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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109187580A(43)申请公布日2019.01.11(21)申请号201811296337.6(22)申请日2018.11.01(71)申请人上海超硅半导体有限公司地址201604上海市松江区石湖荡镇双金路258弄158号申请人重庆超硅半导体有限公司(72)发明人孙强徐伟沈思情柏友荣陈猛(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人巩克栋(51)Int.Cl.G01N21/95(2006.01)权利要求书1页说明书6页(54)发明名称一种硅抛光片缺陷的检测方法(57)摘要本发明公开了一种硅晶抛光片缺陷的检测方法,所述检测方法包括:在暗室环境中,将聚光光源垂直照射在预先清洗的硅晶抛光片上,从而检测硅晶抛光片缺陷,其中聚光光源的照度高于40万勒;所述检测方法简单易行,且不需要昂贵的专业设备,大大降低了生产成本;效果直观,可通过肉眼直接鉴别;培训成本低,见效快,可立即投入使用,因此适用于硅晶圆片领域。CN109187580ACN109187580A权利要求书1/1页1.一种硅抛光片缺陷的检测方法,其特征在于,所述检测方法包括:在暗室环境中,将聚光光源垂直照射在预先清洗的硅抛光片上,从而检测硅抛光片缺陷,其中聚光光源的照度高于40万勒。2.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述聚光光源的照度为40万-60万勒。3.根据权利要求1或2所述的检测方法,其特征在于,所述硅抛光片缺陷为晶体空洞型原生晶格微缺陷或抛光雾缺陷。4.根据权利要求3所述的检测方法,其特征在于,所述晶体空洞型原生晶格微缺陷的单个空洞缺陷超过0.15μm。5.根据权利要求1-4任一项所述的检测方法,其特征在于,所述聚光光源照射光的颜色为白色或者黄色;优选地,所述聚光光源为聚光灯。6.根据权利要求5所述的检测方法,其特征在于,所述聚光灯为卤素灯、疝气灯或LED灯中的任意一种;优选地,所述卤素灯为碘钨灯或溴钨灯。7.根据权利要求1-6任一项所述的检测方法,其特征在于,所述预先清洗是用氨水、双氧水和去离子超纯水的混合液对硅抛光片预先进行清洗。8.根据权利要求1-7任一项所述的检测方法,其特征在于,所述硅晶片的厚度为100-1000μm。9.根据权利要求1-8任一项所述的检测方法,其特征在于,所述硅晶片为硅晶圆抛光片。10.根据权利要求1-9任一项所述的检测方法,其特征在于,所述检测方法包括:在暗室环境中,将照度超过40万勒且照射光颜色为黄色或白色的聚光灯垂直照射在厚度为100-1000μm的且经过预先用氨水、双氧水和去离子超纯水的混合液清洗的硅晶圆抛光片上,从而检测硅抛光片的抛光雾缺陷或单个空洞缺陷超过0.15μm的空洞型原生晶格微缺陷。2CN109187580A说明书1/6页一种硅抛光片缺陷的检测方法技术领域[0001]本发明为单晶硅片研究领域,涉及一种硅抛光片缺陷的检测方法。背景技术[0002]作为IC衬底的硅晶圆片,需要从单晶硅棒的切割后,经过大量物理、化学、以及热处理来制造。单晶硅棒一般通过使籽晶浸渍于石英坩埚内高纯度(99.9999999%以上)熔融的硅中并拉提使单晶成长的Czochralski法(直拉法——以下称“CZ法”)来获得,但在单晶育成时会在结晶内引入被称为Grown-in缺陷的微细缺陷。[0003]该Grown-in缺陷与单晶育成时的拉提速度和凝固后的单晶内温度分布(拉提轴方向的结晶内温度梯度)相关,以被称为COP(CrystalOriginatedParticle)等的大小为0.1~0.3μm左右的空洞型凝集缺陷,被称为错位簇(DislocationCluster)的大小为10μm左右的微小错位形成的缺陷等形式存在于单晶内。[0004]COP是导致初期的氧化膜耐压性下降的因素,错位簇也是导致在其上形成的器件特性不良的原因。[0005]另外IC硅晶圆片抛光质量也直接影响击穿特性、界面态和少子寿命,对MOS、CCD等表面器件影响更大。硅晶圆片抛光雾是高质量抛光的重要参数之一,尤其是对硅晶圆片精抛质量的评价更加重要。[0006]加之近年来IC向高集成、浅结化、高性能的方向迅速发展,随着小型化、高精度化的需求,根据摩尔定律及各大IC厂商的战略规划IC线宽已经往5nm方向高歌猛进;整个IC产业对硅晶圆片抛光质量要求和制程中COP的控制技术要求越来越高,因此如何高效便捷的检测出硅晶圆片抛光质量缺陷(抛光雾)和硅晶圆片COP提出了更高的要求。[0007]对硅晶圆片是否有COP进行检验,利用COP的个数和图案的有无来进行确保硅晶圆片的合格与否判定;作为COP的检测方法之一有被称为铜析出法(铜装饰法)。这是一种利用在硅晶圆片表面形成绝缘膜(氧化膜)时,存在COP的部位