基区对BJT的重要性.ppt
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基区对BJT的重要性.ppt
双极型晶体管的结构:载流子在基区的运输:(以npn型为例)通过基区在BJT中特殊的位置以及载流子通过基区的过程,可见基区是BJT结构中一个重要的区域。基区的宽度共基极电流放大系数αα=γ·β*·α*为提高电流放大系数,需减小基区传输系数β*,即减小基区宽度,选用良好的单晶体,使少子寿命较长。但当基区太薄,基区中存在一定的电阻,在多子流过基区时会产生压降,它对晶体管的特性有影响,如发射极电流集边效应,放大,频率特性变差和基极电阻引起的噪声等。【基区扩展电阻效应会使发射结中心部分的电流密度大大降低,发射极电流
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基于4H-SIC的缓变基区BJT外延工艺研究的任务书任务书1.研究背景和意义SiliconCarbide(SiC)目前被广泛地应用在高功率和高温度应用中,特别是对于电力电子领域。SiC材料相比较与传统的硅材料,具有着优异的物理、化学和电学性能,例如高电子饱和漂移速度,高热导率和更高的击穿场强,在高温环境下具有更加优越的稳定性和更低的电阻损耗。SiC晶体在器件通电时功率和开关损耗更低,可以将电子器件的温度设计至更低的水平,这样就可以在小型化和高效应用上取得更好的性能。在SiC材料中,4H-SiC是最常见的晶
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