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双极型晶体管的结构:载流子在基区的运输:(以npn型为例)通过基区在BJT中特殊的位置以及载流子通过基区的过程,可见基区是BJT结构中一个重要的区域。基区的宽度共基极电流放大系数α α=γ·β*·α* 为提高电流放大系数,需减小基区传输系数β*,即减小基区宽度,选用良好的单晶体,使少子寿命 较长。但当基区太薄,基区中存在一定的电阻,在多子流过基区时会产生压降,它对晶体管的特性有影响,如发射极电流集边效应,放大,频率特性变差和基极电阻引起的噪声等。 【基区扩展电阻效应会使发射结中心部分的电流密度大大降低,发射极电流主要集中在发射极的边缘部分,产生发射极电流集边效应】基区的杂质分布(以npn为例)随着集电结反向电压的增加,集电结势垒向两边扩展,基区有效宽度减小,这种现象叫基区宽度调制效应。如果基区掺杂浓度比集电区低,基区的宽度又较小,则可能在集电结发生雪崩击穿之前,有效基区宽度减小到0,基区穿通。 基区大注入少子,会使基区电导率上升,电阻率不断下降,产生基区电导调制效应。:共发射极短路电流放大系数降到1时的频率。为提高特征频率,需要减小:①降低基区宽度,这是减小关键所在。②提高基区的电场因子,为提高电场因子,就要提高基区两端的杂质浓度之比。