交联聚合物.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110402274A(43)申请公布日2019.11.01(21)申请号201880017861.7(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专(22)申请日2018.03.14利商标事务所11038代理人王海宁(30)优先权数据1704102.12017.03.15GB(51)Int.Cl.C09D4/00(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C23C14/00(2006.01)2019.09.12H01L21/00(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01L27/00(2006.01)PCT/EP2018/0564392018.03.14(87)PCT国际申请的公布数据WO2018/167170EN2018.09.20(71)申请人弗莱克因艾伯勒有限公司地址英国剑桥(72)发明人J·琼曼H·范德克霍夫J·杜里权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称交联聚合物(57)摘要一种技术，包括：在基底上沉积包含交联聚合物前体的第一层，所述基底包含至少半导体材料，所述半导体材料为一个或多个晶体管提供一个或多个半导体沟道，其中所述第一层为所述一个或多个晶体管提供栅极电介质的至少一部分；和使第一层暴露于氩等离子体以便从所述前体产生交联聚合物。CN110402274ACN110402274A权利要求书1/1页1.一种方法，该方法包括：在基底上沉积交联聚合物的前体，所述前体包含丙烯酰基和/或甲基丙烯酰基；和使所述前体暴露于由氩等离子体产生的辐射以产生交联聚合物。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底包含至少有机半导体材料，该有机半导体材料为一个或多个晶体管提供一个或多个半导体沟道。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述交联聚合物为所述一个或多个晶体管提供栅极电介质的至少一部分。4.根据权利要求1-3中任一项的方法，其中所述前体包含多官能丙烯酸酯交联剂。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述多官能丙烯酸酯交联剂包括二季戊四醇多丙烯酸酯化合物。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述多官能丙烯酸酯交联剂包括二季戊四醇多官能丙烯酸酯。7.一种方法，该方法包括：在基底上沉积包含交联聚合物前体的第一层，所述基底包含至少半导体材料，所述半导体材料为一个或多个晶体管提供一个或多个半导体沟道，其中所述第一层为所述一个或多个晶体管提供栅极电介质的至少一部分；和使第一层暴露于氩等离子体以便从所述前体产生交联聚合物。2CN110402274A说明书1/3页交联聚合物[0001]本发明涉及产生交联聚合物。交联聚合物典型涉及在聚合物链之间产生键，所述键改变聚合物的一种或多种性质。[0002]交联聚合物的用途的一个例子是半导体器件的制造。包含有机半导体材料的半导体器件(下文中称为有机半导体器件)的制造可包括在有机半导体材料上方沉积交联聚合物的前体，然后使前体在有机半导体材料上方原位经受处理，该处理从前体产生交联聚合物。前体可例如包含预先制备的聚合物和交联剂的混合物，用于在预形成的聚合物的聚合物链之间产生键。一种常规处理包括将前体暴露于汞蒸气灯，但本申请的发明人已发现这种常规技术会对有机半导体器件的性能产生负面影响。[0003]本申请的发明人偶然发现氩等离子体能够从包含丙烯酰基和/或甲基丙烯酰基交联基团的前体产生交联聚合物，并且还能够在有机半导体材料上方原位产生交联聚合物而不会对半导体性能产生过多的负面影响。直接暴露于氩等离子体的交联聚合物的表面也不会对有机半导体器件的性能产生过多的负面影响。[0004]此外，本申请的发明人已发现，氩等离子体还能够在半导体材料上方从极薄的前体层原位实现交联的聚合物层，例如在有机半导体材料上方形成的栅极电介质层，而不会过度剥离前体。不希望受理论束缚，本申请的发明人认为氩等离子体相对快速地激活前体层的表面部分中的交联聚合物的产生，从而产生抵抗等离子体剥离作用的相对坚韧的屏障，同时前体层的较深部分在等离子体的作用下转化为交联聚合物。[0005]在此提供一种方法，该方法包括：在基底上沉积交联聚合物的前体，所述前体包含丙烯酰基和/或甲基丙烯酰基；和使所述前体暴露于由氩等离子体产生的辐射以产生交联聚合物。[0006]根据一个实施方案，基底包含至少一种有机半导体材料，该材料为一个或多个晶体管提供一个或多个半导体沟道。[0007]根据一个实施方案，所述交联聚合物为所述一个或多个晶体管提供栅极电介质的至少一部分。[0008]根据一个实施方案，所述前体包含多官能丙烯酸酯交联剂。[0009]根据一个实施方案，所述多官能丙烯酸酯交联剂包括二季戊四醇多丙烯酸酯(dipentaertythritolmultip-acrylate)化合物。[0010]