PSPICE电子线路辅助设计讲解材料.ppt

PSPICE电子线路辅助设计第一部分计算机辅助电路设计的特点电路设计流程常见电路分析内容常见电路分析内容常见电路分析内容常见电路分析内容常见电路分析内容电路模拟程序构成第二部分SPCIE和PSPICE小信号单级放大器程序清单输入描述语句输入描述语句第三部分元件描述（电阻）元件模型和描述（电容）元件模型和描述（电感）元件模型和描述（互感）元件模型和描述（无损传输线）元件模型和描述（压控开关）元件模型和描述（流控开关）元件描述（二极管）元件描述（三极管）元件描述（JFET）元件描述（MOSFET）元件描述（GaAsFET）元件描述（数字器件）元件描述（数字激励源）元件描述（独立电压源）元件描述（独立电流源）元件描述（指数源）元件描述（脉冲源）元件描述（分段线性源）元件描述（单频调频源）元件描述（正弦源）元件描述（多项式源）元件描述（线性受控电压源）元件描述（线性受控电流源）元件描述（非线性受控电压源）元件描述（非线性受控电流源）模型描述语句模型类别总结模型类别总结子电路描述语句子电路调用库文件调用语句第四部分直流工作点分析直流扫描分析直流小信号灵敏度分析小信号传输函数交流特性分析噪声分析瞬态分析付里叶分析温度特性分析节点设置语句初始条件设定语句蒙特卡罗分析灵敏度/最坏情况分析分布参数定义语句函数定义语句包括文件语句参数及表达式定义语句参数分析语句结果输出语句输出变量交流分析中的输出变量噪声分析中的输出变量第五部分浮动节点少于两个连接的节点电压源和有感回路直流分析不收敛直流扫描和转移分析不收敛瞬态分析不收敛第六部分元器件模型（电阻）元器件模型（电容）元器件模型（电感）元器件模型（互感）元器件模型（压控开关）元器件模型（流控开关）元器件模型（二极管） 为了模拟晶体管中的电荷存贮效应采用电容模型来模拟。晶体管中的存贮电荷一部分是由PN结的空间电荷区存贮的，并用结势垒电容来表示，另一部分是由于注入的少数载流子引起的，这部分电荷用注入的载流子电荷或扩散电容来表示。其中B-E结电容为：
Cbe=B-E结电容=Ctbe+area·Cjbe
Ctbe=扩散电容=tf·Gbe
tf=有效度越时间= TF·(1+XTF·(Ibe1/(Ibe1+area·ITF))2·eVbc/(1.44·VTF))
Gbe=B-E直流电导=(dIbe)/(dVb)
Ibe=Ibe1+Ibe2
Cjbe=CJE·(1-Vbe/VJE)-MJE Vbe<FC·VJE
Cjbe=CJE·(1-FC)-(1+MJE)·(1-FC·(1+MJE)+MJE·Vbe/VJE) Vbe>FC·VJE元器件模型（JFET）宏模型构造方法元器件模型（运算放大器）元器件模型（运算放大器）元器件模型（运算放大器）元器件模型（运算放大器）元器件模型（运算放大器）