一种具有MOS控制空穴通路的IGBT器件.pdf
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一种具有MOS控制空穴通路的IGBT器件.pdf
本发明提供一种具有MOS控制空穴通路的IGBT器件,属于功率半导体器件技术领域,本发明在传统IGBT器件的P+浮空pbody区内引入由栅介质层、MOS控制栅电极和P‑型MOS沟道区形成的MOS控制栅结构,MOS区等效为受到栅压控制作用的开关;在器件正向导通时使得pbody区电位浮空,实现空穴存储,降低了器件的饱和导通压降;在器件关断和短路条件下,提供了空穴的泄放通路,降低密勒电容,实现了低关断损耗和更稳固的短路能力。
一种具有空穴路径区的RC-IGBT.pdf
本发明提供了一种具有空穴路径区的RC‑IGBT,该结构在常规RC‑IGBT结构的基础上,在P型浮空区添加连接发射极的假栅,使假栅与邻近真栅之间形成狭窄的空穴路径区,并使其直接连接发射极。在器件正向导通阶段,流入P型浮空区的空穴通过假栅附近的反型P区,再经过该空穴路径区直接被抽取至发射极,从而降低P型浮空区的电位,减小P型浮空区流向栅极的位移电流,增加栅极可控性,减小EMI噪声。在器件正向关断阶段,空穴路径区额外的空穴通路能够加快器件空穴抽取速率,加快器件关断速度,降低关断损耗。在器件反向导通阶段,空穴路径
一种具有散热结构的MOS器件.pdf
本实用新型属于MOS器件技术领域,具体的说是一种具有散热结构的MOS器件,包括第一散热基板和第二散热基板;通过定位板和其上的齿条的设置,配合定位机构使用,使得第一散热基板与第二散热基板相互卡接,并不会出现松动,即第一散热基板与第二散热基板相互靠近的过程中,定位板带着齿条进入插入槽,在此过程中,齿轮与齿条接触,继而齿条通过齿轮带动驱动杆转动,而驱动杆上的嵌合块的外壁设置有多个倒钩以便于与弧形块配合,使得驱动杆只可正转,不能反转,若是要反转,嵌合块的倒钩就会与多个弧形块之间相互卡接,无法转动,不会松动,保证了
一种具有低米勒电容的IGBT器件.pdf
本发明涉及一种具有低米勒电容的IGBT器件,其栅极多晶硅体包括屏蔽栅以及控制栅;所述控制栅与下方的第二导电类型体区、第一导电类型源区交叠,屏蔽栅位于第二类型体区之间;屏蔽栅氧化层呈T型,屏蔽栅氧化层的下部伸入第一导电类型漂移区内,控制栅邻近屏蔽栅的端部位于屏蔽栅氧化层上;在所述第一导电类型漂移区上方还设置发射极金属,所述发射极金属与第二导电类型体区、第一导电类型源区以及屏蔽栅欧姆接触,且发射极金属通过绝缘介质层与控制栅绝缘隔离。本发明结构紧凑,能有效降低IGBT器件的米勒电容,提高IGBT开关速度,从而降
一种具有浮空结构的沟槽栅IGBT器件.pdf
本发明公开一种具有浮空结构的沟槽栅IGBT器件,包括集电极金属;第一导电类型的集电区,位于集电极金属上表面;第二导电类型的场截止层,位于第一导电类型的集电区上表面;第二导电类型的漂移区,位于第二导电类型的场截止层上表面;沟槽结构,位于第二导电类型的漂移区内,沟槽结构包括沟槽,以及宽部、窄部,宽部包括宽部电极;第一导电类型的浮空区,位于沟槽结构之间;发射极金属,覆盖于整个器件的上方;第一导电类型的浮空区与发射极金属之间经第一介质层隔离;宽部电极与发射极金属等电位。本发明降低IGBT的米勒电容,减少开关时间,