基准源噪声仿真.ppt

基准源、噪声、开关电容及MonteCarlo仿真大纲电压基准源设计带隙基准源
特点：静态电流较小，输出电压精度
较高，不需要外部电阻
举例：MAX6034

齐纳基准源
特点：输出电压和功率范围大，静态
电流较大，输出电压精度较低，
需要外部电阻
举例：MAX6138平衡VBE的负温度系数和Vt=kT/q的正温度系数？电流镜方式放大器反馈方式驱动能力要求

仅仅是基准源核心电路，没有足够的能力来驱动外部大的负载，需要加buffer；基准源的驱动能力取决于buffer的驱动能力

放大器的频率补偿

为了在外部负载比较大的情况下，保证运放稳定；设计时，必须做交流仿真，以保证频率稳定。CascadeMOSM1－M8保证Q1、Q2电流完全相同，且M1和M2源端电位近似相等在基准源中引入
误差放大器，提
高输出电压精度Q3和Q4的面积为Q1、Q2的n倍，采用层叠三极管能够使X点电压提高为2VBE，降低误差放大器失调电压的影响。
X点电压与Y点电压相等，Q1、Q2、Q3、Q4的偏置电流相等Temperaturecoefficient定义
使用“Parametric”分析来优化电阻值
1、设置变量R3
2、在“Parametric”分析窗口设置扫描变量和扫描方式
3、运行“Parametric”分析，得到结果如右图所示
4、缩小扫描范围，对电阻取值进一步优化用Calculator工具写入“TC”的表达式
TC=(ymax(VS(“/VREF”))-ymin(VS(“/VREF”)))/(average(VS(“/VREF”))*125)*1000000
1、手动输入
2、采用“Calculator”RPN模式输入在ADE界面“Outputs->Setup…”中打开SettingOutputs窗口，在“Name”栏填入输出变量名“TC”，点击“GetExpression”将“Calculator”中的表达式导入“Expression”栏电压基准源“Optimizer”是一种通过自动调整设计变量，从而达到设计指标的工具。
1、在ADE界面“Tools->Optimization”，打开“AnalogCircuitOptimizer”窗口；在该窗口的“Goals”下拉菜单选择“Add…”命令，如下图所示
Name栏填入“TC”
Expression填入计算“TC”的
表达式
Direction选择“minimize”
Target填入“5”
Acceptable填入“15”2、在“AnalogCircuitOptimizer”窗口的“Variables”下拉菜单中选择“Add/Edit..”命令，如下图所示

“Name”栏中选择变量“res”
“InitialValue”填入“12k”
“MinimumValue”填入“10k”
“MaximumValue”填入“15k”

3、在“AnalogCircuitOptimizer”窗口的“Session”下拉菜单中选择“Options..”命令，如下图所示

在“AlgorithmSelection”
栏选择“LSQ”优化算法

4、选择“Optimizer”
下拉菜单中的“Run”
命令，开始优化电压基准源1、在ADE界面“Tools”下拉菜单下选择“Corner..”,进入“AnalogCornersAanalysis”窗口2、工艺配置。在菜单中选择“Setup->AddProcess…”,进入AddProcess窗口。
“ProcessName”栏中加入新工艺的名字
“ModelStyle”栏中选择工艺模式
“BaseDirectory”和“ModelFile”栏中分别填入Model所在的目录及其名称

选择“OK”，
SMIC工艺
设置成功3、添加工艺角组。在菜单中选择“Setup->Add/UpdateModelInfo…”，进入UpdateProcess/ModelInfo窗口的Groups/Variants选项卡。
“GroupsNames”栏中加入工艺角的名称，例如：MOS
“Variants”栏加入一组工艺角，例如：tt、ff、ss等等，中间用空格隔开

点击“Apply”，
继续添加下一
个工艺角4、设定需要仿真的工艺角。在主界面的“CornerDefinitions”栏中进行设置，其中“AddCorner”添加新的工艺角，“AddVariable”添加新的设计变量。5、设置输出。在主界面的“PerformanceMeasurements”栏中进行输出设置。
“AddMeasurement”设置待测变量名称
“Expression”栏中输入待测变量的表达式，可借助“Calculator”工具；选中“plot”，待测变量将以图形形式输出。6、运行及输出。在菜单“Simulat