应用于马达驱动的PMOS管开关电路.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110011650A(43)申请公布日2019.07.12(21)申请号201910273877.0(22)申请日2019.04.07(71)申请人东莞市润达散热风扇有限公司地址523728广东省东莞市塘厦镇平山村宝岭路58号(72)发明人马代印杨润明(74)专利代理机构北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411代理人赵娜(51)Int.Cl.H03K17/16(2006.01)H03K17/687(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称应用于马达驱动的PMOS管开关电路(57)摘要本发明公开了一种应用于马达驱动的PMOS管开关电路，包括电阻R1、R2、R3、稳压二极管Z1、三极管T1、T2、T3；电阻R1、稳压二极管Z1和三极管T1的集电极连接VDD，电阻R1和稳压二极管Z1连接三极管T1的基极，电阻R1的另一端还连接电阻R2，电阻R2的另一端连接三极管T2的集电极，三极管T2的基极经电阻R3接PWM信号，三极管T2的发射极和T3的集电极接地，三极管T3的基极连接三极管T1的基极，三极管T3的发射极和三极管T1的发射极连接，输出Gate-PMOS信号。本发明能使PMOS管快速开启和关断，减少PMOS因极间电容引起的开关延期时间，消除MOS管开关时产生的米勒效应。CN110011650ACN110011650A权利要求书1/1页1.一种应用于马达驱动的PMOS管开关电路，其特征在于：包括电阻R1、R2、R3、稳压二极管Z1、三极管T1、T2、T3；所述电阻R1、稳压二极管Z1和三极管T1的集电极连接VDD，电阻R1和稳压二极管Z1连接三极管T1的基极，所述电阻R1的另一端还连接电阻R2，所述电阻R2的另一端连接三极管T2的集电极，三极管T2的基极经电阻R3接PWM信号，三极管T2的发射极和T3的集电极接地，三极管T3的基极连接三极管T1的基极，三极管T3的发射极和三极管T1的发射极连接，输出Gate-PMOS信号。2.根据权利要求1所述的应用于马达驱动的PMOS管开关电路，其特征在于：当PWM信号为高电平时，三极管T2导通，三极管T3迅速开启，对PMOS的Cgs放电，并把PMOS管的VGS钳制在VGS＝VDD*R1/(R1+R2)并小于等于VZ1，PMOS管导通。3.根据权利要求1或2所述的应用于马达驱动的PMOS管开关电路，其特征在于：当PWM信号为低电平时，三极管T2截止，三极管T1对PMOS管极间电容Cgs充电，PMOS管关断。4.根据权利要求3所述的应用于马达驱动的PMOS管开关电路，其特征在于：PMOS管的VGS小于等于VZ1。2CN110011650A说明书1/3页应用于马达驱动的PMOS管开关电路技术领域[0001]本发明涉及一种应用于马达驱动的PMOS管开关电路。背景技术[0002]如图1所示，现在市场上的马达驱动电路，PMOS管直接使用电阻分压的模式来控制PMOS管的开关。如图2所示，MOS管的三个极(漏极-D，栅极-G，源极-S)之间都存在极间电容效应，此为MOS管的等效电路模型图，MOS管GS极之间的信号变化时，因极间电容效应，导致信号缓慢延迟。PMOS管的特性曲线如附图3所示，MOS管工作时存在三个工作区域，分别是：夹断区，可变电阻区，恒流区。当VGS信号变化时，MOS管的工作状态从夹断区→可变电阻区→恒流区，或者是恒流区→可变电阻区→夹断区。VGS信号延迟时间越长，工作在可变电阻区的时间就越久，当MOS管工作在可变电阻区时，MOS管的自身功耗非常大。[0003]图1中，2个分压电阻的阻值越大，PMOS管的G极信号延迟越长；2个分压电阻阻值越小，2个分压电阻自身消耗功率越大，非常容易损坏分压电阻。[0004]VDD电压变化，则VGS高电平电压发生变化，马达中线圈自感电压比较高时，容易因VGS过高造成PMOS管损坏。[0005]当MOS在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在MOS管驱动的应用中影响是很明显的。栅极G与漏极D之间的耦合，在MOS管开关期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发Vgs电压升高而导通，这是一个潜在的风险。发明内容[0006]为了解决上述技术缺陷，本发明提出一种应用于马达驱动的PMOS管开关电路。[0007]本发明的技术方案是这样实现的：[0008]一种应用于马达驱动的PMOS管开关电路，包括电阻R1、R2、R3、稳压二极管Z1、三极管T1、T2、T3；所述电阻R1、稳压二极管Z1和三极管T1的集电极连接VDD，电阻R1和稳压二极管Z1连接三极管T1的基极，所述电阻R1的另一端还连接电阻R2，所述电阻R2的另一端连接三极管T2的集电