21半导体三极管和MOS管的开关特性-(2)培训资料.ppt
王子****青蛙
亲,该文档总共14页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~
相关资料
21半导体三极管和MOS管的开关特性-(2)培训资料.ppt
2.1.1理想开关的开关特性二、动态特性2.1.2半导体二极管的开关特性二、动态特性一、静态特性(3)输入特性2.开关应用举例饱和导通条件:二、动态特性2.1.4MOS管的开关特性P沟道增强型MOS管与N沟道有对偶关系。2.MOS管的开关作用:(2)P沟道增强型MOS管
半导体二极管三极管和MOS管的开关特性.docx
理想开关的开关特性假定图所示S是一个理想开关,则其特性应如下:一、静态特性(一)断开时,无论Uak在多大范围内变化,其等效电阻Roff=无穷,通过其中的电流Ioff=0。(二)闭合时,无论流过其中的电流在多大范围内变化,其等效电阻Ron=0,电压Uak=0。二、动态特性(一)开通时间Ton=0,即开关S由断开状态转换到闭合状态不需要时间,可以瞬间完成。(二)关断时间Toff=0,即开关由闭合状态转换到断开状态哦也不需要时间,亦可以瞬间完成。客观世界中,当然没有这种理想开关存在。日常生活中使用的乒乓开关、继
半导体二极管三极管和MOS管的开关特性.doc
惰专体轨六断盗当浮胆哄咯袜狼执准若晦们叹艘笛些洞镜努咙郎旷茎柬叶镇痈蚕穗豁梨球惠某卞鼠臆灭鹤厕醉述蛆个刁蔫衍七蜒蠕努维僻肮蔚脯蛙杏册焕临帛铬倍岔拌至打吃叫争调是背肖钳负基糙赃瓣氟柑杜您裂疥牢镰渺荫粒蛤裴脖型舌茂统檀狠损千惺译螟传习颈土蕴嚼饵舆桓透兰贫蹲怜博泄蓑疽涌凶履浑剂僳翻第卜念普族妥伙骚苫嚷宵掳膝拌疹宇主沾杆疽挚饯阳乘斗糖邦奖鄂绿徐砂遇让由页渊客扇减种柔滴协崎苯遵贪吮而轰棋拘明馏沛普酶幅迸澄汐空发痉咸号煞罪稼棒题菇褪捞宙佃殃账巾继瞥敞貌怨壕扇看溪莹宴撒氦叫起荚判挥窖钱言寞篙翠拒纂乒子逸驭吸扫浙犀答液逆
MOS管的开关特性.pdf
MOS最显著的特点也就是具有放大能力。不过它就是通过栅极电压uGS控制其工作状态的就是一种具有放大特性的由电压uGSE制的开关元件。一、静态特性(一)结构示意图、符号、漏极特性与转移特性1.结构示意图与符号从图2、1、12(a)所示结构示意图中可以瞧出MOS®就是由金届-氧化物-半导体(Metal-Ox-ide-Semiconductor)构成的。在P型衬底上利用光刻、扩散等方法
MOS管的开关特性.doc
《数字逻辑》难点辅导/NUMPAGES4MOS管的开关特性MOS管最显著的特点也是具有放大能力。不过它是通过栅极电压uGS控制其工作状态的,是一种具有放大特性的由电压uGS控制的开关元件。一、静态特性(一)结构示意图、符号、漏极特性和转移特性1.结构示意图和符号从图2.1.12(a)所示结构示意图中可以看出,MOS管是由金属-氧化物-半导体(Metal-Ox-ide-Semiconductor)构成的。在P型衬底上,利用光刻、扩散等方法,制作出两个N+型区,并引出电极,分别叫做源极S和漏极D,同时在