

电子电源用功率半导体器件研究.docx
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半导体功率器件行业研究.pdf
半导体功率器件行业研究1.功率器件供需紧张,风光储拉动新一轮增长1.1.功率器件交期保持紧张,新能源车功率器件需求旺盛使得海外大厂供不应求海外大厂功率器件交期保持紧张。根据全球电子元器件代理公司富昌电子发布的电子产品交期数据,主要海外厂商的功率器件产品交期自21Q2开始拉长,并在22Q1进一步升高。目前IGBT和主流的MOSFET产品交期接近50周,反映海外大厂的功率器件供应十分紧张。新能源车渗透率、单车功率器件价值量的提升将共同推动车用功率器件市场快速增长。中国新能源车渗透率持续攀升,并在2022年4月
功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件.pdf
本发明提供了一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件。该功率半导体器件的终端结构包括位于功率半导体器件主体半导体区中的沟道环,所述沟道环的材料为相对介电常数为1~15之间的本征多晶材料。本发明的功率半导体器件的终端结构中沟道环采用相对介电常数在15以内的本征多晶材料,使通过该沟道环区域内的电场线接近水平、并且在该区域内无极值点,可以很好地降低载流子的滞留量,从而提高击穿电压。
功率半导体器件的加工方法及功率半导体器件.pdf
本申请涉及微电子技术领域,具体而言,涉及一种功率半导体器件的加工方法及功率半导体器件。功率半导体器件的加工方法包括以下步骤:在元胞区上刻蚀形成沟槽,在器件表面形成多晶硅层,多晶硅填满所述沟槽并在器件表面形成一定厚度;对元胞区部分的多晶硅层进行刻蚀,形成器件的栅极结构,对终端区部分的多晶硅层进行刻蚀形成器件的场板;其中,通过各向同性刻蚀方法刻蚀终端区部分的多晶硅层,所形成的场板的刻蚀剖面的侧壁与器件表面呈倾斜设置。通过变更刻蚀方法,采用各向同性的刻蚀方法将多晶硅层的边缘角度由直角刻蚀成斜角,ILD在垫积的时
功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法.pdf
公开了功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法。功率半导体器件的每个功率单元被配置为传导负载电流部分。每个功率单元包括:(i)多个沟槽;以及(ii)多个台面,多个台面由沟槽在横向上界定并且邻接功率半导体器件的漂移区。多个台面包括有具有第一导电类型的源极区和将源极区与漂移区分离的第二导电类型的本体区的源台面:以及(iii)被通过至少一个分离堆叠与有源台面电分离的穿通PT结构,其具有:第一导电类型的第一区,其被布置在第一结和第二结之间;第二导电类型的第二区,其被布置在第二结和有源台面之间;第一结是第一区和第二
电力电子技术功率半导体器件分解.pptx
会计学电力电子(diànzǐ)技术345678910111213141516171819202122232425262728293031323334353637383940414243444546474849505152535455565758596061626364656667686970717273747576777879808182838485