一种通孔刻蚀方法.pdf

一种通孔刻蚀方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底表面具有介质层；在所述介质层表面形成牺牲层；图案化所述牺牲层并在所述牺牲层中形成开口以界定通孔位置；以所述图案化的牺牲层为掩膜，执行第一各向异性干法刻蚀制程，刻蚀所述介质层至暴露出或接近所述衬底表面，在所述介质层中刻蚀通孔；执行一各向同性干法刻蚀制程，扩大所述牺牲层中开口的尺寸；以所述开口扩大后的牺牲层为掩膜，执行第二各向异性干法刻蚀制程，并过刻蚀形成酒杯状轮廓的通孔；去除所述牺牲层。本发明的优点在于所制备的通孔底部尺寸的控制会比较精确；

2023-10-22

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一种通孔刻蚀方法.pdf

本发明提供一种通孔刻蚀方法，包括提供一复合结构，复合结构包括一第一材质介质层，及覆盖于第一材质介质层上表面的第二材质介质层，第二材质介质层中包括一介质层，填充于一第一金属层及一第二金属层之间，并覆盖第一金属层露出第二金属层的部分，以及第二金属层的上表面；提供一掩膜覆盖复合结构；通过掩膜，刻蚀复数个通孔；提供一刻蚀选择比，根据刻蚀选择比逐次刻蚀复数个通孔，并于每次刻蚀后调整刻蚀选择比，降低第一材质介质层和/或介质层的刻蚀量，以使复数个通孔的底部停留在不同的深度。本发明技术方案的有益效果为：既保证了通孔形貌，

2023-07-24

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通孔刻蚀方法.pdf

本发明揭示了一种通孔刻蚀方法，该方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底上依次形成有金属互连线、阻挡层以及介质层；在所述介质层上形成具有通孔图形的光阻层；以所述具有通孔图形的光阻层为掩膜，刻蚀部分所述介质层以形成开口；利用氧气等离子灰化工艺去除所述具有通孔图形的光阻层；继续刻蚀所述开口内的剩余的介质层和所述阻挡层，直至暴露出所述金属互连线，以形成通孔。本发明在以具有通孔图形的光阻层为掩膜进行刻蚀时，仅刻蚀掉部分介质层而保留一部分的介质层以及全部阻挡层，以阻挡铜与氧气接触发生氧化反应，防止在金属互连线表面形

2023-11-26

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改善通孔刻蚀残留的方法.pdf

本发明提供了一种改善通孔刻蚀残留的方法，在金属硬质掩模一体化刻蚀之后，包括：对刻蚀腔体的侧壁进行轰击，以使所述刻蚀腔体内的金属副产物及非金属副产物游离；向所述刻蚀腔体内通入第一反应气体，所述第一反应气体与所述金属副产物反应后生成第一反应物附着在所述刻蚀腔体的侧壁上；对所述刻蚀腔体的侧壁再次进行轰击，以使所述刻蚀腔体内的所述非金属副产物游离；向所述刻蚀腔体内通入第二反应气体，所述第二反应气体与所述非金属副产物反应后生成第二反应物附着在所述刻蚀腔体的侧壁上；对所述第一反应物及所述第二反应物的表面进行处理，以修

2023-11-13

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一种MEMS加速器件的通孔刻蚀方法.pdf

本发明提供一种MEMS加速器件的通孔刻蚀方法，该方法至少包括以下步骤：步骤一、对硅片表面进行刻蚀，形成通孔；步骤二、对刻蚀后的硅片表面进行低温灰化；步骤三、对经过低温灰化后的硅片表面进行高温灰化；步骤四、对经过高温灰化后的硅片表面进行湿法清洗。本发明将灰化过程分开进行，通过低温灰化来避免刻蚀后光刻胶变硬以及聚合物变硬，使得后续高温灰化过程中光刻胶容易被去除，而残留的聚合物通过后续湿法清洗被有效清理，提高了产品的良率，节约了生产成本。

2023-11-15

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