半導體雷射之原理與構造及應用.ppt
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半導體雷射之原理與構造及應用.ppt
半導體雷射之原理與構造及應用雷射的組成雷射組成的要件通常包括活性介質、激發源及光共振腔半導體雷射構造圖原理雷射二極體的基本結構是一以半導體造成的p-n接面,當電子受到外來電場(激發來源,pumpingsource)的牽引下從較高能階的n區域進入低能階的p區域時,受激電子藏有的能量便釋放出來,由選用的半導體做成的p-n接面的能帶隙是直接間隙,所以能量釋放的形式是光子(光線)而不是熱。雷射二極體內有兩個互相平行的光學反射面(也即鏡子)形成光學共震器(共振腔,)。構成這兩反射面的只須平滑的半導體表面,由於半導體
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半導體元件的分類依集積度分類“電晶體及IC”Bipolar元件構造Bipolar元件的構造Bipolar元件製造特性CMOS元件構造CMOS元件構造矽柵MOS元件的構造BiCMOS元件構造BiCMOS元件構造SOI元件構造使用SOI基板上的元件構造
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半導體雷射技術1960年代,液相磊晶(liquidphaseepitaxy,LPE)氣相磊晶(vaporphaseepitaxy,VPE)亦開始發展在1970到1980年代發展出分子束磊晶(molecularbeamepitaxy,MBE)另外一種磊晶技術稱為金屬有機化學氣相沉積(metal-organicchemicalvapordeposition,MOCVD)。一般而言MOCVD系統主要由四個部分所組成,如圖7-3所示包括了氣體傳輸(gasblending)系統、反應爐系統、真空(vacuum)系統
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肖克萊、巴丁與布拉頓研究半導體與發現電晶體威廉·肖克萊(WilliamBradfordShockley,1910年2月13日-1989年8月12日)是一位英國出生的美國物理學家和發明家,一生共獲得90多項專利。他和約翰·巴丁、沃特豪斯·布拉頓共同發明了電晶體。他並因此獲得1956年的諾貝爾物理獎。20世紀50-60年代,他在推動電晶體商業化的同時,造就了加利福尼亞州今天電子工業密佈的矽谷地區。1936-1955年期間他在貝爾實驗室工作,曾任電晶體物理部主任。1938年獲第一個專利「電子倍增放電器」。194