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第39卷第9期仓属学玫、1.39NO.9 2003年9月979_983页ACTAMETALLURGICASINICASept.2003PP.979-983 电弧离子镀氧化铬涂层的组织结构及硬度木 纪爱玲汪伟宋贵宏汪爱英孙超闻立时 (中国科学院金属研究所,沈阳110016) 摘要采用电弧离子镀方法在不锈钢基体上沉积Cr203薄膜.研究了氧流量和脉冲偏压对薄膜相结构、沉积速率、表面形 貌、薄膜硬度的影响.结果表明,氧流量和脉冲偏压对薄膜的相结构有较大的影响.在氧流量为130cm/s、脉冲偏压为一100 V时,出现Cr203{001}面择优取向;氧流量增高,脉冲偏压增大时,薄膜的表面形貌得到改善;在脉冲偏压为-200V、氧 流量为130cms时,可获得符合Cr203化学计量比的薄膜,其硬度达到36GPa. 关键词Cr203薄膜,电弧离子镀,组织结构,脉冲偏压 中圈法分类号TG174.44,TGl13.2文献标识码A文章编号0412-1961(2003)09-0979-05 MICRoSTRUCTUREANDHARDNESSoFCHRoMIUM oXIDECoTINGSBYARCIoNPLTING J/Ailing,WANGWei,SONGGuihong,WANGAiying,SUNChao,WENLishi InstituteofMetalResearch,TheChineseAcademyofSciences,Shenyang110016 Correspondent:JIAiling,Tel:(024)83978231,Fax:(024)23843436,E-mail:alji@imr.ac.cn Manuscriptreceived2002-12-02,inrevisedform2003-02-20 ABSTRAcTChromiumoxidethinfilmwasdepositedonstainlesssteelbyarcionplatingrAIP). Theefectsoftheflowrateofoxygenandpulsebiasvoltageonthestructure.depositionrateandthe surfacemorphologyofthinfilmwerestudied.ThemicrohardnessofthinfilmWasmeasuredatdiferent pulsebiasvoltage.TheresultsshowthattheCr2o3filmhas{001}planetextureattheoxygenflow rateof130am/sandabiasvoltageof一100V.Thehighertheoxygenflowrateandbiasvoltage.the lessthebigparticlesinthethinfilm.StoichiometricCr2O3thinfilmobtainedatoxygenflowrateof 130am/sandabiasvoltageof一200Vhasanoptima1hardnessvalueupto36GPa. KEYWoRDSCr2O3thinfilm,arCionplating,microstructure,pulsebiasvoltage 在所有矿物和氧化物中,Cr203是硬度较高的材料高、沉积速度快、膜层厚度均匀、靶位置不受限制、绕镀 之一【lJ.它具有极好的化学稳定性、抗高温性能、摩擦性好、工艺参数易于调节等优点,已广泛应用于工业生产 系数小等特点,可作为微电子器件的阻挡层和磨损器件的中【J.目前利用电弧离子镀法制备Cr203薄膜的研究 保护层【引.以前研究结果表明,Cr203薄膜耐磨性较少. 能好、摩擦系数低【4j’但硬度低于Cr203块体.最近几本文利用电弧离子镀方法在不锈钢基体上沉积 年,Bhushan等利用溅射法制备200am厚的缺氧Cr203薄膜.着重研究氧气流量和脉冲偏压对薄膜的 Cr203薄膜,其硬度值最高为29.5GPa.Phones等【5J组织结构的影响,初步研究了偏压对Cr203薄膜硬度的 利用溅射法制备出2m左右厚的Cr203薄膜,其硬度影响. 值最高达到32GPa.但是,所得薄膜多呈非晶结构,热 1实验方法 处理后,部分Cr203膜晶化. 现行制备Cr203薄膜的方法主要有溅射法[6-9j、本实验所用薄膜是在MIP-8-800型电弧离子镀膜机 CVD法[10,11】以及等离子喷涂热分解法【】.电弧离子上制备的,阴极靶材为金属Cr(99%).基体为15一mm× 镀(AIP)是在蒸镀和溅射镀膜技术的基础上逐步改进和10mmx2mm的18-8不锈钢.经金相砂纸研磨抛光, 发展起