一种高带宽低压差线性稳压器.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109634344A(43)申请公布日2019.04.16(21)申请号201910109763.2(22)申请日2017.03.08(62)分案原申请数据201710135653.42017.03.08(71)申请人长江存储科技有限责任公司地址430074湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室(72)发明人潘锋吕震宇杨伟毅杨士宁(74)专利代理机构上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)31294代理人董琳(51)Int.Cl.G05F1/56(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图3页(54)发明名称一种高带宽低压差线性稳压器(57)摘要本发明实施例公开了一种高带宽低压差线性稳压器，包括：比较器、第一开关管和米勒电容；所述比较器的第一输入端连接参考电压，所述比较器的第二输入端连接所述第一开关管的第一端，所述比较器的输出端连接所述第一开关管的控制端；所述第一开关管的第一端连接负载，所述第一开关管的第二端连接电源电压；所述米勒电容的第一端连接所述第一开关管的控制端，所述米勒电容的第二端连接所述第一开关管的第一端。本发明实施例中的高带宽LDO无需要求闭环电路的输出稳定，通过米勒电容使第一开关管的输出震荡稳定在负载要求的范围之内，无需限制LDO的带宽以使其输出稳定，实现了高带宽、负载瞬态响应速度快的低压差线性稳压器。CN109634344ACN109634344A权利要求书1/2页1.一种高带宽低压差线性稳压器，其特征在于，包括：比较器、第一开关管和米勒电容；所述比较器的第一输入端用于连接参考电压，所述比较器的第二输入端连接所述第一开关管的第一端，所述比较器的输出端连接所述第一开关管的控制端；所述第一开关管的第一端用于连接负载，所述第一开关管的第二端用于连接电源电压；所述米勒电容的第一端连接所述第一开关管的控制端，所述米勒电容的第二端连接所述第一开关管的第一端；所述米勒电容，用于限制所述第一开关管的第一端输出电压的震荡。2.根据权利要求1所述的高带宽低压差线性稳压器，其特征在于，还包括：驱动模块；所述驱动模块，用于将所述比较器输出的信号驱动后输出至所述第一开关管的控制端。3.根据权利要求2所述的高带宽低压差线性稳压器，其特征在于，所述驱动模块，包括：PMOS管和NMOS管；所述PMOS管的源极用于连接所述电源电压，所述PMOS管的漏极连接所述第一开关管的控制端，所述PMOS管的栅极连接所述比较器的输出端；所述NMOS管的栅极连接所述比较器的输出端，所述NMOS管的源极接地，所述NMOS管的漏极连接所述第一开关管的控制端。4.根据权利要求2所述的高带宽低压差线性稳压器，其特征在于，所述驱动模块，包括：第一反相器；所述第一反相器的输入端连接所述比较器的输出端，所述第一反相器的输出端连接所述第一开关管的控制端。5.根据权利要求2所述的高带宽低压差线性稳压器，其特征在于，所述驱动模块，包括：第一反相器、PMOS管和NMOS管；所述第一反相器的输入端连接所述比较器的输出端，所述第一反相器的输出端连接所述PMOS管的栅极；所述PMOS管的源极连接所述电源电压，所述PMOS管的漏极连接所述第一开关管的控制端；所述NMOS管的栅极连接所述第一反相器的输出端，所述NMOS管的源极接地，所述NMOS管的漏极连接所述第一开关管的控制端。6.根据权利要求3或5所述的高带宽低压差线性稳压器，其特征在于，所述驱动模块，还包括：第一电流源和/或第二电流源；所述第一电流源的输入端连接所述电源电压，所述第一电流源的输出端连接所述PMOS管的源极；所述第二电流源的输入端连接所述NMOS管的源极，所述第二电流源的输出端接地。7.根据权利要求4或5所述的高带宽低压差线性稳压器，其特征在于，所述驱动模块，还包括：第二反相器；所述第二反相器的输入端连接所述比较器的输出端，所述第二反相器的输出端连接所述第一反相器的输入端。8.根据权利要求4或5所述的高带宽低压差线性稳压器，其特征在于，所述第一反相器2CN109634344A权利要求书2/2页为反相缓冲器或反相放大器。9.根据权利要求1所述的高带宽低压差线性稳压器，其特征在于，所述米勒电容的容值小于所述负载的等效电容的容值；所述米勒电容的容值大于所述第一开关管的控制端处寄生电容的容值。10.根据权利要求9所述的高带宽低压差线性稳压器，其特征在于，100Cx≤Cload，且Cx≥10Cp；其中，Cx为所述米勒电容的容值，所述Cload为所述负载的等效电容的容值，Cp为所述第一开关管的控制端处寄生电容的容值。3CN109634344A说明书1/6页一种高带宽低压差线性稳压器[0001]本案是基于申请号为2017101356