非平衡载流子寿命(nonequilibriumcarrierlifetime)百科物理.doc
邻家****66
在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便
相关资料
非平衡载流子寿命(nonequilibriumcarrierlifetime)百科物理.doc
非平衡载流子寿命(nonequilibriumcarrierlifetime)百科物理人才源自知识而知识的获得跟广泛的阅读积累是密不可分的。古人有书中自有颜如玉之说。杜甫所提倡的读书破万卷下笔如有神等无不强调了多读书广集益的好处。这篇非平衡载流子寿命(nonequilibriumcarrierlifetime)百科物理希望可以加强你的基础。非平衡载流子寿命(nonequilibriumcarrierlifetime)非平衡载流子寿命(nonequilibriumcarrierlifetim
光电导法测量非平衡载流子寿命.docx
实验三、光电导法测量非平衡载流子寿命1.概述1.1.LT-100C高频光电导少数载流子寿命测试仪是参照半导体设备和材料国际组织SEMI标准(MF28-0707,MF1535-0707)及国家标准GB/T1553-1997设计制造。本设备采用高频光电导衰减测量方法,适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量,由于对样块体形无严格要求,因此广泛应用于工厂的常规测量。寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及缺陷存在的情况,是单晶质量的重要检测项目。目前我国测量硅单晶少子寿命的常用方法为高频光电导衰退法(hfPCD)及微
光电导法测量非平衡载流子寿命.docx
1.1.LT-100C高频光电导少数载流子寿命测试仪是参照半导体设备和材料国际组织SEMI标准(MF28-0707,MF1535-0707)及国家标准GB/T1553-1997设计制造。本设备采用高频光电导衰减测量方法,适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量,由于对样块体形无严格要求,因此广泛应用于工厂的常规测量。寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及缺陷存在的情况,是单晶质量的重要检测项目。目前我国测量硅单晶少子寿命的常用方法为高频光电导衰退法(hfPCD)及微波反射光电导衰退法(μPCD),两种方法均无
非平衡载流子.ppt
半导体物理(SemiconductorPhysics)第五章非平衡载流子5.1非平衡载流子的注入二、非平衡状态:三、非平衡载流子的产生(光照下非平衡载流子的注入)三、非平衡载流子的产生(光照下非平衡载流子的注入)四、光注入非平衡载流子对电导率的影响四、光注入非平衡载流子对电导率的影响5.2非平衡载流子的复合、寿命5.2非平衡载流子的复合、寿命结论:浓度稳定的非平衡载流子的建立与消失都有一个过程,这个过程称为光电导的弛豫过程。产生过程即是从热平衡态到加以恒定光照后新动态平衡的建立过程;消失过程即是从光照下的
非平衡载流子.ppt
半导体的热平衡状态:半导体不受除温度以外的外界条件作用的状态,载流子浓度是一定的,n0·p0=Nc·Nve(-Eg/k0T)=ni2(5-1)平衡载流子:处于热平衡状态下的载流子。平衡载流子浓度:处于热平衡状态下的载流子浓度。非平衡状态:半导体受到外界条件作用,处于偏离热平衡的状态。非平衡载流子:半导体处于非平衡状态时比平衡状态多出来的这部分载流子。非平衡载流子浓度:比平衡状态多出来的载流子的浓度.非平衡自由电子:Δn非平衡自由空穴:Δp非平衡多数载流子:与半导体多数载流子类型相同的非平衡载流子。n型:非