单晶硅基础知识.ppt
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相关资料
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SingleCrystalGrowthContents7주기I.SiliconMaterialI.SiliconMaterialI.SiliconMaterialI.SiliconMaterialII.TheoryofGrowingPhaseTransformation-DrivingforceforPhaseChange,LiquidFreeenergychangeduringSolidificationWhileliquidchangetosolid,newenergyrequired,andwhe
单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片.pdf
单晶硅(1)由肩部(1A)、直体部(1B)及尾部(1C)构成。直体部(1B)具备:第1直体部(1BA),具有第1直径d1;及第2直体部(1BC),位于比第1直体部(1BA)更靠肩部(1A)侧的位置,并具有比第1直径d1大3.5%以上且15%以下的第2直径d2。首先,将与肩部(1A)连接的直体部(1B)的开始位置上的电阻率设为第1电阻率。然后,提拉单晶硅(1)并使其生长以形成第1直体部(1BA),并且将第1直体部(1BA)的开始位置上的电阻率设为比第1电阻率低的第2电阻率。
籽晶、直拉法制备单晶硅的方法和单晶硅.pdf
本发明公开了一种籽晶、直拉法制备单晶硅的方法和单晶硅,其中,所述籽晶上设有孔洞,所述孔洞可储存掺杂物。由此,该籽晶可以确保掺杂物完全加入熔硅中,不仅有效避免掺杂物粘附石英管管壁和掺杂物被炉体氩气带走而导致的产品良率过低的问题,而且对于下抽气的长晶炉降低了电极脚发生电弧的几率,同时降低了氩气充抽次数,节省了生产时间。
单晶硅生产工艺及单晶硅片生产工艺.doc
单晶硅生产工艺及单晶硅片生产工艺单晶硅原子以三维空间模式周期形成的长程有序的晶体。多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的,不能用来做半导体电路。多晶硅必须融化成单晶体,才能加工成半导体应用中使用的晶圆片。加工工艺:加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长(1)加料:将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内,杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼,磷,锑,砷。(2)熔化:加完多晶硅原料于石英埚内后,长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内,然后打开石墨加热器电源,
类单晶硅锭的制备方法及类单晶硅锭.pdf
本发明提供了一种类单晶硅锭的制备方法及类单晶硅锭,包括:在坩埚底部铺设籽晶层形成引晶层;在籽晶层上方装填硅料至坩埚的1/3至2/3高度之间;将磷合金铺设至硅料上形成掺杂层;继续装填硅料装至坩埚顶部;将坩埚装入铸锭炉,并将铸锭炉抽真空且在氩气保护下加热使硅料熔化;采用定向凝固法使硅料长晶直至形成类单晶硅锭。本发明类单晶硅锭的制备方法及类单晶硅锭可保证磷合金全部融化均匀地扩散至硅料中,从而提升类单晶硅锭的品质。