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集成电路金属栅极结构及其制造方法.pdf
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集成电路金属栅极结构及其制造方法.pdf
本发明公开了一种利用后栅极工艺形成金属栅极的方法。沟槽形成在衬底上，修正沟槽的轮廓从而在沟槽的开口处提供第一宽度以及在沟槽的底部提供第二宽度。该轮廓可以通过包括锥形侧壁形成。金属栅极可以形成在具有修正轮廓的沟槽中。并且本发明还提供了一种包括栅极结构的半导体器件，该栅极结构的栅极顶部宽度大于栅极底部宽度。
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