片正表面,检查硅片正表面参数,确定是否发生边缘损伤。本发明可以有效解决沉积多晶硅时对硅抛光片的正面损伤问题,从而提高硅抛光片边缘质量。
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本发明公开了一种硅棒缺陷自动检测系统及检测方法。本发明的系统包括硅棒旋转模块、外形尺寸检测模块、内部缺陷检测模块、检测机构运动模块、机架模块和控制模块,硅棒旋转模块用于旋转待检测的硅棒,辅助外形检测、内部缺陷检测装置确定硅棒四根晶线的位置;外形尺寸检测模块用于识别硅棒晶线位置、测量硅棒直径和长度;内部缺陷检测模块包括线阵相机和红外光源,能识别硅棒隐裂、位错、孪晶等内部缺陷;检测机构运动模块能够实现硅棒左右两侧的外形尺寸检测模块和内部缺陷检测模块在X轴、Y轴和Z轴三个方向上的连续同步运动。本发明提出的硅棒检
一种用于硅晶片缺陷检测和面形测量的方法.pdf
本发明提供了一种用于硅晶片缺陷检测和面形测量的方法,该方法将相位偏折轮廓术(PMD)用于硅晶片的面形测量中。基于PMD的镜面物体三维面形测量方法是一种高灵敏、高精度、快速、非相干的光学全场测量技术,并且实验装置简单,主要包括计算机、数码相机和显示屏。将PMD用于硅晶片面形测量中可以直接得到晶片表面的梯度分布,仅需对梯度求导数即可得到硅片表面的曲率分布,通过曲率分布检测缺陷,也可以对梯度积分得到硅片表面的高度数据,观测三维形貌。本发明的主要增益:提供了一种高精度、快速的全场测量技术对硅晶片表面缺陷检测和面形